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MOCVD生长GaAs高质量掺碳研究 被引量：3
1
作者 李宝霞 汪韬 +2 位作者 李晓婷 赛小锋 高鸿楷 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期249-252,共4页
利用低压金属有机化合物汽相淀积 (LP -MOCVD)系统 ,通过调节生长参量和掺杂工艺 ,得到了晶格质量高、表面形貌好且空穴浓度从 8× 10 17到 4× 10 2 1可控的掺碳GaAs外延层 ,最后给出一应用实例—用重掺碳的GaAs材料做级联GaIn... 利用低压金属有机化合物汽相淀积 (LP -MOCVD)系统 ,通过调节生长参量和掺杂工艺 ,得到了晶格质量高、表面形貌好且空穴浓度从 8× 10 17到 4× 10 2 1可控的掺碳GaAs外延层 ,最后给出一应用实例—用重掺碳的GaAs材料做级联GaInP/GaAs/Ge太阳能电池的隧道结 . 展开更多
关键词 gaas 碳掺杂 gaas隧道结
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