20GHz宽带GaAs PHEMT分布式前置放大器

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种光接收机分布式前置放大器.该放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比(VSWR)均小于2;带内噪声系数在3.03~6.5dB之间,平均等效输入噪声电流密度约为14.6pA/Hz;在输入10Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)信号下,放大器输出眼图清晰,具有12ps的定时抖动和166mV峰峰电压.

基于248 nm光刻机工艺的高性能0.15μm GaAs LN pHEMT

报道了一种0.15μm GaAs pHEMT的制作工艺,该工艺使用248 nm DUV光刻机和烘胶工艺方案。利用成熟的Ka波段宽带低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在26.5～40 GHz频段内,电路增益大于17.5 dB,在29.5 GHz处增益达19.9 dB;噪声系数小于2.4 dB,在33.1 GHz处,最小噪声1.96 dB;输入输出驻波比小于1.36,1 dB压缩点输出功率大于6.4 dBm,直流功耗为142.5mW。和基于同样电路的电子束直写裸栅工艺相比,关键指标及生产效率都有明显提升。

9~15 GHz GaAs MMIC宽带高效率功率放大器

基于0.15μm栅长GaAs E-PHEMT工艺,设计了一款可应用于X波段和Ku波段的宽带高效率功率放大器。针对二次谐波会明显降低功率放大器效率的问题,采用四分之一波长微带线组成输出端偏置网络,将二次谐波短接到地,有效地提高了功率附加效率;通过分析匹配网络级数对宽带匹配的影响,输出匹配电路采用电容微带线组成的两级电抗网络实现低Q值匹配,拓展了电路的宽带特性。测试结果表明,该放大器在9~15 GHz工作频率内,连续波饱和输出功率大于28 dBm,功率附加效率为35%~45%,功率回退至19 dBm下时,IMD3小于-34 dBc,该MMIC尺寸为2.34 mm*1.25 mm。