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题名GaAs单片移相器设计
被引量：5
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作者
周志鹏
杜小辉
代合鹏
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机构
南京电子技术研究所
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2005年第4期54-57,共4页
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文摘
本文选择了适于单片微波集成的移相器设计方案,使用砷化钾(GaAs)0.5 μm高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺原型,经微波电路、电场仿真,设计出五位移相器,并试制了180°位样片.试制样品尺寸1.5×1.0mm2,测试结果性能良好,在2.5～5.0GHz带宽内,移相起伏小于10°;在2.6～3.5GHz带宽内,移相起伏小于5°,同设计仿真结果基本吻合.
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关键词
gaas单片移相器
单片微波集成电路
gaas工艺原型
高电子迁移率晶体管(HEMT)
单片移相器
设计
gaas
高电子迁移率晶体管
3.5GHz
仿真结果
0.5μm
五位移相器
微波集成
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Keywords
gaas monolithic phase shifter, MMIC, gaas process foundry, High electron-mobility transistor（HEMT）
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分类号
TN623
[电子电信—电路与系统]
TN304.23
[电子电信—物理电子学]
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