太赫兹GaAs肖特基二极管模型建立与仿真

太赫兹肖特基二极管的建模是设计太赫兹倍频器的首要任务,模型建立准确与否关系着太赫兹倍频器的整体性能。根据GaAs半导体掺杂理论给出二极管n层和n++层的电导率,通过低频仿真并结合经验公式给出R s值。在此基础上对二极管的整体模型进行分离管芯,把二极管的线性区和管芯的非线性区分别放到HFSS软件和ADS软件中进行仿真,将线性区仿真的S参数导入到ADS软件中构成完整的模型。建立好的完整模型进行188 GHz二次倍频仿真验证,输出结果对奇次谐波抑制明显,倍频损耗为5 dB。

基于TRL的3mm波段变容二极管对建模方法

本文在商用变容二极管的简化电路模型基础上,对非线性肖特基结和周围的无源结构进行了基于石英介质的TRL去嵌入建模分析,在考虑二极管无源区和封装环境各种寄生参量情况下,建立了精确的3mm波段二极管对电路模型.采用TRL算法,通过拟合初始二极管S参数曲线和TRL测试参数确定芯片电路模型中各集总参数元件数值.二极管对在片各项测试结果和基于改进的电路模型仿真结果相吻合.该二极管对电路模型建模方法可应用于毫米波亚毫米波混频倍频电路的准确分析与设计.