芯片级PHEMT热特性等效方法

为了准确估计砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的单片微波集成电路(MMIC)的热特性,提出芯片级PHEMT的热特性等效方法.该方法通过PHEMT管芯结构等效,引入芯片版图和过孔的热扩散效应,建立芯片级热仿真模型,可以在不改变管芯横向热分布的情况下,大幅简化仿真模型的网格,有效提高芯片级管芯峰值温度的仿真精度和仿真速度.基于该热特性等效方法,在ANSYS ICEPAK中对一颗GaAs PHEMT MMIC(单片微波集成电路)功率放大器芯片和一颗GaAs PHEMT MMIC驱动放大器芯片进行建模和仿真.运用红外热成像仪对两颗芯片温度进行实测,仿真与实测的芯片PHEMT峰值温度具有良好的一致性.基于该芯片级PHEMT热特性等效方法可知,芯片热仿真所得的峰值温度与实测结果的误差控制在2%之内.