用于SDH STM-64光接收机的GaAs HBT限幅放大器

采用 2 μmGaAsHBT工艺实现了 10Gb/s的限幅放大器 .整个系统包括一级输入缓冲、三级放大、一级用于驱动 5 0Ω传输线的输出缓冲和失调电压补偿回路四个部分 .采用双电源供电 ,正电源为 3.3V ,负电源为 2V ,功耗为5 0 0mW .在输出电压幅度保持恒定 (单端峰峰值 30 0mV)的条件下 ,输入动态范围约为 38dB .芯片面积为 1.15× 0 .7mm2 .

The Third-Order Intermodulation Distortion in the AlGaAs/GaAs HBT Amplifier

在测试了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ（异质结晶体管）的直流特性和Ｓ参数的基础上，建立了其微波小信号等效电路，准确的等效电路有利于其微波线性应用的分析．应用Ｖｏｌｔｅｒａ级数，计算了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ放大器的三阶互调失真，计算结果和双音测试结果相当一致。

功率AlGaAs/GaAs HBT自加热频率特性

提出了一种功率AlGaAs/GaAsHBT的自加热温度模型,讨论了在大电流条件下,器件晶格温度升高和基区扩展效应对HBT器件频率特性的影响,并对器件的晶格温度、截止频率和最高振荡频率在自加热条件下的变化分别进行了计算和模拟.

基于GaAs HBT工艺的动态分频器的研究与设计

针对静态分频器工作频率越高功耗越大的问题,本文采用GaAs HBT工艺研究设计了高性能动态分频器。通过对动态分频器结构进行研究,采用有源负载代替传统的电阻负载,提高了分频器工作的频率。同时对动态分频器进行电路设计,并对其进行仿真,得出其分频范围为9~15 GHz,具有良好的输入灵活度,功耗仅为130.26m W,满足设计要求。

北斗系统射频功率放大器的研究与设计

本文设计了一款可应用于我国北斗卫星导航系统的单片微波集成功率放大器。该功率放大器基于台湾WIN半导体公司的InGaP/GaAs异质结双极型晶体管(HBT)器件Q360模型,仿真结果表明,其在1.5—1.7GHz的工作频率范围内,小信号增益稳定在40dB左右,输入输出反射系数均在-10dB以下,P1dB输出功率为35dBm,大信号功率增益达到36.5dB,效率附加效率(PAE)达到56%,可满足我国北斗系统的常规应用。

应用于TD-SCDMA移动终端的单片InGaP/GaAs HBT功率放大器(英文)

报道了用于TD-SCDMA移动终端的高效率、高线性度HBT功率放大器的研制.该单片功率放大器采用两级放大结构,内部集成了输入匹配、级间匹配网络以及有源偏置电路,总芯片面积仅为0.91mm×0.98mm.该功率放大器采用单电源3.4V供电,在高、低功率模式下,PAE分别为43%和16%,增益达到了28.5以及24dB.当输入QPSK调制信号时,在低输出功率以及高输出功率状态下,1.6MHz/3.2MHz中心频偏处,ACPR分别低于-45dBc/-56dBc和-39dBc/-50dBc.本芯片尺寸小,电压稳定性高,性能优越,为低成本化的大规模生产提供了可能性.