无线通信的RF器件及MMIC

近年来以手机为主的移动通信终端的日益普及,大大地推动了其关键器件GaAsMMIC和RF器件及模块的研发和规模生产的进程,给GaAs市场提供了巨大的市场机遇,使GaAs技术向低成本大批量民用领域实现了成功突破。 GaAs MMIC是移动通信终端高频段实现小型。

毫米波10W GaN HEMT功率MMIC

GaNHEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、散热性能好等特点，大大扩展了微波功率MMIC的设计空间。特别是在毫米波段，基于GaAspHEMT的毫米波功率MMIC产品工作电压普遍只有6V左右，限制了其进一步提升输出功率的能力。GaNHEMT在毫米波段的工作电压可高达20～24V甚至更高，其在毫米波波段的输出功率能力同样强劲，输出功率密度可高达10W／mm以上，结合SiC衬底优良的散热能力，使其在毫米波段可获得比GaAs技术更好的性能表现。