用综合场效应方法研究多层GaAs_(1-x)P_x的特性

本文用一种综合场效应方法(简称 CFE),研究了用于发光二极管制作的多层异质结 GaP/GaAs_(i-x)P_x 等外延材料的某些性质,测量并计算了一系列参数;证明了某些样品各层间存在不连续性及其对发光的影响,从而提供了测量发光器件的一个方法。

GaAs_(0.6)P_(0.4):Te深中心的电声耦合与晶格弛豫

用DLTS技术结合光电容定态谱、瞬态谱、OITS谱研究了GaAs_(0.6)P_(0.4):Te深中心的光电性质和电声耦合作用,在GaAs_(0.6)P_(0.4):Te中检测到两种深中心(A和B中心),表观热激活能分别为0.20和0.40eV,光离化阀值分别为0.60和1.31eV。详细研究了B中心的特性,测量了光离化截面谱的温度关系,发现有明显的声于展宽现象和晶格弛豫效应,并在低温(90K)观察到B中心的持续光电导效应。描绘出位形坐标图,说明了实验结果,较好地描述了B中心的特性,确认B中心属于DX中心。

GaP和GaAs_(1-x)P_x中N束缚激子压力行为的理论计算

本文在Koster-Slater单带位势近似下对GaP和GaAs_(1-x)P_x中N等电子中心束缚激子的压力行为与能带结构的关系进行讨论与分析,得到杂质态压力系数的一个近似的解析表达式,并对N和NN_i中心能级的压力关系进行计算。同时,给出NN_i中心配位的一组新的指认。