MBE GaAs/GaP(001)异质外延层结构参数的X射线双晶衍射研究

本文利用X射线双晶衍射方法,研究了分子束外延(MBE)GaAs/CaP(001)异质外延层的结构参数——晶格常数、晶胞体积.根据X射线衍射动力学理论和运动学理论分别对双晶衍射摇摆曲线的峰角位置进行了修正,二者吻合很好.修正后的结果表明:X射线双晶衍射测量中会引入一定的晶胞体积缩小量,修正后外延层的晶胞体积略大于自由状态GaAs单晶的晶胞体积,这里根据Poisson关系对 GaAs/GaP外延层晶胞体积的增大进行了解释.

MBE GaAs/GaP(001)外延层的光学和结构性质

利用光荧光和x射线双晶衍射分析方法,研究了MBE GaAs/GaP(001)外延层的能带结构和晶格参数。在外延层厚度大于监界厚度的情况下,GaAs外延层主要受到热膨胀系数不同所引起的张应力作用,这种双轴张应力使其晶格参数和能带结构发生变化。