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GaAs－Ga_（1－x）Al_xAs异质结附近类氢杂质束缚能及其受像势的影响 被引量：3
1
作者 李树深 袁伟 +1 位作者 刘建军 孔小均 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第4期223-228,共6页
在有效质量近似下，利用一维化Ｅｕｌｅｒ方程方法计算了ＧａＡｓ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ异质结附近类氢杂质基态及２ｐ±态束缚能及其受像势的影响．在极限情况下，我们的结果可以重现已有的精确解．
关键词 gaas-ga-alas 异质结 氢杂质 能带
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