期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
GaAsMIS肖特基结的GaAs-MgO界面层的电学性质
1
作者
高娴
唐吉龙
+7 位作者
房丹
王双鹏
赵海峰
魏志鹏
方铉
王晓华
徐志堃
马晓辉
《纳米科技》
2015年第3期12-15,共4页
使用分子束外延(MBE)技术生长Be掺杂的GaAs膜层,在此基础上,制备Au/GaAs Schottky二极管.另外,在Au与GaAs之间用原子层沉积技术(ALD) 插入一层MgO绝缘层,研究不同掺杂浓度的GaAs对势垒高度及影响因子的影响,实验结果表明,Au/MgO/GaA...
使用分子束外延(MBE)技术生长Be掺杂的GaAs膜层,在此基础上,制备Au/GaAs Schottky二极管.另外,在Au与GaAs之间用原子层沉积技术(ALD) 插入一层MgO绝缘层,研究不同掺杂浓度的GaAs对势垒高度及影响因子的影响,实验结果表明,Au/MgO/GaAs结构的肖特基势垒,随着掺杂浓度的升高而增大,影响因子呈现先降低后增加的趋势.
展开更多
关键词
Be掺杂GaAs
gaasmis结构
I-V
肖特基势垒高度
理想因子
下载PDF
职称材料
题名
GaAsMIS肖特基结的GaAs-MgO界面层的电学性质
1
作者
高娴
唐吉龙
房丹
王双鹏
赵海峰
魏志鹏
方铉
王晓华
徐志堃
马晓辉
机构
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
中国科学院长春光机所发光学及应用国家重点实验室
哈尔滨师范大学
出处
《纳米科技》
2015年第3期12-15,共4页
文摘
使用分子束外延(MBE)技术生长Be掺杂的GaAs膜层,在此基础上,制备Au/GaAs Schottky二极管.另外,在Au与GaAs之间用原子层沉积技术(ALD) 插入一层MgO绝缘层,研究不同掺杂浓度的GaAs对势垒高度及影响因子的影响,实验结果表明,Au/MgO/GaAs结构的肖特基势垒,随着掺杂浓度的升高而增大,影响因子呈现先降低后增加的趋势.
关键词
Be掺杂GaAs
gaasmis结构
I-V
肖特基势垒高度
理想因子
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaAsMIS肖特基结的GaAs-MgO界面层的电学性质
高娴
唐吉龙
房丹
王双鹏
赵海峰
魏志鹏
方铉
王晓华
徐志堃
马晓辉
《纳米科技》
2015
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部