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GaAs电介质表面对剥离电子通量分布影响的数值研究
1
作者
唐田田
祝庆利
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2021年第5期104-110,共7页
利用半经典开轨道理论,研究了GaAs电介质表面对氢负离子在磁场中的光剥离干涉图样的作用,推导并计算了本体系下的光剥离电子流通量,主要研究GaAs电介质表面到离子的距离不同对电子通量的影响.结果表明,电介质表面到离子的距离可以改变...
利用半经典开轨道理论,研究了GaAs电介质表面对氢负离子在磁场中的光剥离干涉图样的作用,推导并计算了本体系下的光剥离电子流通量,主要研究GaAs电介质表面到离子的距离不同对电子通量的影响.结果表明,电介质表面到离子的距离可以改变电子通量分布中的振荡结构,影响探测平面上形成的干涉图样的分布.因此,可以通过改变电介质表面到离子的距离来调控剥离电子的通量和干涉图样分布.
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关键词
光剥离
开轨道理论
干涉图样
gaas电介质表面
下载PDF
职称材料
题名
GaAs电介质表面对剥离电子通量分布影响的数值研究
1
作者
唐田田
祝庆利
机构
烟台南山学院数学物理教学部
出处
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2021年第5期104-110,共7页
文摘
利用半经典开轨道理论,研究了GaAs电介质表面对氢负离子在磁场中的光剥离干涉图样的作用,推导并计算了本体系下的光剥离电子流通量,主要研究GaAs电介质表面到离子的距离不同对电子通量的影响.结果表明,电介质表面到离子的距离可以改变电子通量分布中的振荡结构,影响探测平面上形成的干涉图样的分布.因此,可以通过改变电介质表面到离子的距离来调控剥离电子的通量和干涉图样分布.
关键词
光剥离
开轨道理论
干涉图样
gaas电介质表面
Keywords
Photo-detachment
Semi-classical open orbit theory
Interference pattern
gaas
dielectric surface
分类号
O562.4 [理学—原子与分子物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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操作
1
GaAs电介质表面对剥离电子通量分布影响的数值研究
唐田田
祝庆利
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2021
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