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MOCVD GaAs/Si兼容技术及其应用
被引量:
1
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作者
杨从光
庄庆德
《微电子学》
CAS
1988年第5期19-32,共14页
本文着重论述用MOCVD方法生长GaAs/Si的工艺技术及存在的问题。
关键词
MOVCVD
gaas/si兼容
gaas
si
下载PDF
职称材料
题名
MOCVD GaAs/Si兼容技术及其应用
被引量:
1
1
作者
杨从光
庄庆德
机构
南京工学院
出处
《微电子学》
CAS
1988年第5期19-32,共14页
文摘
本文着重论述用MOCVD方法生长GaAs/Si的工艺技术及存在的问题。
关键词
MOVCVD
gaas/si兼容
gaas
si
Keywords
MOCVD
gaas/
si
compatibility
gaas
si
分类号
TN3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
MOCVD GaAs/Si兼容技术及其应用
杨从光
庄庆德
《微电子学》
CAS
1988
1
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