GaAs_(1-x)N_x混晶的喇曼散射研究

室温下采用背散射几何配置,在近共振条件下测量GaAs1-xNx混晶的喇曼散射谱.由于N原子的引入,导致类GaAs的LO1、TO1声子和类GaN的LO2声子线宽变大,禁戒的TO1声子变为喇曼活性;随着N组分的增加,TO1声子强度增大、LO1声子有红移的趋势、LO2声子有蓝移的趋势,根据它们随N组分x移动的速度推断出样品不存在应变效应.另外还讨论了布里渊区边界声子LA(L)与LO(L)、二级喇曼散射谱声子LO2、LO1+LA1(L)以及2LO1随N组分x增大的变化趋势.

氮偏压对α-GaAs_(1-x)N_x薄膜性能的影响

采用磁控溅射方法在硅片上制备了不同氮偏压下的非晶GaAs1-xNx薄膜,结合拉曼光谱仪和椭偏仪等手段对样品进行了表征。结果表明,掺入氮气后,α-GaAs薄膜的拉曼光谱有明显变化;随着氮偏压的升高,α-GaAs1-xNx薄膜的折射率和消光系数逐渐减小,其峰值向短波长略微移动。另外,α-GaAs1-xNx薄膜在红外和近红外波段内几乎是透明的。

非晶GaAs_(1-x)N_x薄膜的形貌和光学性能

采用磁控溅射方法在硅片上,成功制备了不同氮偏压下的非晶GaAs1-xNx薄膜.结合AFM和光谱仪等手段对样品进行了表征,结果表明:随着氮气的引入,α-GaAs薄膜的球状颗粒转变为针状颗粒;并且随着氮偏压的升高,针状颗粒密度逐渐增大,薄膜表面的粗糙度逐渐减小;随着氮偏压的升高,a-GaAs1-xNx薄膜的光吸收边明显蓝移.

MBE GaAs_(1-x)Sb_x的喇曼光谱

在比较宽的组份范围内首次报道了MBE GaAs_(1-x)Sb_x混晶的喇曼光谱。发现声子频移强烈地依赖于Sb的组份x,而光学声子的双模行为仅仅在x>0.15时才发现,用远红外傅里叶光谱已证实这一结果。类GaAs LO模的线形分析表明本文的GaAs_(1-x)Sb_x质量较好。用质量缺陷模型和渗流理论讨论实验结果,用团聚效应解释x>0.15时声子的双模行为并估算了平均团聚尺寸。理论与实验结果符合得很好。

GaP_(1-x)N_x混晶的光致发光谱

通过 Ga P1 - x Nx( x=0 .0 5 %～ 3.1%)混晶的低温光致发光 ( PL )谱 ,探讨了 N在不同组分 Ga Nx P1 - x混晶的发光特性中所起的作用 .在低组分 ( x =0 .0 5 %～ 0 .81%)下 ,Ga Nx P1 - x的 PL谱由 NNi 对及其声子伴线的发光组成 ;在高组分 ( x≥ 1.3%)下 ,NNi 对之间相互作用形成的与 N有关的杂质带导致了 Ga Nx P1 - x混晶的带隙降低 .同时 ,在 x=0 .12 %的 Ga Nx P1 - x中 ,得到了清晰的 NN3 零声子线及其声子伴线 ,从而直接证实了 NN3具有与孤立 N中心完全相似的声子伴线 .