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梁式引线GaAs混频二极管对
被引量:
2
1
作者
周剑明
江关辉
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期203-210,共8页
文中报导的砷化镓梁式引线反向并联二极管对,可应用于鉴相器、谐波混频器等宽带部件。该器件以半绝缘GaAs为衬底,选择NbMo/GaAs微合金形成肖特基势垒,SiO2和聚酰亚胺双介质作为钝化保护膜,以及合理的工艺途径。器...
文中报导的砷化镓梁式引线反向并联二极管对,可应用于鉴相器、谐波混频器等宽带部件。该器件以半绝缘GaAs为衬底,选择NbMo/GaAs微合金形成肖特基势垒,SiO2和聚酰亚胺双介质作为钝化保护膜,以及合理的工艺途径。器件抗烧毁能力强,可靠性好。其伏安特性n因子小于1.1,结电容2Cj=0.1~0.2pF,正向微分电阻为3~6Ω,分布电容较小,结电容差为ΔCj≤0.025pF,正向电压差为ΔVF≤25mV。将该器件应用于18~40GHz宽带分谐波混频器中,中频带宽为4~8GHz,混频器的变频损耗低于20dB,本振功率为13dBm。
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关键词
砷化镓
梁式引线
混频
二极管对
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职称材料
题名
梁式引线GaAs混频二极管对
被引量:
2
1
作者
周剑明
江关辉
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期203-210,共8页
文摘
文中报导的砷化镓梁式引线反向并联二极管对,可应用于鉴相器、谐波混频器等宽带部件。该器件以半绝缘GaAs为衬底,选择NbMo/GaAs微合金形成肖特基势垒,SiO2和聚酰亚胺双介质作为钝化保护膜,以及合理的工艺途径。器件抗烧毁能力强,可靠性好。其伏安特性n因子小于1.1,结电容2Cj=0.1~0.2pF,正向微分电阻为3~6Ω,分布电容较小,结电容差为ΔCj≤0.025pF,正向电压差为ΔVF≤25mV。将该器件应用于18~40GHz宽带分谐波混频器中,中频带宽为4~8GHz,混频器的变频损耗低于20dB,本振功率为13dBm。
关键词
砷化镓
梁式引线
混频
二极管对
Keywords
gaasbeamleaddiodepair
分类号
TN315.3 [电子电信—物理电子学]
TN305.96 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
梁式引线GaAs混频二极管对
周剑明
江关辉
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999
2
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