GaAs红外发光二极管加速寿命试验研究

本文采用步进应力的试验方法设计了一个针对GaAs红外发光二极管的可靠性加速寿命的研究方案。这种方法主要是把步进应力和恒定应力两种方法相结合,用此来评估GaAs红外发光二极管的可靠度;然后总结除了GaAs红外发光二极管这种光电器件的寿命分布形式和失效模式。

GaAs红外发光二极管的可靠性研究

从反向测试中出现的二次击穿器件，分析了其失效原因，表明晶体内缺陷或机械损伤形成的热斑引起器件发生二次击穿，从而提出了工艺改进措施。

适用于GaAs红外发光二极管生产的开管Zn扩散

本文报告了一种适用于大规模生产 GaAs 红外发光二极管的开管 Zn 扩散新工艺。详细叙述了开管 Zn 扩散的方法。实验结果表明表面载流子浓度达10~19cm^(-3),结深为2.0μm。

大功率无衬底N－GaAlAs／P－GaAs：Si单异质结红外发光二极管

报道了一种大功率无衬底Ｎ－ＧａＡｌＡｓ／Ｐ－ＧａＡｓ：Ｓｉ单异质结红外发光二极管的制造工艺和主要光电特性。该器件在５０ｍＡ工作电流下，输出功率典型值７．５ｍＷ，最大功率１１ｍＷ。

GaAs吸收衬底生长的立方相GaN发光二极管的工艺设计与实现

利用光学薄膜原理 ,计算了采用晶片键合技术来提高以 Ga As为衬底的立方相 Ga N的出光效率的理论可行性 .以 Ni为粘附层 ,Ag为反射层的 Ni/ Ag/ Au薄膜体系可以使立方 Ga N的出光效率从理论上提高 2 .6 5倍左右 .实验结果证实 ,利用键合方法实现的以 Ni/ Ag/ Au作为反射膜的样品的光反射率比未做键合的 Ga N/ Ga As样品的光反射率在理论计算的 4 5 9.2 nm处提高了 2 .4倍 .

GaAs衬底厚度对发光二极管稳定性的影响

在n+-GaAs(n=1×1018cm-3)衬底上,用MOCVD方法制备了610 nm的AlGaInP发光二极管的外延片,用X射线双晶衍射和PL谱表征了ALGaInP外延片样品的性质,通过对减薄到不同厚度的LED外延片的管芯在相同条件下的退化实验,发现了亮度的退化随厚度的减小而减小的结果。由理论计算结果可以得到,衬底厚度的降低对于LED样品稳定性产生作用的主要因素是由于产生的耗散热的减小而使缺陷增殖速度减小和非辐射复合中心浓度的相应降低,同时衬底厚度的降低也有助于提高AlGaInP LED的器件的稳定性。

GaAlAs红外发光二极管功率老化对其1/f噪声特性的影响

在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaA lAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区γ=1,在大电流区γ≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaA lAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaA lAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaA lAs IR LED s的潜在缺陷.

宽范围偏置电流下的GaAlAs红外发光二极管1/f噪声特性(英文)

在宽范围偏置条件下,测量了GaAlAs红外发光二极管(IRLED)的低频噪声,发现1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比,在小电流区,γ≈1,在大电流区γ≈2.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaAlAsIRLED1/f噪声模型,该模型的分析表明,低电流区GaAlAsIRLED的1/f噪声源于体陷阱对载流子俘获和发射导致的扩散电流涨落,高电流区的1/f噪声源于结空间电荷区附近氧化层陷阱对该处表面势的调制而引起载流子表面复合速率的涨落.该研究结果为1/f噪声表征GaAlAsIRLED的可靠性提供了实验基础与理论依据.

GaAlAs红外发光二极管1/f噪声研究

在宽范围偏置条件下,测量了GaAlAs红外发光二极管(IRLED)的低频噪声,发现1/f噪声幅值与偏置电流Irf的r次方成正比,在小电流区,r≈1,在大电流区r≈2。建立了一个GaAlAsIRLED的1/f噪声模型,得到与实验一致的定性结果。基于该模型的分析表明,低电流区GaAlAsIRLED的1/f噪声源于体陷阱对非平衡载流子俘获和发射导致的扩散电流涨落,高电流区的1/f噪声源于结空间电荷区附近氧化层陷阱对该处表面势的调制而引起载流子表面复合速率的涨落。该研究结果为1/f噪声表征GaAlAsIRLED的可靠性提供了实验基础与理论依据。

GaAlAs红外发光二极管RTS噪声测试方法研究

提出了一种Ga Al As红外发光二极管自动温控RTS(Random Telegraph Signal)噪声测试新方法。通过分析Ga Al As IRLED的RTS噪声产生机理及特性,建立了Ga Al As IRLED的RTS噪声模型,设计了自动温控噪声测试系统。实验结果表明,该方法能准确的测量Ga Al As IRLED的RTS噪声,得到与噪声模型一致的结果,为Ga Al As IRLED可靠性的噪声表征提供了实验与理论依据。

电应力对GaAlAs红外发光二极管低频噪声的影响(英文)

在宽范围偏置条件下,测量了电应力前后GaAlAs红外发光二极管(IRED)的低频噪声,发现应力前后1/f噪声随偏置电流变化的规律没有改变,但应力后1/f噪声幅值比应力前增加大约100倍。基于载流子数和迁移率涨落的理论分析表明GaAlAsIRED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于电应力在器件有源区诱生的界面陷阱和表面陷阱,因而,1/f噪声可以用来探测电应力对该类器件有源区的潜在损伤。

GaAlAs红外发光二极管低频噪声检测方法

通过分析Ga Al As红外发光二极管(IRED)的低频噪声产生机理及特性,建立了Ga Al As IRED的噪声模型,设计了一套低频噪声测试系统,通过该系统测量得到了Ga Al As IRED的低频噪声。实验表明,该方法能准确的测量Ga Al As IRED的低频噪声,发现其低频噪声主要表现为1/f噪声,得到与噪声模型一致的结果。该研究为Ga Al As IRLED可靠性的噪声表征提供了实验基础与理论依据。

GaAs红外发光管芯片的表面性质

利用扫描电子显微镜观察 Ｇａ Ａｓ 外延层及 Ｉ Ｒ Ｌ Ｅ Ｄ 芯片的表面，测量了输出辐射强度随芯片表面不同形貌的变化，讨论了 Ｇａ Ａｓ 红外发光二极管外延及芯片工艺对器件光学、电学性质的影响． 结果显示，芯片表面玷污、划伤，电极磨损，使输出辐射强度降低．

Weibull分布下基于MLE的红外发光二极管寿命预测

为了对红外发光二极管(LED)恒定及步进应力加速寿命试验的数据进行统计分析,应用Weibull分布函数描述了其寿命分布,利用极大似然法(MLE)及其迭代流程图估计出形状参数和尺度参数,通过最小二乘法确定了红外LED加速寿命方程,对红外LED寿命是否符合威布尔分布进行了Kolmogorov-Smirnov检验,并利用自行开发的寿命预测软件计算出平均寿命和中位寿命。数值结果表明,红外LED的寿命服从Weibull分布,加速寿命方程符合逆幂定律,所估计出的红外LED的寿命对生产厂商和用户有很强的指导意义。

GaP纯绿发光二极管的近红外发光研究

本文测量了GaP纯绿发光二极管在室温和液氮温度下的近红外发光光谱,观测到许多重叠的宽带发光.按高斯线型对光谱进行拟合,将其分解为6个发光谱峰,讨论了这些深能级发光的来源和它们对GaP发光二极管的发光强度的影响.

红外发光二极管光电特性的测试分析

讨论商品红外发光二极管光输入功率的离散性问题。

金属支架0.5W红外发光二极管研究

设计了一种采用金属支架直接导热的大功率红外发光二极管封装结构。该封装结构通过增加芯片底部金属座的厚度和尺寸,有效改善了散热性能,降低了封装热阻。实验测量表明,大功率红外发光二极管峰值波长为850nm,发光束角10°,典型输入功率为0.5W,最大输入功率可以达到2W以上,最大电光转换效率可达37.82%,最大辐射功率达到415.25mW。

中红外发光二极管及其应用

本文论述了中红外发光二极管的制备。包括选择材料和制备方法。利用辐射4．2μm的LED，设计和研制了一种新型固态低功耗便携式二氧化碳检测仪。还论述了LED的其它应用。

低温生长GaAs实现半导体泵浦红外激光器被动调Q锁模研究

用低温生长GaAs红外晶体材料作为饱和吸收体兼输出镜,在二极管泵浦全 固态激光器上实现了调Q锁模。激光器调Q运转阈值为2W。当注入泵浦功率为3.6W 时,调Q锁模开始出现。当注入泵浦功率为8.4W时,平均输出功率达到837mW,调 Q包络的重复频率为100kHz,锁横脉冲的重复频率为760MHz。

红外发光二极管辐射波长和强度积分式瞬时测试技术

发展了一种红外发光二极管（ＩＲＥＤ）辐射波长和强度的积分式（非分光）测试技术。它采用两只不同光谱响应的光电探测器，一只探测器的相对光谱响应在足够宽光谱范围内修正成常数，另一只探测器也按要求用滤光器修正。辐射强度可由相对光谱响应为常数的探测器测量；通过对测得的两个光探测器光电流之比与波长关系的数据进行处理，可以快速获得ＩＲＥＤ的辐射波长。以ＭＣＳ—５１单片机和上述两个光电探测器及它们的有关电路组成了一台样机实现这个原理。仪器具有高速实时，稳定性好及智能化的优点。