GaAs基器件的衬底选择

在生产GaAs基器件时，如何选择适当的衬底是个令人感兴趣的问题。目前，批量生产的衬底有两种，分别采用不同的工艺生长，即直拉法和布里支曼法。材料的使用者更关心的是材料的性能而不是其生产工艺。目前，可得到的两类衬底常称为“

栅型共振隧穿晶体管的设计与研制

在研制RTD经验的基础上设计并研制成功栅型GaAs基共振隧穿晶体管(GRTT).文中对该器件的材料结构设计、器件结构设计、光刻版图设计、器件制作、参数测量与分析等进行了系统的描述.所研制出的GRTT最大PVCR为46,最大跨导为8mS,为进一步改善器件性能和参数奠定了基础.