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硅基GaAs／GaAlAs平面光波导的研究 被引量：1
1
作者 赵策洲 朱作云 +3 位作者 李跃进 刘恩科 李国正 刘西钉 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期221-223,共3页
分析了金属有机化合物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ／Ｓｉ材料结构的性能，用ＭＯＣＶＤ法在硅衬底上生长了ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ材料，并用这种材料制备了平面光波导样品，测出１．３μｍ... 分析了金属有机化合物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ／Ｓｉ材料结构的性能，用ＭＯＣＶＤ法在硅衬底上生长了ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ材料，并用这种材料制备了平面光波导样品，测出１．３μｍ单模激光的传输损耗小于０．６５ｄＢ／ｃｍ． 展开更多
关键词 gaasAl mocvd 光波导 砷化镓
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