GaAs/AlGaAs多层膜刻蚀的陡直度

GaAs/AlGaAs多层膜的陡直度较大程度地关系到其实际应用效果,但在实际加工中较难控制,因此有必要研究刻蚀过程中一些主要因素对其陡直度的影响。结合具体工作情况,用AZ1500光刻胶作为掩模,GaAs/Al0.15Ga0.85As多层膜为刻蚀材料,分别使用湿法和干法对其进行刻蚀。湿法刻蚀的刻蚀剂为H3PO4+H2O2溶液,干法刻蚀采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀法,等离子体由Cl2+BCl3(蒸汽)混合气体电离形成。通过控制变量方法,发现湿法刻蚀中刻蚀剂配比和温度以及干法刻蚀中BCl3(蒸汽)流量对刻蚀陡直度的影响规律。由此得出,提高H3PO4所占比例和降低刻蚀温度虽然会降低刻蚀速率,但可以提高多层膜的陡直度;ICP刻蚀的陡直度优于湿法刻蚀,BCl3(蒸汽)的流量在一定范围内对刻蚀陡直度的影响较小。

透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层倒易点二维图分析

本文介绍了摇摆曲线和倒易点二维图在评价晶格完整性时的特点 ,分析了透射式Ga As光电阴极样品 Al Ga As/Ga As外延层的倒易点二维图 ,获得了晶面弯曲以及Al Ga As外延层中 Al组份变化等方面的信息 ,为优化外延工艺提供了可靠的保证 .

透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层X射线衍射摇摆曲线半峰宽研究

本文研究了晶体 X射线摇摆曲线半峰宽同其晶格完整性之间的关系 ,外延层之间

透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层在热应力作用下晶格弯曲的倒易点二维图研究

本文介绍了倒易点及其倒易点二维图的概念、倒易点形状及其倒易点二维图同晶格形变的关系 ,推导了热应力作用下双层膜发生弯曲的理论公式 ,阐明了晶格弯曲的原因和晶格倒易点二维图展宽的方向 ,分析了 Ga As光电阴极 Al Ga As/ Ga As外延层的实测倒易点二维图 ,最后提出了降低 Al Ga As/ Ga

透射式GaAs光电阴极AlGaAs窗层和GaAs光电发射层界面应变状况的X射线衍射研究

本文介绍了应变和弛豫的概念以及倒易点在倒易空间的分布 ,阐明了 Ga As光电阴极 Al Ga As窗层和 Ga As光电发射层界面应变状况的 X射线衍射的分析方法 ,最后给出了实例 .

透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层X射线衍射摇摆曲线研究

利用透射式 Ga As光电阴极 Al Ga As/ Ga As外延层的结构特点及其 X射线衍射摇摆曲线分析方法 ,解释了 Al Ga As/ Ga

透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层MOCVD过程中应变结构形成的研究

本文介绍了 Al Ga As/ Ga As外延层生长的应变状况的生长温度控制模型 ,并根据Al Ga As/ Ga As外延层 X射线衍射摇摆曲线的分析从实验上验证了 Al Ga As/ Ga

GaAs衬底上Mn/Sb多层铁磁膜的磁光克尔效应

利用超高真空电子束蒸发技术在 Ga As(10 0 )上生长 Mn/ Sb多层膜 ,并经短时间热退火处理分别研究了其退火前后的磁性、磁光克尔效应及相应规律 .退火前 Mn/ Sb膜在室温下即具有较强的铁磁特性 ,其易磁化轴在膜面内 ,样品表面由密集的岛状铁磁颗粒组成 ,未能观测到纵向 (H∥平面 )克尔效应 .经 35 0℃、2 0 m in退火的样品显示了最大饱和磁化强度 Ms和最小矫顽力 H c,X射线衍射测量表明膜为 Mn Sb单晶并具有均匀的铁磁特性 ,能观测到显著的极向和纵向磁光克尔效应 。

AlGaAs/GaAs多量子阱光激发载流子弛豫过程的研究

当激发光子能量大于多量子阱中势垒层的能带隙时,自由载流子同时可以在势垒层以及势阱层产生,对这些载流子的弛豫过程的研究不论对其基本的物理过程的认识,还是对新的光电子器件的研制和应用都有着重要的意义。 本文首先采用飞秒(10-15秒)饱和吸收光谱技术研究了Al0.3Ga0.7As（100?）/GaAs（60?）11层量子阱样品受激载流子的初始弛豫过程。飞秒激光脉冲是由对碰脉冲锁模环形染料激光器（CPM）产生的,脉冲的时间宽度为 58fs。

用X射线双晶衍射及低温光致发光研究MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料的均匀性

本文叙述了用X射线双晶衍射仪非平行(十、一)设置法,测量用分子束外延(MBE)法在GaAs(001)面上生长的量子阱(QW)材料表面各点的回摆曲线。结果表明,松弛状态下晶体表面不同位置上各点的晶格失配、应力以及外延层铝含量分布是不均匀的,这与用低温光致发光(PL)光谱测量的组分均匀性的结果有较好的一致性。实验表明,在工艺相同的条件下,采用MBE生长有超晶格过渡层的GaAs/AlGaAs量子阱材料,提高了外延层的均匀性。

高组份Al值的Al_xGa_(1-x) As和Al_xGa_(1-x) As/GaAs/Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层结构的MOCVD生长

用自制常压MOCVD系统,在半绝缘GaAs衬底上生长高Al组份Al_xGa_(1-x)As(其x值达0.83),和Al_xGa_(1-x)As/GaAs/Al_xGa_(1-x)As/GaAs多层结构,表面镜面光亮。生长层厚度从几十到十几μm可控,测试表明外延层晶格结构完整,x值调节范围宽,非有意掺杂低,高纯GaAs外延层载流子浓度n_(300K)=1.7×10^(15)cm^(-3),n_(77K)=1.4×10^(15)cm^(-3),迁移率μ_(300K)=5900cmcm^2/V.S,μ_(77K)=55500cm^2/V.S。用电子探针,俄歇能谱仪测不出非有意掺杂的杂质,各层间界面清晰平直。 对GaAs,AlGaAs生长层表面缺陷,衬底偏角生长温度及其它生长条件也进行了初步探讨。

GaAs/AlAs/GaAs氧化前后的微结构表征

研究了GaAs/AlAs/GaAs三层膜氧化前后成分和微结构的变化。对GaAs/AlAs/GaAs利用横向氧化的方式得到了GaAs/Al2 O3/GaAs薄膜 ,利用X射线小角反射和高角衍射技术进行了微结构表征。结果表明 ,氧化前GaAs/AlAs/GaAs结构中 ,AlAs层与表面GaAs之间存在着一层110 的均匀过渡层。AlAs层分成厚度为 4 0 和 10 5 0 的两层 ,而 4 0 厚的AlAs层的平均原子密度比 10 5 0 厚的减小。利用横向氧化的方式使得AlAs完全氧化为Al2 O3,而且与氧化前相比 ,其过渡层的厚度与粗糙度均减小。

(112)面CdTe/Cd_(1-y)Zn_yTe,Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe和CdTe/GaAs异质结的方向倾斜

用 X射线双晶衍射 ( XDCD)法测得分子束外延 ( MBE)法生长的 Cd Te/ Cd0 .959Zn0 .0 4 1 Te( 112 ) B异质结的倾斜角为 0 .2 185°,而且朝 [1- 1- 1]晶体学方向倾斜 .为了获得较精确的倾斜角值 ,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δθ与绕样品表面法线旋转的角度 之间的准正弦函数 .为高分辨率透射电子显微镜 ( HRTEM)分析制备了 MBE法生长的 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As( 1- 12 ) B多层异质结的横截面薄膜 .Cd Te/ Ga As异质结的 HRTEM明场象表明 Cd Te( 1- 12 )缓冲层相对于 Ga As( 1- 12 )衬底朝 [1- 11- ]方向倾斜约 3°,并且在 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te异质结 ,Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te( 1- 12 )外延膜相对于 Cd Te( 1- 12 )缓冲层在 [11- 1]方向 ,即 [1- 11- ]的反方向倾斜约 1°.也分析了 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As多层膜之间的倾斜角关系 .

利用XPS研究紫外光激发下GaAs晶片表面氧化反应

本文用XPS分析紫外光激发氧化反应后砷化镓表面的化学组成和氧化层厚度。发现,紫外光激发下,GaAs表面生成氧化膜,同时清除表面污染碳。氧化膜中的镓砷比可以与基体完全保持一致。用此方法获得具有一定的化学稳定性的,适合于器件制备的钝化层。发现紫外光激发的砷化镓表面氧化反应的实质是光催化反应。用“紫外光/臭氧处理法”处理的GaAs晶片。

准连续17kW808nm GaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵

高功率激光二极管列阵广泛应用于抽运固体激光器。报道了 17kWGaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵的设计、制作过程和测试结果。为了提高器件的输出功率 ,一方面采用宽波导量子阱外延结构 ,降低腔面光功率密度 ,提高单个激光条的输出功率 ,通过金属有机物化学气相沉积 (MOCVD)方法进行材料生长 ,经过光刻、金属化、镀膜等工艺制备 1cm激光条 ,填充密度为 80 % ,单个激光条输出功率达 10 0W以上 ;另一方面器件采用高密度叠层封装结构 ,提高器件的总输出功率 ,实现了 16 0个激光条叠层封装 ,条间距 0 5mm。经测试 ,器件输出功率达 17kW ,峰值波长为 80 7 6nm ,谱线宽度为 4 9nm。

准连续5kW叠层激光二极管列阵

报导了 5kWGaAs/AlGaAs叠层激光二极管列阵的制作过程和测试结果。通过金属有机物化学气相沉积方法实现分别限制单量子阱结构。 1cm激光条的填充密度是70 %。采用 80个激光条叠层封装 ,激光条间距是 0 5mm ,功率密度达 1 2 5kW /cm2 ,峰值波长是 80 9 0nm ,谱线宽度是 4 8nm。