Self-Starting Passively Mode-Locking All-Solid-State Laser with GaAs Absorber Grown at Low Temperature

我们由把新奇 GaAs 镜子用作吸收器和产量 coupler 认识到稳定的自我开始的消极地锁模式的 all-solid-statelaser。GaAs 镜子被金属的技术种在低温度的器官的化学蒸汽免职。与这一 absorb 时代在激光共鸣器的产量 coupler，有 42ps 的持续时间的激光脉搏以 400MHz 的重复率被产生，相应于 590mW 的平均力量。

1.31μm垂直腔面发射激光器材料生长及其物理特性

采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技术将生长在InP基上的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱结构组装到GaAs衬底上生长的DBR结构上,对其微结构和发光等特性进行了比较系统的研究.发现500～620℃的高温键合过程和后续的剥离工艺不仅没有引起量子阱发光效率的降低,反而由于键合过程中的退火改进了晶体质量,大大提高了量子阱的发光强度,其中620℃退火处理后的光致发光强度是原生样品的3倍.