GaAs叠层电池芯片接收器的表面贴装工艺研究

对GaAs叠层电池芯片接收器的表面贴装制备工艺进行了研究,针对包括丝网印刷、DCB贴片、回流焊在内的工艺进行了优化。采用优化后的工艺进行了GaAs叠层电池芯片接收器实际制备,然后开展了3D-X-ray测试和空洞率计算。研究证明,通过对表面贴装工艺各步骤的优化,95%的GaAs叠层电池芯片接收器空洞率小于5%,为提高实际生产中的芯片接收器质量和最终的聚光光伏系统效率提供了表面贴装工艺方面的优化改进参考。

用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的MOVPE外延材料

采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高转换效率达到23.8%(AMO,25℃)。

基于GaAs系高效叠层太阳能电池的聚光光伏系统技术

以GaAs系高效叠层太阳能电池的技术背景和特点为基础,介绍了基于GaAs系高效叠层太阳能电池的聚光光伏(CPV)系统的基本结构、工作原理以及技术现状,并对聚光光伏系统的发展前景进行了论述。

太阳能电池技术研究

介绍了第1代晶硅和第2代薄膜太阳能电池的发展状况,阐述了第3代GaAs叠层太阳能电池的基本原理、技术现状以及基于GaAs叠层电池的聚光光伏发电系统的技术优点和发展前景。

两端子Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池串联的光伏特性

Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物及其合金的多结太阳电池(重点是GaInP/GaAs叠层电池)有多种直接带隙材料可供选择,因为是直接带隙,其吸收系数高,吸收范围为1~2eV,非常适宜于太阳电池。本文将要建立串联的、两端子的、两结器件模型,并在该模型下对光谱、温度方面的依赖特性进行了分析,讨论其性能,重点做了如何选择带隙和预测相应结构的效率,为多结串联器件的定量理解及定量设计提供基础。虽然重点是两结电池,某些地方也讨论了三结器件GaInP/GaAs/Ge,因为它的技术在空间应用商业化上特别成功。