1
|
GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究 |
陈小红
陈松岩
张玉清
林爱清
陈丽容
邓彩玲
|
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
|
2002 |
0 |
|
2
|
在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用 |
邢启江
徐万劲
武作兵
|
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2001 |
0 |
|
3
|
MOCVD法生长HgCdTe/CdTe/GaAs多层异质材料的特性研究 |
陈记安
杨臣华
丁永庆
彭瑞伍
|
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
|
1990 |
2
|
|
4
|
基于MOCVD的InP/GaAs异质外延生长 |
周静
王琦
熊德平
蔡世伟
黄辉
黄永清
任晓敏
|
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2007 |
0 |
|
5
|
MOCVD法生长HgCdTe/CdTe/GaAs多层异质材料工艺研究 |
丁永庆
彭瑞伍
陈记安
杨臣华
|
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
|
1990 |
0 |
|
6
|
氯化物法生长InP/GaAs异质结构的研究 |
张宝林
刘明登
|
《吉林大学研究生论文集刊》
|
1990 |
0 |
|
7
|
ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变 |
郭子政
梁希侠
班士良
|
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2002 |
1
|
|
8
|
硅基外延GaAs材料的力学仿真分析 |
唐军
郭浩
刘俊
赵锐
|
《传感器与微系统》
CSCD
北大核心
|
2012 |
0 |
|
9
|
MOCVD生长A1_xGa_(1-x)P/GaAs异质外延层的结晶完整性初探 |
张兆春
黄柏标
崔得良
秦晓燕
蒋民华
|
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2000 |
0 |
|
10
|
分子束外延GaAs/Si异质结的生长和研究 |
钟战天
杨鸿展
金维新
|
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
|
1989 |
0 |
|
11
|
图案化GaAs衬底外延InP局域表面成核层生长 |
戚永乐
张瑞英
张震
王岩岩
朱健
孙玉润
赵勇明
董建荣
王庶民
|
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
2015 |
0 |
|
12
|
集电区阶梯缓变InGaAsP层的具有超高f_(max)、f_T的双异质结双极晶体管 |
焦智贤
|
《半导体情报》
|
1995 |
0 |
|
13
|
InP基异质结材料及其在光电器件中的应用 |
张桂成
|
《半导体杂志》
|
1991 |
0 |
|
14
|
GaAs/Si异质结构器件的进展 |
宋登元
|
《半导体杂志》
|
1992 |
0 |
|
15
|
硅上异质外延材料和器件的研究动向 |
宋登元
|
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
|
1991 |
2
|
|
16
|
InGaAs/InGaAsP/InP等异质结构体材料最窄能带隙的实验确定 |
丁国庆
|
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2000 |
1
|
|
17
|
GaAs、GaP、InP等Ⅲ—Ⅴ族化合物的最新动向 |
藤田庆一郎
芦云蓉
|
《微纳电子技术》
|
1978 |
0 |
|
18
|
国内外异质结双极晶体管及其应用 |
盛柏桢
|
《微电子技术》
|
1999 |
0 |
|
19
|
基于低温In_xGa_(1-x)P组分渐变缓冲层的InP/GaAs异质外延 |
刘红兵
王琦
任晓敏
黄永清
|
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2009 |
1
|
|
20
|
异质结晶体管的设计与性能 |
苏里曼
|
《固体电子学研究与进展》
CAS
|
1987 |
1
|
|