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AlCl_(3)和GaCl_(3)上AsH_(3)催化氧化反应机理的理论研究
1
作者 杨春晓 张艳琨 +4 位作者 张可欣 李粉吉 杜晓琴 李相华 夏福婷 《云南民族大学学报（自然科学版）》 CAS 2021年第2期118-124,共7页
采用密度泛函方法研究了AsH_(3)与O_(2)的反应机理以及在催化剂AlCl_(3)和GaCl_(3)上该反应的催化氧化反应机理.途径Ⅰ为AsH_(3)与一分子O_(2)反应生成H_(3)AsO_(2),该途径分2步完成,第2步为速度控制步骤.途径Ⅱ为H_(3)AsO_(2)与另一分... 采用密度泛函方法研究了AsH_(3)与O_(2)的反应机理以及在催化剂AlCl_(3)和GaCl_(3)上该反应的催化氧化反应机理.途径Ⅰ为AsH_(3)与一分子O_(2)反应生成H_(3)AsO_(2),该途径分2步完成,第2步为速度控制步骤.途径Ⅱ为H_(3)AsO_(2)与另一分子O_(2)反应生成H_(3)AsO_(4),该途径分4步完成,其中第4步的活化自由能垒最高,为50.14 kcal/mol.途径Ⅲ和IV分别为AlCl_(3)和GaCl_(3)上AsH_(3)与O_(2)的反应途径.计算结果表明在这2种催化剂上,AsH_(3)与O_(2)反应的活化自由能垒均降低,约为12~15 kcal/mol. 展开更多
关键词 AsH_(3) 催化氧化 AlCl_(3) gacl_(3) 密度泛函理论
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