MOCVD生长的高质量掺碳GaAs/AlGaAs材料的特性研究

利用低压金属有机化合物汽相淀积方法，以液态ＣＣｌ４ 为掺杂源生长了高质量的碳掺杂ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ外延材料，研究了ＣＣｌ４ 流量、生长温度和Ⅴ／Ⅲ比等因素对外延材料中的碳掺杂水平的影响．采用电化学ＣＶ 方法、范德堡霍耳方法、低温光致发光谱和Ｘ射线双晶衍射回摆曲线测量等方法对碳掺杂外延材料的电学、光学特性进行了研究．实验制备了空穴浓度高达１．９×１０２０ｃｍ － ３的碳掺杂ＧａＡｓ 外延材料和低温光致发光谱半宽小于５ｎｍ 的高质量碳掺杂Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ 外延层．在材料研究的基础上，我们以碳为Ｐ型掺杂剂生长了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ应变量子阱９８０ｎｍ 大功率半导体激光器结构，并获得了室温连续工作１Ｗ 以上的光功率输出．