GaAs叠层电池芯片接收器的表面贴装工艺研究

对GaAs叠层电池芯片接收器的表面贴装制备工艺进行了研究,针对包括丝网印刷、DCB贴片、回流焊在内的工艺进行了优化。采用优化后的工艺进行了GaAs叠层电池芯片接收器实际制备,然后开展了3D-X-ray测试和空洞率计算。研究证明,通过对表面贴装工艺各步骤的优化,95%的GaAs叠层电池芯片接收器空洞率小于5%,为提高实际生产中的芯片接收器质量和最终的聚光光伏系统效率提供了表面贴装工艺方面的优化改进参考。

GaInP_2/GaAs/Ge叠层太阳电池材料的低压MOCVD外延生长

本文采用自制的 L P-MOCVD设备 ,外延生长出 Ga In P2 / Ga As/ Ge叠层太阳电池结构片 ,对电池材料进行了 X射线衍射测试分析 .另外 ,采用二次离子质谱仪测试了电池结构的剖面曲线 .用此材料做出的叠层太阳电池 ,AMO条件下光电转换效率 η=1 3 .6% ,开路电压 Voc=2 2 3 0 m V,短路电流密度 Jsc=1 2 .6m A/ cm2 .

用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的MOVPE外延材料

采用金属有机化合物气相淀积(MOVPE)技术生长用于GaInP/GaAs双结叠层太阳电池的外延材料。针对材料生长中的隧穿结、p-AlInP层等关键问题,通过对掺杂剂、生长技术及条件的调整与改进,极大地提高了GaInP/GaAs双结叠层太阳电池性能,最高转换效率达到23.8%(AMO,25℃)。

GaAs叠层太阳能电池技术的研究现状及发展趋势

本文介绍了GaAs作为太阳能电池材料的特点以及GaAs叠层太阳能电池的结构、性能等,叙述了GaAs叠层太阳能电池的研究现状及最新进展,讨论和分析了GaAs叠层太阳能电池的发展趋势。

基于GaAs系高效叠层太阳能电池的聚光光伏系统技术

以GaAs系高效叠层太阳能电池的技术背景和特点为基础,介绍了基于GaAs系高效叠层太阳能电池的聚光光伏(CPV)系统的基本结构、工作原理以及技术现状,并对聚光光伏系统的发展前景进行了论述。

高效GaAs/Si叠层电池设计优化

模拟一种高效GaAs/Si两结叠层电池结构,将硅材料作为叠层电池的一个底电池利用起来,拓展光谱吸收.分别讨论了隧穿结和子电池对叠层电池的影响,结果表明薄的GaAs隧穿结可以获得高效率的叠层电池,1.05μm厚的顶电池基区是子电池电流匹配的最优条件,厚的底电池有助于叠层电池效率的提高.优化后的叠层电池在一个太阳,AM 1.5G光照条件下,效率可达到43.86%,其相应的开路电压Voc=1.76V,短路电流密度Jsc=28.64mA/cm2,填充因子FF=87.25%,该设计为硅基高效太阳能电池的制备提供理论参考.

IMEC采用机械叠层方式制造出GaAs/Ge多结太阳能电池

IMEC已经成功的采用机械叠层的方法在锗电池上集成了GaAs电池，朝转化效率高于40％的三结太阳能电池迈进了一步。与单光刻多结电池不同，机械叠层结构无需进行电流匹配和晶格匹配。

生长温度对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响研究

InAs/GaAs量子点的生长形貌和特性受不同生长环境和生长条件影响。本文借助光致发光光谱(PL)特性表征方法,通过实验生长,对比研究不同生长温度下获得的量子点性能,结合当前三结叠层GaInP/GaAs/Ge(2-terminal)电池存在的问题,以及该电池的设计、制作要求,分析了InAs量子点的不同生长温度对于具有量子点结构的中电池吸收的影响。

InAs/GaAs量子点生长中应力分析

围绕InAs(InGaAs)/GaA叠层量子点电池的制作,本文通过文献研究和对近邻面生长实验研究认为,InAs/GaAs量子点生长形貌和特性受生长环境条件和生长条件影响。其中,客观、不可改变的外延层与衬底晶格常数、生长台面、超晶格结构等环境条件对量子点生长最为重要。这些环境条件通过生长应力,决定了量子点生长中的有序成核、生长、合并,直至出现缺陷的多晶体生长,其作用贯穿整个量子点生长过程。

太阳能电池技术研究

介绍了第1代晶硅和第2代薄膜太阳能电池的发展状况,阐述了第3代GaAs叠层太阳能电池的基本原理、技术现状以及基于GaAs叠层电池的聚光光伏发电系统的技术优点和发展前景。

Ⅲ-V族太阳电池的研究和应用

以砷化镓(GaAs)太阳电池为代表的Ⅲ-V族太阳电池,具有许多突出的优点:它们的转换效率高,抗辐照性能好,太阳电池性能随温度变化较慢。因而GaAs太阳电池,特别是GaInP/GaInAs/Ge三结叠层太阳电池在空间能源领域获得了越来越广泛的应用。近年来,聚光Ⅲ-V族太阳电池的研究进展迅速,为其地面应用打下了基础。

两端子Ⅲ-Ⅴ族多结太阳电池串联的光伏特性

Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物及其合金的多结太阳电池(重点是GaInP/GaAs叠层电池)有多种直接带隙材料可供选择,因为是直接带隙,其吸收系数高,吸收范围为1~2eV,非常适宜于太阳电池。本文将要建立串联的、两端子的、两结器件模型,并在该模型下对光谱、温度方面的依赖特性进行了分析,讨论其性能,重点做了如何选择带隙和预测相应结构的效率,为多结串联器件的定量理解及定量设计提供基础。虽然重点是两结电池,某些地方也讨论了三结器件GaInP/GaAs/Ge,因为它的技术在空间应用商业化上特别成功。