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GaAs/GaAlAs单量子阱电光吸收和光调制 被引量:1
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作者 朱龙德 能飞克 +3 位作者 王启明 陈正豪 谢苑林 顾世杰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期202-209,共8页
制作并研究了GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱台面条形单模波导电致吸收光调制器。量子阱宽度为100A,长度为700μm的器件,当传输光波长为8650A时TE偏振最大调制深度(开关比)为29.7dB,插入损耗吸收分量为3dB;TM偏振最大调制深度为28.5dB。... 制作并研究了GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱台面条形单模波导电致吸收光调制器。量子阱宽度为100A,长度为700μm的器件,当传输光波长为8650A时TE偏振最大调制深度(开关比)为29.7dB,插入损耗吸收分量为3dB;TM偏振最大调制深度为28.5dB。用2V电压幅度可以得到15dB的开关比。光电导谱的测量表明,偏压从+0.5V变到-7V时吸收边的红移为600A,即量子阱中室温激子的共振吸收峰移动了96meV。单阱高场条件下首次观察到了导带第二能级电子和价带第一能级空穴间激子的共振吸收线的出现,增强和移动。 展开更多
关键词 gaas/gaalas 量子讲 电光吸收 调制
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GaAs/GaAlAs单量子阱光调制器电学行为
2
作者 周洁 封松林 +1 位作者 卢励吾 孙景兰 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期65-68,共4页
利用导纳谱研究了GaAs/GaAlAs单量子阱光调制器的电学行为,观察到了量子阱中电子或空穴子能带的“场致去局域化”
关键词 量子阱 导纳谱 子能带 光调制器
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新型GaAs/GaAlAs非对称量子阱红外光电导探测器
3
作者 史衍丽 邓军 +2 位作者 杜金玉 沈光地 尹洁 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期269-272,共4页
提出一种新型 Ga As/ Ga Al As子带间光吸收的红外光电导探测机理 ,利用 MOCVD系统进行器件材料的生长 ,研制了 2 0 0μm× 2 0 0μm的台面形式单管 ,测到了明显的红外光电流信号及阱间共振遂穿效应造成的负阻震荡现象 ,对器件的性... 提出一种新型 Ga As/ Ga Al As子带间光吸收的红外光电导探测机理 ,利用 MOCVD系统进行器件材料的生长 ,研制了 2 0 0μm× 2 0 0μm的台面形式单管 ,测到了明显的红外光电流信号及阱间共振遂穿效应造成的负阻震荡现象 ,对器件的性能测试结果表明 ,器件的光电流响应和信噪比随着阱数增加而增加 ,器件噪声比常规 Ga As/ Ga Al 展开更多
关键词 gaalas 非对称量子阱 红外探测器 砷化镓
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GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力特性分析
4
作者 闫金良 赵银女 朱长纯 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期252-254,共3页
  Ga As/ Ga Al As 透射式光电阴极的分辨力是第3 代微光像增强器的重要参数之一。从简化的二维扩散方程推导了 Ga As/ Ga Al As 透射式阴极的调制传递函数( Fm ,t) ,计算了2 μm 厚 Ga As 阴...   Ga As/ Ga Al As 透射式光电阴极的分辨力是第3 代微光像增强器的重要参数之一。从简化的二维扩散方程推导了 Ga As/ Ga Al As 透射式阴极的调制传递函数( Fm ,t) ,计算了2 μm 厚 Ga As 阴极层的 Ga As/ Ga Al As 透射阴极的理论分辨力特性曲线,并讨论了它与若干参数的关系。据此得出在设计 Ga As/ Ga Al As 透射式光电阴极时应主要考虑最大量子效率,分辨力的损失并不限制系统的性能。 展开更多
关键词 成像器件 gaas/gaalas光电阴极 分辨力 量子效率 第3代像增强器
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一种GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱锁相列阵激光器
5
作者 朱龙德 G.A.B.Feak +2 位作者 J.M.Ballantyne D.K.Wagner P.L.Tihanyi 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第10期799-804,共6页
本文描述一种由MOCVD生长的GaAs/GaAlAs 分别限制单量子阱片子制作的锁相列阵大功率激光器.由十个单横模器件耦合而成的列阵器件,其阈值电流为67mA,线性输出功率大于500mW,微分量子效率达60%.列阵器件由强耦合区和弱耦合区构成,考察了... 本文描述一种由MOCVD生长的GaAs/GaAlAs 分别限制单量子阱片子制作的锁相列阵大功率激光器.由十个单横模器件耦合而成的列阵器件,其阈值电流为67mA,线性输出功率大于500mW,微分量子效率达60%.列阵器件由强耦合区和弱耦合区构成,考察了强耦合区的几何结构对耦合模即输出远场分布的影响. 展开更多
关键词 MOCVD gaalas 锁相列阵 激光器
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GaAlAs/GaAs量子阱结构的光致发光研究 被引量:1
6
作者 宋晓伟 李梅 +1 位作者 高欣 李军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期274-277,共4页
阐述了用MOCVD 生长的GaAlAs/GaAs 梯度折射率分别限制量子阱结构及其光学性质. 样品经高分辨率光致发光(PL)测试显示, 在10K 下对于8nm 的单量子阱, 通过激发产生的荧光光谱半峰宽(FWHM)为6.2n... 阐述了用MOCVD 生长的GaAlAs/GaAs 梯度折射率分别限制量子阱结构及其光学性质. 样品经高分辨率光致发光(PL)测试显示, 在10K 下对于8nm 的单量子阱, 通过激发产生的荧光光谱半峰宽(FWHM)为6.2nm , 同时具有较高的强度. 表明量子阱结构具有陡峭的界面; 另外还观察到, X(e-hh)峰值位置相对于激发能级的移动. 测试结果表明, 样品质量符合设计要求, 结果令人满意. 展开更多
关键词 量子阱 光致发光 镓铝砷 砷化镓
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GaAs/GaAlAs透射式光电阴极的分辨力特性分析
7
作者 闫金良 《应用光学》 CAS CSCD 1998年第5期17-20,共4页
从简化的二维扩散方程出发,推导GaAs/GaAlAs透射式阴极的调制传递函数表达式,计算2μm厚GaAs阴极层的GaAs/GaAlAs透射阴极的理论分辨力特性曲线,并讨论它与若干参数的关系。
关键词 gaas/gaalas透射式光电阴极 分辨力 量子效率 三代像增强器 二维扩散方程
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Resolution Characteristics of GaAs/GaAlAs Transmission Photocathode
8
作者 YAN Jin-liang,ZHAO Yin-nu,ZHU Chang-chun (School of Electron. & Inform.Eng.,Xi’an Jiaotong University,Xi’an 710049,CHN) 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 1999年第2期96-100,共5页
The resolution characteristic of GaAs/GaAlAs transmission photocathode is an important parameter in third generation intensifiers. The modulation transfer function of GaAs/GaAlAs transmission photo... The resolution characteristic of GaAs/GaAlAs transmission photocathode is an important parameter in third generation intensifiers. The modulation transfer function of GaAs/GaAlAs transmission photocathode is derived from a simple two-dimensional diffusion equation. The theoretical resolution characteristic of a 2 μm thick GaAs/GaAlAs transmission photocathode is calculated. The relationship between resolution and parameters in GaAs/GaAlAs transmission photocathode is discussed. A conclusion is shown that one can design the GaAs/GaAlAs transmission photocathode for maximum quantum efficiency, since the sacrifice in the resolution doesn't limit system performances. 展开更多
关键词 gaas/gaalas Photocathode quantum Yield RESOLUTION Third Generation Intensifier CLC number:TN383.4 Document code:A
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In原子掺入对GaInNAs/GaAs单量子阱光致发光的影响 被引量:1
9
作者 王志路 张志伟 孙宝权 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期151-155,共5页
研究了In掺入GaNAs/GaAs单量子阱对其带间和低于带边发光性质的影响。实验结果显示 ,随着In浓度的增加 ,GaInNAs/GaAs量子阱带间发光得到改善 ,低于带边的发光强度大大地减小。这是由于GaIn NAs合金生长在GaAs衬底上 ,为补偿In和N原子... 研究了In掺入GaNAs/GaAs单量子阱对其带间和低于带边发光性质的影响。实验结果显示 ,随着In浓度的增加 ,GaInNAs/GaAs量子阱带间发光得到改善 ,低于带边的发光强度大大地减小。这是由于GaIn NAs合金生长在GaAs衬底上 ,为补偿In和N原子尺度的差异 ,N原子更倾向于与In原子形成共价健。GaInNAs/GaAs单量子阱的光调制光谱证实了高能端发光峰来自本征的带边发光。 展开更多
关键词 量子阱 低于带边发光 本征发光 光致发光 半导体
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应变In_(0.20)Ga_(0.80)As/GaAs单量子阱结构的光谱研究
10
作者 沈文忠 唐文国 沈学础 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期11-17,共7页
报道了用光致发光光谱、吸收光谱和光电流谱研究具有相同组分和阱宽、不同覆盖层厚度的应变In0.20Ga0.80As/GaAs单量子阱结构的实验结果.结合理论计算,观察到GaAs覆盖层厚度对单量子阱结构的材料质量、应力驰... 报道了用光致发光光谱、吸收光谱和光电流谱研究具有相同组分和阱宽、不同覆盖层厚度的应变In0.20Ga0.80As/GaAs单量子阱结构的实验结果.结合理论计算,观察到GaAs覆盖层厚度对单量子阱结构的材料质量、应力驰豫和发光淬灭机制的影响,确定了各样品的应变值和导带不连续因子Qc(为0.70±0.05)。 展开更多
关键词 光谱 单量子阱 光致发光 INgaas 砷化镓
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808nm高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器
11
作者 张素梅 赵世舜 +1 位作者 石英学 石家纬 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期177-180,共4页
 设计并研制了一种将p n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW RJH)激光器,其发射波长为808nm,腔长为900μm,条宽为100μm。其外延结构与通常的808nmAlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同,在p n结和有源区间...  设计并研制了一种将p n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW RJH)激光器,其发射波长为808nm,腔长为900μm,条宽为100μm。其外延结构与通常的808nmAlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同,在p n结和有源区间多了一层0.3μm厚的p型Al0.3Ga0.7As下波导层。对研制的器件进行了电导数测试,结果显示,与常规AlGaAs/GaAs大功率半导体激光器相比,远结半导体激光器具有阈值电流偏大、导通电压偏高的直流特性。经4200h的恒流电老化结果表明,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降,输出功率随老化时间缓慢上升的远结特性。 展开更多
关键词 高功率 远结 单量子阱 ALgaas/gaas
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高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性
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作者 张素梅 石家纬 +1 位作者 赵世舜 胡贵军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期267-271,共5页
为了提高器件的可靠性和使用寿命 ,设计并研制了一种将p n结和有源层分开的高功率AlGaAs GaAs单量子阱远异质结 (SQW RJH)激光器 ,发射波长为 80 8nm ,腔长 90 0 μm ,条宽 1 0 0 μm ,其外延结构与通常的 80 8nmAlGaAs GaAs单量子阱半... 为了提高器件的可靠性和使用寿命 ,设计并研制了一种将p n结和有源层分开的高功率AlGaAs GaAs单量子阱远异质结 (SQW RJH)激光器 ,发射波长为 80 8nm ,腔长 90 0 μm ,条宽 1 0 0 μm ,其外延结构与通常的 80 8nmAlGaAs GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同 ,在p n结和有源区间多了一层p型AlGaAs层 ,其厚度约为 0 1 μm。为减小衬底表面位错对外延层质量的影响 ,在n+ GaAs衬底和n Al0 5Ga0 5As下包层间加一层n+ GaAs缓冲层。对器件进行了电导数测试及恒流电老化实验。与常规AlGaAs GaAs大功率半导体激光器相比 ,远结大功率半导体激光器具有阈值电流Ith偏大、导通电压Vth偏高的直流特性。 30 0 0h的恒流电老化结果表明 ,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降 。 展开更多
关键词 高功率半导体激光器 远结 单量子阱 ALgaas/gaas
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InAs/GaAs量子点1.3μm单光子发射特性
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作者 张志伟 赵翠兰 孙宝权 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第23期219-225,共7页
采用双层耦合量子点的分子束外延生长技术生长了InAs/GaAs量子点样品,把量子点的发光波长成功地拓展到1.3μm.采用光刻的工艺制备了直径为3μm的柱状微腔,提高了量子点荧光的提取效率.在低温5 K下,测量得到量子点激子的荧光寿命约为1 ns... 采用双层耦合量子点的分子束外延生长技术生长了InAs/GaAs量子点样品,把量子点的发光波长成功地拓展到1.3μm.采用光刻的工艺制备了直径为3μm的柱状微腔,提高了量子点荧光的提取效率.在低温5 K下,测量得到量子点激子的荧光寿命约为1 ns;单量子点荧光二阶关联函数为0.015,显示单量子点荧光具有非常好的单光子特性;利用迈克耳孙干涉装置测量得到单光子的相干时间为22 ps,对应的谱线半高全宽度为30μeV,且荧光谱线的线型为非均匀展宽的高斯线型. 展开更多
关键词 INAS/gaas量子点 1.3μm 单光子发射
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在(311)面上所生长的Al_xGa_(1-x)As/GaAs单量子阱特性
14
作者 张福甲 虎志明 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期129-134,共6页
文章报道了用分子束外延(MBE)法在600℃和650℃下,在Si掺杂的GaAs衬底的(311)A和(311)B面上成功地生长了高质量的AlxGa1-As/GaAs单量子阱材料。计算了光荧光(PL)峰值能量,并与实验作... 文章报道了用分子束外延(MBE)法在600℃和650℃下,在Si掺杂的GaAs衬底的(311)A和(311)B面上成功地生长了高质量的AlxGa1-As/GaAs单量子阱材料。计算了光荧光(PL)峰值能量,并与实验作了比较。讨论了(311)A和(311)B面上的不同生长特性。 展开更多
关键词 单量子阱 特性 砷化镓(311)面
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MBE生长InGaAs/GaAs应变层单量子阱激光器结构材料的研究
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作者 林耀望 《半导体情报》 1994年第3期1-5,共5页
采用VarianGenⅡMBE生长系统研究了InGaAs/GaAs应变层单量子阶(SSQW)激光器结构材料。通过MBE生长实验,探索了In_xGa_(1-x)tAs/GaAsSSQW激光器发射波长(λ)与In组分(x... 采用VarianGenⅡMBE生长系统研究了InGaAs/GaAs应变层单量子阶(SSQW)激光器结构材料。通过MBE生长实验,探索了In_xGa_(1-x)tAs/GaAsSSQW激光器发射波长(λ)与In组分(x)和阱宽(L_z)的关系,并与理论计算作了比较,两者符合得很好。还研究了材料生长参数对器件性能的影响,主要包括:Ⅴ/Ⅲ束流比,量子阱结构的生长温度T_g(QW),生长速率和掺杂浓度对激光器波长、阈值电流密度、微分量子效率和器件串联电阻的影响。以此为基础,通过优化器件结构和MBE生长条件,获得了性能优异的In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层单量子阱激光器:其次长为963nm,阈值电流密度为135A/cm ̄2,微分量子效率为35.1%。 展开更多
关键词 分子束外延 量子阱激光器 激光材料
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Single-mode GaAs/AlGaAs quantum cascade microlasers
16
作者 高瑜 刘俊岐 +6 位作者 刘峰奇 张伟 张全德 刘万峰 李路 王利军 王占国 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期55-58,共4页
Single-mode edge emitting GaAs/AlGaAs quantum cascade microlasers at a wavelength of about 11.4μm were realized by shortening the Fabry-Perot cavity length. The spacing of the longitudinal resonator modes is inversel... Single-mode edge emitting GaAs/AlGaAs quantum cascade microlasers at a wavelength of about 11.4μm were realized by shortening the Fabry-Perot cavity length. The spacing of the longitudinal resonator modes is inversely proportional to the cavity length. Stable single-mode emission with a side mode suppression ratio of about 19 dB at 85 K for a 150-μm-long device was demonstrated. 展开更多
关键词 quantum cascade lasers gaas/ALgaas single-mode emission short cavity length
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势阱形状对电场下量子阱子带和激子能移的影响 被引量:2
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作者 朱嘉麟 唐道华 +1 位作者 顾秉林 熊家炯 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第8期565-575,共11页
在束缚态近似下,用级数解法求解电场下各种不同形状GaAs/GaAlAs量子阱中电子和空穴子带,进一步采用变分方法得到激子结合能.由此,我们首次得到电场下由抛物阱至方位阱子带和激子峰能移的变化图象.在考虑GaAs/GaAlAs量子阱形状影响的基础... 在束缚态近似下,用级数解法求解电场下各种不同形状GaAs/GaAlAs量子阱中电子和空穴子带,进一步采用变分方法得到激子结合能.由此,我们首次得到电场下由抛物阱至方位阱子带和激子峰能移的变化图象.在考虑GaAs/GaAlAs量子阱形状影响的基础上,我们计算所得结果与实验吻合得很好. 展开更多
关键词 量子阱 激子 gaas gaa/As
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InGaAs/GaAs应变量子阱的发光特性研究 被引量:2
18
作者 戴银 李林 +7 位作者 苑汇帛 乔忠良 孔令沂 谷雷 刘洋 李特 曲轶 刘国军 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期342-347,共6页
利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW),通过改变生长速率、优化生长温度和V/III比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性。测试结果表明,当生长温度为600℃、生长速率为1.15μm/h时,生长的量子阱P... 利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW),通过改变生长速率、优化生长温度和V/III比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性。测试结果表明,当生长温度为600℃、生长速率为1.15μm/h时,生长的量子阱PL谱较好,增加V/III比能够提高量子阱的发光强度。实验分析了在不同的In气相比条件下,生长速率对量子阱质量的影响,利用模型解释了高In气相比时,随着生长速率增加PL谱蓝移现象消失的原因。 展开更多
关键词 薄膜 金属有机化学气相沉积 Ingaas/gaas单量子阱 生长速率 生长温度 光致发光
原文传递
单量子阱GaAs/AlGaAs半导体激光器 被引量:1
19
作者 曹三松 C.Wüthrich +1 位作者 J.-D.Ganiére F.K.Reinhart 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第6期413-416,共4页
本文介绍了用分子束外延法制作的梯度折射率分别限制式单量子阱GaAs/AlGaAs半导体激光器。该器件具有较低的阈值电流密度和单模运转特性,连续输出功率可达55mw。
关键词 单量子阱 分子束外延 半导体激光器
原文传递
LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器
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作者 李忠辉 张宝顺 +2 位作者 杨进华 张兴德 王向武 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期232-235,共4页
设计并利用LP-MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构,采用无铝的InGaP做光学包层。腔面未镀膜情况下,测试10支条宽100μm,腔长1mm的激光器样品,连续输出功率超过1W,阈值电流密度为330~490A/cm2,外微分量子效率为55%~7... 设计并利用LP-MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构,采用无铝的InGaP做光学包层。腔面未镀膜情况下,测试10支条宽100μm,腔长1mm的激光器样品,连续输出功率超过1W,阈值电流密度为330~490A/cm2,外微分量子效率为55%~78%,中心发射波长为(808±3)nm。 展开更多
关键词 LP-MOCVD INgaasP/gaas 量子阱激光器
原文传递
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