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外界条件在电磁脉冲对GaAs赝高电子迁移率晶体管损伤过程中的影响 |
席晓文
柴常春
刘阳
杨银堂
樊庆扬
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2017 |
4
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2
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单片集成0·8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管 |
徐静波
张海英
尹军舰
刘亮
李潇
叶甜春
黎明
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
1
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3
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Sub-6 GHz GaAs pHEMT高功率吸收型单刀双掷开关 |
陈梓雅
张志浩
周杰海
李玮鑫
章国豪
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《固体电子学研究与进展》
CAS
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2024 |
0 |
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4
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基于GaAs E/D PHEMT工艺的Ku波段双通道幅相控制多功能芯片 |
徐伟
赵子润
刘会东
李远鹏
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2024 |
0 |
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5
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基于0.1-μm GaAs pHEMT工艺的最小噪声系数3.9 dB的66~112.5 GHz低噪声放大器 |
李泽坤
陈继新
郑司斗
洪伟
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《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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6
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9~15 GHz GaAs E-PHEMT高性能线性功率放大器 |
魏碧华
蔡道民
武继斌
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《半导体技术》
CSCD
北大核心
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2017 |
7
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7
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基于GaAs PHEMT工艺的超宽带多通道开关滤波器组MMIC |
王胜福
王洋
李丽
于江涛
张仕强
李宏军
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2023 |
0 |
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8
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高功率密度高效率28V GaAs PHEMT技术 |
林罡
陈堂胜
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
1
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9
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基于0·25μm GaAs PHEMT工艺的32GHz毫米波单片功率放大器 |
顾建忠
张健
喻筱静
钱蓉
李凌云
孙晓玮
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
6
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10
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一种高线性GaAs pHEMT宽带低噪声放大器的设计 |
谭晓衡
付扬东
林杰
黄剑
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《重庆大学学报(自然科学版)》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
0 |
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11
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基于GaAs PHEMT工艺的Ka波段三通道开关滤波器 |
王朋
韦雪真
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2023 |
0 |
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12
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0.15μm Y型栅高In沟道GaAs PHEMT低噪声器件设计 |
韩克锋
黄念宁
吴少兵
秦桂霞
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2015 |
0 |
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13
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E波段GaAs PHEMT工艺有源六倍频器MMIC |
陈长友
刘会东
崔璐
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《现代信息科技》
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2023 |
0 |
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14
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基于GaAs-0.25μm L波段高效率功率放大器设计 |
谢仕锋
李海鸥
李跃
李陈成
张法碧
陈永和
傅涛
李琦
肖功利
孙堂友
陈立强
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《桂林电子科技大学学报》
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2019 |
2
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15
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0.8~2.7GHz GaAs PHEMT高线性驱动放大器 |
张欢
张昭阳
张晓朋
高博
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2020 |
6
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16
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14~14.5GHz 20W GaAs PHEMT内匹配微波功率管 |
赵博
唐世军
王帅
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
1
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17
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5G毫米波通信用低插损高隔离GaAs PHEMT单刀双掷开关 |
袁丹丹
张志浩
张艺
殷锐昊
章国豪
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2022 |
2
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18
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0.25μm栅长GaAs pHEMT栅极高温及关态应力退化机理 |
麻仕豪
化宁
张亮
王茂森
王佳
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《微电子学》
CAS
北大核心
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2020 |
1
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19
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高温及关态应力条件下GaAs pHEMT器件的性能退化研究 |
化宁
王佳
王茂森
杜祥裕
戴杰
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《微电子学》
CAS
北大核心
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2020 |
1
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20
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基于GaAs PHEMT工艺的60~90GHz功率放大器MMIC |
孟范忠
薛昊东
方园
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《半导体技术》
CAS
北大核心
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2021 |
0 |
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