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GaAs-GaN键合界面热应力的电子背散射衍射研究
被引量:
4
1
作者
田彦宝
吉元
+5 位作者
赵跃
吴迪
郭霞
沈光地
索红莉
周美玲
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期1091-1096,1116,共7页
采用扫描电镜(SEM)和电子背散射衍射(EBSD)技术,观察和分析了GaAs和GaN晶片热压键合的界面热应力和晶片键合质量。利用EBSD测量了GaAs-GaN键合界面的菊池花样质量、晶格转动、晶格错配和位错密度等应力敏感参数。结果表明,晶片键合质量...
采用扫描电镜(SEM)和电子背散射衍射(EBSD)技术,观察和分析了GaAs和GaN晶片热压键合的界面热应力和晶片键合质量。利用EBSD测量了GaAs-GaN键合界面的菊池花样质量、晶格转动、晶格错配和位错密度等应力敏感参数。结果表明,晶片键合质量良好,键合界面中心区域的热应力小于边缘区域的热应力。GaN层和GaAs层中的应力影响范围,在中心区域分别约为100 nm和300 nm,在边缘区域分别约为100 nm和500 nm。EBSD显示的应力分布图与模拟应力场相似。模拟和计算表明,最大剥离应力和剪切应力分布在键合界面的边缘。剥离应力是导致晶片解键合的主要原因。
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关键词
gaas-gan
热应力
晶片键合
电子背散射衍射(EBSD)
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职称材料
题名
GaAs-GaN键合界面热应力的电子背散射衍射研究
被引量:
4
1
作者
田彦宝
吉元
赵跃
吴迪
郭霞
沈光地
索红莉
周美玲
机构
北京工业大学固体微结构与性能研究所
北京工业大学材料学院
北京工业大学光电子技术实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期1091-1096,1116,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.60171024)
北京市教委资助项目(No.200610005030)
文摘
采用扫描电镜(SEM)和电子背散射衍射(EBSD)技术,观察和分析了GaAs和GaN晶片热压键合的界面热应力和晶片键合质量。利用EBSD测量了GaAs-GaN键合界面的菊池花样质量、晶格转动、晶格错配和位错密度等应力敏感参数。结果表明,晶片键合质量良好,键合界面中心区域的热应力小于边缘区域的热应力。GaN层和GaAs层中的应力影响范围,在中心区域分别约为100 nm和300 nm,在边缘区域分别约为100 nm和500 nm。EBSD显示的应力分布图与模拟应力场相似。模拟和计算表明,最大剥离应力和剪切应力分布在键合界面的边缘。剥离应力是导致晶片解键合的主要原因。
关键词
gaas-gan
热应力
晶片键合
电子背散射衍射(EBSD)
Keywords
gaas-gan
thermal stress
wafer bonding
electron backscatter diffraction (EBSD)
分类号
TN454 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAs-GaN键合界面热应力的电子背散射衍射研究
田彦宝
吉元
赵跃
吴迪
郭霞
沈光地
索红莉
周美玲
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
4
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