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GaInP/(Al_xGa_(1-x))InP多量子阱结构的光荧光特性分析
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作者 陈练辉 范广涵 +2 位作者 陈贵楚 吴文光 李华兵 《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第3期60-63,共4页
利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了GaInP/(AlxGa1-x)InP多量子阱(MQW)结构材料,对其进行光荧光特性测量,观察到在波长λ=647 8nm和λ=861 6nm处分别存在一个强发光锋和一个弱发光峰.理论计算和实测结果基本一致.
关键词 gainp/(alxga1-x)inp 多量子阱 光荧光特性 发光二极管 半导体 光荧光谱 发光锋
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