X波段超低功耗限幅低噪声放大器芯片的设计

阐述基于GaAs工艺开发一款9~10.2GHz限幅低噪声放大器单片微波集成芯片(MMIC)。该芯片限幅器基于I-Layer 1μm厚度的PIN二极管工艺,低噪声放大器基于增强型E-pHMET工艺,并将先限幅器和低噪声放大器集成在同一衬底,实现一片式开发。该MMIC中限幅器采用两级反向并联二极管结构,优化插损和功率特性。低噪声放大器采用三级电流复用结构和负反馈匹配,在较宽的频段内获取高增益、低噪声和超低功耗等指标。