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5Gb/s GaAs MSM/PHEMT单片集成光接收机前端 被引量:1
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作者 焦世龙 陈堂胜 +7 位作者 蒋幼泉 冯欧 冯忠 杨立杰 李拂晓 陈辰 邵凯 叶玉堂 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期426-426,共1页
关键词 接收机前端 单片集成 PHEMT gaas b/s MSM 前置放大器 光探测器
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发射极镇流电阻对In_(0.49)Ga_(0.51)P/GaAs HBT特性的影响 被引量:1
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作者 石瑞英 孙海锋 +2 位作者 袁志鹏 罗明雄 汪宁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期831-835,共5页
在发射极加一个镇流电阻可以解决在多个 HBT并联时 ,常常出现电流坍塌的问题 .研究了发射极镇流电阻对 In0 .4 9Ga0 .51 P/ Ga As HBT直流及高频特性的影响 。
关键词 发射极镇流电阻 In0.49Ga0.51P/gaas HbT 直流特性 高频特性 EEACC 1350F 2560b 2560J 2560Z
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(GaAs)_1(AlAs)_1(111)超晶格能带结构的LMTO-ASA计算
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作者 吴孙桃 王仁智 黄美纯 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1993年第3期293-298,共6页
用从头计算的LMTO-ASA方法计算(GaAs)_1(AlAs)_1(111)超晶格和体材料GaAs、AlA_3的能带结构,给出布里洲区对称点Γ、Z、D主要能带本征值的对称性标记和对应关系,结果表明,(GaAs)_1(AlAs)_1(111)能带与体材料能带有一定的对应转化关系,... 用从头计算的LMTO-ASA方法计算(GaAs)_1(AlAs)_1(111)超晶格和体材料GaAs、AlA_3的能带结构,给出布里洲区对称点Γ、Z、D主要能带本征值的对称性标记和对应关系,结果表明,(GaAs)_1(AlAs)_1(111)能带与体材料能带有一定的对应转化关系,能带隙是直接能隙,在布里洲区Γ点。 展开更多
关键词 超晶格 能带结构 L-A法
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Cl/GaAs(111)表面近边X射线吸收精细结构的多重散射研究 被引量:1
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作者 沈少来 唐景昌 +1 位作者 曹松 汪雷 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第11期1054-1058,共5页
利用多重散射团簇方法(MSC)计算了Cl/GaAs(111)吸附表面的Cl原子k边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)。阐明了NEXAFS谱中各个弱结构的物理起源。根据模型计算的结果与实验比较,求得吸附在顶位的氯原子和最近邻的镓原子的键长为(0.213±0... 利用多重散射团簇方法(MSC)计算了Cl/GaAs(111)吸附表面的Cl原子k边X射线吸收精细结构谱(NEXAFS)。阐明了NEXAFS谱中各个弱结构的物理起源。根据模型计算的结果与实验比较,求得吸附在顶位的氯原子和最近邻的镓原子的键长为(0.213±0.005)nm。这个结果在0.005nm的误差范围内将广延X射线吸收精细结构(EXFAS)实验谱的Fourier变换结果(0.217nm)和Slab模型计算的结果(0.208nm)合理地联系起来。此外,MSC计算求得衬底表面层Ga-As键长为(0.235±0.005)nm,证实Cl吸附引起GaAs(111)表面驰豫。 展开更多
关键词 近边X射线吸收精细结构 CI/gaas(111) 吸附表面 多重散射团簇方法 砷化镓 半导体
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B离子在n(Si)-GaAs层中的化学补偿效应 被引量:1
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作者 刘伊犁 罗晏 +1 位作者 李国辉 姬成周 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期360-364,共5页
B+注入n(Si)-GaAs层,经高温退火在GaAs晶格恢复过程中,B将占据GaAs晶格中一定位置成为替位B,当B取代As位,则形成双受主BAs.当B取代Ga位,并形成络合物BGaVAs,将促使Si占As位,形成受主... B+注入n(Si)-GaAs层,经高温退火在GaAs晶格恢复过程中,B将占据GaAs晶格中一定位置成为替位B,当B取代As位,则形成双受主BAs.当B取代Ga位,并形成络合物BGaVAs,将促使Si占As位,形成受主SiAs和受主络合物BGaSiAs.由于所产生的受主与n型层中施主SiGa的补偿,减少了n型层的载流子浓度,即B的化学补偿效应.本文采用霍耳测量及光致发光测量对B的补偿行为进行分析. 展开更多
关键词 b离子注入 gaas 化学补偿效应
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GaAs的B^+注入隔离 被引量:1
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作者 杨端良 陈堂胜 吴禄训 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第2期132-136,共5页
本文报告了在注Si^+的GaAs有源层上进行B^+注入实现隔离的实验研究.结果表明,低剂量和高剂量的B^+注入都能形成高阻区,但低剂量注入形成的高阻区具有更好的隔离特性.本文还讨论了B^+注入n型GaAs消除载流子的补偿机理.
关键词 gaas 离子注入 b 隔离
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FAM111A与FAM111B在泛癌中的预后及治疗相关性研究
7
作者 龚齐 董庆泰 +5 位作者 张翌 马丹丹 钟彬 张涛 曹定 蔡逊 《联勤军事医学》 CAS 2023年第1期22-28,共7页
目的探究序列相似家族111成员A(family with sequence similarity 111 member A,FAM111A)、FAM111B在泛癌中的肿瘤预后、肿瘤免疫及抗癌药物敏感性。方法在癌症基因体图谱(the cancer genome atlas,TCGA)数据库下载和整理FAM111A和FAM1... 目的探究序列相似家族111成员A(family with sequence similarity 111 member A,FAM111A)、FAM111B在泛癌中的肿瘤预后、肿瘤免疫及抗癌药物敏感性。方法在癌症基因体图谱(the cancer genome atlas,TCGA)数据库下载和整理FAM111A和FAM111B在33种肿瘤及11057例样本的mRNA表达水平及临床生存相关数据,下载UCSC Xena数据库中关于33种肿瘤干细胞评分相关数据,下载CellMiner数据库样本的基因表达与药敏结果的数据。对FAM111A与FAM111B在肿瘤中作用进行多方面研究。结果FAM111A和FAM111B的相关性较强(r=0.42,P<0.05),FAM111A和FAM111B在多种肿瘤中普遍高表达(P<0.05),且FAM111A和FAM111B可以预测多种肿瘤患者的生存率(P<0.05)。泛癌免疫亚型分析显示,FAM111A和FAM111B在6种肿瘤免疫亚型显著表达(P<0.001)。FAM111A和FAM111B的表达与免疫评分、间质评分及总评分呈负相关(P<0.05),FAM111A和FAM111B的表达与肿瘤干细胞分化程度呈正相关(P<0.05)。抗癌药物敏感性的分析显示,FAM111A与奈拉滨(Nelarabine)等药物敏感性呈正相关(P<0.05),FAM111基因与卡博替尼(Cabozantinib)等药物敏感性呈负相关(P<0.05)。结论FAM111A和FAM111B在多种肿瘤中有表达差异,并且对生存预后有预测价值,它们在肿瘤免疫微环境、干细胞评分和抗癌药物敏感性方面的研究结果为肿瘤治疗及诊断提供了方向。 展开更多
关键词 111序列相似的家庭成员A和b 泛癌 肿瘤预后 肿瘤免疫 药物敏感性
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B离子注入n(Si)-GaAs层的特性研究
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作者 刘伊犁 罗晏 +1 位作者 李国辉 姬成周 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1992年第4期472-477,共6页
B^+注入n(Si)-GaAs层,可以在带间引入与损伤相关的深能级,补偿自由电子,使n型导电层变为高阻层。若注B后退火,在一定的退火条件下,在GRAs晶格的恢复过程中,B占据Ga的位置,形成B_(Ga),并与As空位V_(As)络合形成络合物B_(Ga)V_(As)。由于B... B^+注入n(Si)-GaAs层,可以在带间引入与损伤相关的深能级,补偿自由电子,使n型导电层变为高阻层。若注B后退火,在一定的退火条件下,在GRAs晶格的恢复过程中,B占据Ga的位置,形成B_(Ga),并与As空位V_(As)络合形成络合物B_(Ga)V_(As)。由于B_(Ga)V_(As)和Si的相互作用,促使Si占据As的位置,形成受主,从而降低了n(Si)-GaAs层中的载流子浓度。我们认为B注入n(Si)-GaAs层光发光测量中观察到的1.33 eV峰与B,Si相关。 展开更多
关键词 离子注入 砷化镓 硼离子
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GaAs(111)衬底上生长的GaN的极性与生长方法和生长条件的关系 (英文)
9
作者 Hasegawa F, Souda R (University of Tsukuba, Institute of Applied Physics, Tsukuba 305-8573, Japan) (National Institute for Research in Inorganic Materials, Tsukuba 305-0044, Japan) 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期315-318,共4页
研究了在 GaAs (111)衬底上生长的六角相 GaN的极性的相关关系。在高 Ⅴ /Ⅲ比的条件下用MOVPE和MOMBE方法生长的GaN的极性和GaAs衬底的极性一致;在(111)A-Ga表面上的生长层呈现Ga的极性,而... 研究了在 GaAs (111)衬底上生长的六角相 GaN的极性的相关关系。在高 Ⅴ /Ⅲ比的条件下用MOVPE和MOMBE方法生长的GaN的极性和GaAs衬底的极性一致;在(111)A-Ga表面上的生长层呈现Ga的极性,而在(111)B-As表面上的生长层呈现N的极性。然而,在低的Ⅴ /Ⅲ比,或采用一个AIN中间层的条件下,用HVPE和MOMBE方法在GaAs(111)B表面上生长的GaN呈现出Ga的极性。目前,其原因尚不清楚,但是这些结果表明采用HVPE生长方法或用一高温AlN阻挡层可以得到高质量的GaN。 展开更多
关键词 GAN 极性控制 生长方法 生长条件 gaas(111) 砷化镓 氮化镓 半导体材料
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MBE法生长高质量HgCdTe/GaAs(211)B
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作者 晓晔 《电子材料快报》 1995年第11期17-18,共2页
关键词 MbE法 gaas(211)b HGCDTE 半导体材料
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应用花药培养提纯粳稻不育系XG111A和保持系XG111B 被引量:5
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作者 胡婷婷 刘超 +5 位作者 王健康 丁成伟 郭荣良 吴玉玲 徐家安 王友霜 《西北农业学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期53-57,共5页
应用花药培养技术对粳稻BT型不育系XG111A和保持系XG111B进行提纯改良。结果表明,低温6~8℃预处理3~18 d,有助于花药愈伤诱导率的提高,尤以低温预处理8 d,愈伤诱导率最高;35~50 d诱导愈伤的分化率最高,XG111A和XG111B的分化率分别达... 应用花药培养技术对粳稻BT型不育系XG111A和保持系XG111B进行提纯改良。结果表明,低温6~8℃预处理3~18 d,有助于花药愈伤诱导率的提高,尤以低温预处理8 d,愈伤诱导率最高;35~50 d诱导愈伤的分化率最高,XG111A和XG111B的分化率分别达到22.5%和30.2%。经花药培养后,不育系和保持系株系内整齐度均得到显著提高:不育系的不育花粉率为100%,原供体对照为99.58%。保持系的花培后代植株90%以上都具有原供体植株的典型特征,且后代的性状遗传稳定,另有部分株系优于原供体植株。 展开更多
关键词 粳稻 花药培养 提纯 不育系XG111A 保持系XG111b
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脂氧素类似物BML-111抑制Hela细胞增殖及机制初探 被引量:2
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作者 郝华 徐芬 +2 位作者 邬黎青 张昕昕 戴华 《实用医学杂志》 CAS 北大核心 2014年第13期2045-2047,共3页
目的:研究脂氧素类似物BML-111对宫颈癌细胞株Hela细胞增殖的影响并进一步探讨其内在机制。方法:分别用50、100、200、400μg/L BML-111刺激Hela细胞,MTT方法检测其对细胞存活率的影响;免疫荧光检测BML-111对Hela细胞P53蛋白表达及细胞... 目的:研究脂氧素类似物BML-111对宫颈癌细胞株Hela细胞增殖的影响并进一步探讨其内在机制。方法:分别用50、100、200、400μg/L BML-111刺激Hela细胞,MTT方法检测其对细胞存活率的影响;免疫荧光检测BML-111对Hela细胞P53蛋白表达及细胞定位的影响;Western blot免疫印迹法检测BML-111对Hela细胞NF-κB p65、P53及CyclinD1表达的影响。结果 :与对照组相比,100、200、400μg/L BML-111均能明显降低Hela细胞存活率;免疫荧光显示,BML-111能明显降低P53蛋白的表达,但对细胞定位无影响。Western blot免疫印迹显示,BML-111能明显降低NF-κB p65、P53及CyclinD1蛋白的表达,Boc-2能阻断这种效应。结论:BML-111可以抑制Hela细胞增殖,其作用可能是通过与受体结合,进而抑制NF-κB信号转导途径实现。 展开更多
关键词 宫颈肿瘤 脂氧素 bML-111 NF-Κb
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基于GaAs光导开关的纳秒脉冲源设计 被引量:5
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作者 姜苹 谢卫平 +4 位作者 李洪涛 袁建强 刘宏伟 刘金锋 赵越 《信息与电子工程》 2012年第6期744-747,770,共5页
以高密度聚乙烯介质平板型B线为储能器件,设计了一台层叠Blumlein传输线型脉冲功率源。以GaAs PCSS为开关,通过4级B线层叠结构实现电压倍增。单级B线阻抗25Ω,时间常数2.5 ns,功率源总阻抗100Ω。Pspice模拟表明:随着开关导通电阻上升,... 以高密度聚乙烯介质平板型B线为储能器件,设计了一台层叠Blumlein传输线型脉冲功率源。以GaAs PCSS为开关,通过4级B线层叠结构实现电压倍增。单级B线阻抗25Ω,时间常数2.5 ns,功率源总阻抗100Ω。Pspice模拟表明:随着开关导通电阻上升,输出电压脉冲幅度下降,脉宽增大;随着开关转换时间增长,输出脉冲延迟时间上升,前、后沿时间增长。采用波长为1 064 nm,能量为30 mJ,脉宽为5 ns的Nd:YAG激光器触发光导开关,当充电25 kV时,负载上得到电压38 kV,上升沿1.4 ns,脉冲约5 ns的近似方波输出。 展开更多
关键词 gaas光导开关 层叠b线 脉冲充电 纳秒激光
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VEGF111b的表达载体构建及抗体制备
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作者 李秀丽 谷芳 +1 位作者 姚元庆 刘忠宇 《海南医学》 CAS 2014年第22期3277-3280,共4页
目的克隆VEGF111b基因,构建真核表达载体pc DNA3.1-VEGF111b,并进行测序,制备VEGF111b多克隆抗体。方法丝裂霉素C诱导处理卵巢癌SKOV3细胞24 h,设计VEGF111b酶切引物,以SKOV3细胞的c DNA为模板,通过PCR得到VEGF111b特异性基因产物,克隆... 目的克隆VEGF111b基因,构建真核表达载体pc DNA3.1-VEGF111b,并进行测序,制备VEGF111b多克隆抗体。方法丝裂霉素C诱导处理卵巢癌SKOV3细胞24 h,设计VEGF111b酶切引物,以SKOV3细胞的c DNA为模板,通过PCR得到VEGF111b特异性基因产物,克隆入真核表达载体pc DNA3.1中,获得重组真核表达载体pc DNA3.1-VEGF111b,测序验证。用KLH耦联VEGF111b特异性短肽,制备多克隆抗体,Western blot检测其特异性。结果成功扩增了VEGF111b基因,双酶切、测序鉴定证实目的基因成功克隆到真核表达载体pc DNA3.1中,测序结果与预测完全一致,成功制备了VEGF111b多克隆抗体,使用其多克隆抗体,Western blot能够检测到VEGF111b对应分子量的蛋白条带。结论本研究鉴定了pc DNA3.1-VEGF111b真核表达载体,并验证了VEGF111b多克隆抗体的特异性,为进一步研究VEGF111b蛋白的功能奠定了基础。 展开更多
关键词 VEGF111b PCDNA3.1 真核表达 多克隆抗体
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LX A4和BML-111对巨噬细胞内TLR4/NF-κB信号通路的作用 被引量:6
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作者 谢大泽 黄利兴 +3 位作者 刘东升 朱俊 谢勇 周南进 《实用医学杂志》 CAS 北大核心 2015年第17期2799-2802,共4页
目的:肠道巨噬细胞定位于肠黏膜相关淋巴组织及黏膜固有层,在保持肠道稳态及免疫防御中发挥重要作用。研究脂氧素(LXs)A4及其受体激动剂BML-111对脂多糖(LPS)作用巨噬细胞RAW264.7存活和TLR4/NF-κB信号通路的影响。方法:CCK-8法观察LPS... 目的:肠道巨噬细胞定位于肠黏膜相关淋巴组织及黏膜固有层,在保持肠道稳态及免疫防御中发挥重要作用。研究脂氧素(LXs)A4及其受体激动剂BML-111对脂多糖(LPS)作用巨噬细胞RAW264.7存活和TLR4/NF-κB信号通路的影响。方法:CCK-8法观察LPS对RAW264.7的毒性作用,RT-q PCR法检测细胞内TLR4、TRAF6 m RNA的表达,Western blot法检测细胞内TLR4、TRAF6和p NF-κB p65的蛋白水平。结果:在1 000 ng/m L浓度LPS组,作用6 h后,LX A4组和BML-111组对RAW264.7细胞存活率显著增高(P<0.05)。在LPS作用下,LX A4组和BML-111组对RAW264.7细胞的TLR4 m RNA及蛋白水平显著高于相对应的无LPS组(P<0.05),TRAF6 m RNA的表达均高于相对应的无LPS组(P<0.05);而LX A4组和BML-111组的TRAF6蛋白水平则低于对照组(P<0.05),高于相对应的无LPS组(P<0.05)。在LPS作用下,LX A4组和BML-111组p NF-κB p65蛋白水平低于对照组(P<0.05),而对照组又高于相对应的无LPS组(P<0.05);且LX A4和BML-111作用无差异(P>0.05)。结论:LX A4和BML-111能够抑制LPS对RAW264.7细胞的作用及TLR4/NF-κB信号通路的激活,有助减轻炎症反应;性质稳定的BML-111更有望成为IBD治疗的新契机。 展开更多
关键词 LX A4 bML-111 RAW264-7细胞 TLR4 NF-Κb
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血小板糖蛋白11b/111a受体拮抗剂与低剂量溶栓剂联合应用治疗老年ST段抬高型心肌梗死疗效观察
16
作者 王翠霞 李淑云 孟凡坤 《中国伤残医学》 2012年第12期47-49,共3页
目的:探讨血小板糖蛋白11b/111a受体拮抗剂与低剂量溶栓剂联合治疗老年人急性ST段抬高型心肌心肌梗死(STEMI)的疗效、转归及预后。方法:70岁以上老年STEMI患者25例,70岁以下者25例,应用阿昔单抗0.25mg/kg静注,替奈普酶(TNK-tPA)15~25m... 目的:探讨血小板糖蛋白11b/111a受体拮抗剂与低剂量溶栓剂联合治疗老年人急性ST段抬高型心肌心肌梗死(STEMI)的疗效、转归及预后。方法:70岁以上老年STEMI患者25例,70岁以下者25例,应用阿昔单抗0.25mg/kg静注,替奈普酶(TNK-tPA)15~25mg治疗。分析2组治疗效果及预后情况。结果:老年组预后良好者21例(84%),死亡4例(16%)。对照组25例,预后良好者22例(88%),死亡3例(12%),差异无统计学意义(p>0.05)。结论:阿昔单抗合用低剂量替奈普酶治疗将对70岁以上老年(STEMI)获益。 展开更多
关键词 血小板糖蛋白11b 111a受体拮抗剂 阿昔单抗 溶栓剂 替奈普酶 心肌梗死
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二维缺陷GaAs电子结构和光学性质第一性原理研究 被引量:2
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作者 褚玉金 张晋敏 +2 位作者 陈瑞 田泽安 谢泉 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2018年第6期1063-1068,共6页
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了存在Ga空位缺陷和掺杂B原子的二维GaAs的能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明空位缺陷二维GaAs显示出金属特性,B原子的引入使体系变为间接带隙半导体,禁带宽度为0.35 eV.态密度计算发... 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了存在Ga空位缺陷和掺杂B原子的二维GaAs的能带结构、态密度和光学性质.计算结果表明空位缺陷二维GaAs显示出金属特性,B原子的引入使体系变为间接带隙半导体,禁带宽度为0.35 eV.态密度计算发现体系低能带主要由Ga的s态、p态、d态和As的s态、p态构成;高能带主要由Ga和As的s态、p态构成.掺杂B原子与存在空位缺陷的二维GaAs相比,静态介电常数相对较低,变为8.42,且易于吸收紫外光,在3.90~8.63 eV能量范围具有金属反射特性,反射率达到52%. 展开更多
关键词 二维gaas Ga空位缺陷 b掺杂 第一性原理 电子结构 光学性质
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下调FAM111B对乳腺癌细胞增殖和凋亡的影响
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作者 张声林 戚利坤 +1 位作者 张波 蔡浩 《现代肿瘤医学》 CAS 2020年第12期2027-2030,共4页
目的:探讨下调FAM111B对乳腺癌细胞系MDA-MB-231和MCF7细胞增殖和凋亡的影响及其机制。方法:构建siR-FAM111B慢病毒载体,转染乳腺癌MDA-MB-231和MCF7细胞,qRT-PCR检查转染组与对照组FAM111B mRNA表达,Western blotting法检测各组细胞FAM... 目的:探讨下调FAM111B对乳腺癌细胞系MDA-MB-231和MCF7细胞增殖和凋亡的影响及其机制。方法:构建siR-FAM111B慢病毒载体,转染乳腺癌MDA-MB-231和MCF7细胞,qRT-PCR检查转染组与对照组FAM111B mRNA表达,Western blotting法检测各组细胞FAM111B蛋白表达。用CCK-8法检测细胞的增殖能力。流式细胞术检测Annexin-V/PI双染各组细胞的凋亡情况。Western blotting法检测凋亡相关蛋白Bax和Bcl-2的表达。结果:siR-FAM111B成功转染MDA-MB-231和MCF7细胞,转染后应用qRT-PCR和Western blotting检测,结果显示,FAM111B mRNA与蛋白水平均下调。siR-FAM111B能抑制两种细胞的增殖。Annexin-V/PI双染结果显示,下调FAM111B诱导两种细胞凋亡。Western blotting结果显示,下调FAM111B可以促进两种细胞Bax的表达,抑制Bcl-2的表达。结论:下调FAM111B能够抑制乳腺癌细胞的增殖,通过调节线粒体凋亡通路诱导细胞凋亡。 展开更多
关键词 FAM111b 乳腺癌 增殖 凋亡
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纵横空中的电子卫士——浅述美国EA-6B与EF-111电子战机
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作者 马伯宁 《军事展望》 2002年第2期50-53,共4页
配备有导弹的战斗机似乎比只发射电波的飞机更能发挥作战效能,但在现代的武器中,电子作战飞机大有后来居上之势。它的出现,将改变战场上的角色。
关键词 作战效能 电子作战飞机 EA-6b EF-111
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Surface reconstructions and reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations during homoepitaxial growth on nonmisoriented GaAs(111)B by MBE 被引量:1
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作者 杨瑞霞 武一宾 +1 位作者 牛晨亮 杨帆 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1-4,共4页
The growth by molecular beam epitaxy of high quality GaAs epilayers on nonmisoriented GaAs(111)B substrates is reported.Growth control of the GaAs epilayers is achieved via in situ,real time measurement of the specu... The growth by molecular beam epitaxy of high quality GaAs epilayers on nonmisoriented GaAs(111)B substrates is reported.Growth control of the GaAs epilayers is achieved via in situ,real time measurement of the specular beam intensity of reflection high-energy electron diffraction(RHEED).Static surface phase maps of GaAs(111)B have been generated for a variety of incident As flux and substrate temperature conditions.The dependence of GaAs(111)B surface reconstruction phases on growth parameters is discussed.The(191/2×191/2) surface reconstruction is identified to be the optimum starting surface for the latter growth of mirror-smooth epilayers.Regimes of growth conditions are optimized in terms of the static surface phase diagram and the temporal RHEED intensity oscillations. 展开更多
关键词 gaas(111)b RHEED surface reconstruction EPILAYER
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