1．06μm连续激光辐照GaAs探测器的理论研究

建立了高斯型连续激光辐照GaAs探测器物理模型,近似解析计算了圆柱形GaAs靶板的三维温度场.数值分析了激光辐照时GaAs探测器的信号异常及熔融损伤的情况,并计算了相应的损伤阈值.理论计算与实验结论能够精确的一致,理论模型为评论同类激光效应以及激光对抗的激光加固提供了参考.

GaAs光电导辐射探测器响应实验研究

实验研究了具有极快响应的SI-LEC GaAs光电导辐射探测器的响应,测量它对皮秒级脉冲激光的时间响应及对532 nm直流激光的灵敏度。实验结果表明:SI-LEC GaAs光电导辐射探测器时间响应约为100 ps,与探测器偏压无关,但受测试系统的影响较大;用中子辐照改性和改进工艺的方法可提高探测器的时间响应;探测器的直流激光响应与偏压则呈线性关系。

GaAs微条粒子探测器的辐照特性

设计了一种能经受高能粒子辐照的 Ga As微条粒子探测器 .该探测器结构采用金属 -半导体 -金属结构 ,其主要几何尺寸是 :微条长度为 17mm ,宽度分别为 2 0、5 0、10 0、2 0 0、30 0μm .该探测器在经受电子、中子、γ射线、X射线等高能粒子辐照后 ,表面金属光亮无损 ,反向击穿电压最高可达 180 V,在反偏电压 80 V时 ,反向暗电流密度低达31n A/mm2 .探测器的最小条宽为 2 0μm.

用于GaAs半导体探测器的电荷灵敏前置放大器的设计

介绍了一种用于 Ga As半导体探测器 ,以场效应管和集成运放为主要器件的低噪声的电荷灵敏前置放大器的设计。设计性能指标达到 :电荷灵敏度 2× 10 12 V/ C,等效噪声电荷 <10 0 (电子 -空穴 ) ,上升时间<10

GaAs/AlGaAs多量子阱探测器研究现状与应用

历经30余载的发展,量子阱红外探测器（QWIP）已取得长足发展和丰硕成果。对量子阱红外探测器的发展历程、研究现状进行简单的介绍,并将其量子效率η、暗电流和探测率D＊等性能参数与传统的HgCdTe红外探测器的性能参数进行比较。此外,也简单介绍了下目前发展较为成熟的GaAs/AlGaAs量子阱红外焦平面阵列探测器。最后,结合国内外的发展现状,对未来QWIP的发展方向以及降低生产成本、降低商用门槛提出了一些自己的构想。

太阳光谱仪近红外光电探测系统设计

针对星载太阳光谱仪近红外波段信号微弱、易受外部环境干扰等特点,设计了一种基于InGaAs红外单元探测器的锁相放大光电探测系统。分析了探测系统的噪声特性,发现抑制前置放大器的电路噪声对于降低系统噪声至关重要。优化了前置放大器PCB布局布线,采用保护环+保护层+过孔防护等设计,加强了输入光电流信号保护与屏蔽。利用卤钨灯模拟在轨情况下的太阳光谱强度,进行了地面试验。结果表明,探测电路对入射光强度的响应线性度可达99.95%;测试波段各波长信噪比较上一代太阳光谱仪均有显著提升。

基于电子波干涉红外探测器的研究

电子波干涉法是一种新的量子阱探测器能带结构计算方法,该方法是基于电子波在量子阱界面的反射和干涉效应提出的。利用电子波干涉法,设计了一种新型的宽带量子阱红外探测器。对这种探测器的能带结构进行了计算,分析了这种新型探测器的响应带宽和暗电流特性。理论计算表明:电子在干涉形成的分离能级间跃迁可形成多个响应带,这些响应带之间相互交叠可实现宽带响应;器件的暗电流在微安量级且随温度的变化不大。共振隧穿电流随温度的变化较小,是暗电流的主要组成部分;而热离子激发电流随温度的变化较大,但对暗电流的影响不大。