GaAs MMIC功率放大器加速寿命试验及可靠性评估

目的评估新研GaAs微波单片集成电路(MMIC)功率放大器的可靠性指标。方法用图估法和范-蒙特福特检验法对失效数据进行分布假设检验,利用贝叶斯定理估算低温度应力下无失效数据的威布尔分布参数。结果在正常工作情况下,结温为150℃时,该器件特征寿命为833 370h,10年平均失效率为1.2472×10-7/h,平均寿命为738 540 h,可靠度等于0.9时的可靠寿命为31年。结论该型器件在结温小于250℃时服从威布尔分布,结温为270℃时器件的失效机理已发生了变化,器件的各项可靠性指标满足使用要求。

C波段GaAs功率场效应晶体管可靠性快速评价技术

叙述了一种快速评价ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管的方法——高温加速寿命试验，利用该方法对Ｃ波段ＧａＡｓ功率场效应晶体管ＤＸ００１１进行可靠性评估。在偏置Ｖ＿（ＤＳ）＝８Ｖ，Ｉ＿（ＤＳ）＝３７５ｍＡ，沟道温度Ｔｃｈ＝１１０℃，１０年的失效率λ≈２７ＦＩＴ。其主要失效模式是Ｉ＿（ＤＳＳ）退化，激活能Ｅ＝１．２８ｅＶ。

通信卫星用GaAs微波场效应晶体管可靠性快速评价技术

叙述了一种快速评价ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管可靠性的方法， 利用该方法对ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管ＣＸ５６２

Si微波功率晶体管加速寿命试验夹具的设计

温度应力的加速寿命试验结果与所用夹具的耐温性及壳温的精确测量与控制直接相关。通过大量研究,发现一体式夹具在试验壳温提高到某一值时性能迅速劣化,因此设计符合高温下使用的分离式夹具是加速寿命试验顺利进行的必要条件。提供了两种加速寿命试验夹具的设计思路,并用于Si微波功率管加速寿命试验,通过步进应力试验和恒定应力试验,获取了该Si微波功率管加速寿命。分体夹具可耐受的试验温度在260℃以上,为加速寿命试验提供了温度应力的提升空间。

S波段GaN微波功率管脉冲射频加速寿命试验

Ga N微波功率管在基站通信等领域具有重要应用,其可靠性对相关设备的性能有直接影响。利用红外热像分析技术测量器件的峰值结温,基于专用射频加速老化试验系统,在频率为2.85 GHz、输入功率为40.5 d Bm、脉冲宽度为3 ms、占空比为30%的脉冲射频工作条件下,对S波段Ga N微波功率管进行了壳温为150℃的加速寿命试验。应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算,推导出该器件在壳温为90℃的工作条件下其平均失效时间可达2.97×106h。结果表明,采用此试验方法可以用来评估第三代Ga N微波功率器件的可靠性水平。