期刊文献+
共找到7篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Effects of 50keV and 100keV Proton Irradiation on GaInP/GaAs/Ge Triple-Junction Solar Cells 被引量:1
1
作者 王荣 冯钊 +1 位作者 刘运宏 鲁明 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第7期647-649,共3页
GaInP/GaAs/Ge triple-junction solar cells were irradiated with 50 keV and 100 keV protons at fluences of 5 × 10^10 cm^-2, 1 × 10^11 cm^-2,1 × 10^12 cm^-2, and 1 × 10^13 cm^-2. Their performance deg... GaInP/GaAs/Ge triple-junction solar cells were irradiated with 50 keV and 100 keV protons at fluences of 5 × 10^10 cm^-2, 1 × 10^11 cm^-2,1 × 10^12 cm^-2, and 1 × 10^13 cm^-2. Their performance degradation is analyzed using current-voltage characteristics and spectral response measurements, and then the changes in Isc, Voc, Pmax and the spectral response of the cells are observed as functions of proton irradiation fluence and energy. The results show that the spectral response of the top cell degrades more significantly than that of the middle cell, and 100 keV proton-induced degradation rates of Isc, Voc and Pmax are larger compared with 50 keV proton irradiation. 展开更多
关键词 gainp/gaas/ge solar cell proton irradiation spectral response
下载PDF
国产高效GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的低能质子辐射效应 被引量:6
2
作者 王荣 刘运宏 +1 位作者 孙旭芳 崔新宇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1599-1602,共4页
运用2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束,对MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge三结电池进行低能质子辐射效应研究.选质子能量为0.28,0.62和2.80MeV,辐照注量为1×1010,1×1011,1×1012和1×1013cm-2.对电池的辐射效应... 运用2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束,对MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge三结电池进行低能质子辐射效应研究.选质子能量为0.28,0.62和2.80MeV,辐照注量为1×1010,1×1011,1×1012和1×1013cm-2.对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析.研究结果表明:随辐照注量的增加,太阳电池性能参数Isc,Voc和Pmax的衰降幅度均增大;但随质子辐照能量的增加,Isc,Voc和Pmax的衰降幅度均减小.实验中0.28MeV质子辐照引起电池Isc,Voc,Pmax衰降最显著,三结电池中光谱响应衰降最明显的是中间GaAs电池. 展开更多
关键词 gainp/gaas/ge太阳电池 质子辐照 光谱响应
下载PDF
一种国产GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照特性 被引量:5
3
作者 牛振红 郭旗 +3 位作者 任迪远 刘刚 高嵩 肖志斌 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期37-39,共3页
对一种国产GalnP/GaAs/Ge三结太阳电池进行了1 MeV电子辐照损伤研究,分析和讨论了不同注量电池电参数和光谱响应的衰降规律。实验结果表明,这种电池不但有很高的初始效率,而且有好的抗辐射性,电子注量达到1×1015cm-2时,最大输出功... 对一种国产GalnP/GaAs/Ge三结太阳电池进行了1 MeV电子辐照损伤研究,分析和讨论了不同注量电池电参数和光谱响应的衰降规律。实验结果表明,这种电池不但有很高的初始效率,而且有好的抗辐射性,电子注量达到1×1015cm-2时,最大输出功率为辐照前的80.4%。辐照后GalnP顶电池几乎不发生退化,而GaAs中间电池短路电流严重退化,致使GalnP顶电池与GaAs中间电池电流失配,是GalnP/GaAs/Ge电池性能退化的主要原因。 展开更多
关键词 多结太阳电池 gainp/gaas/ge 电子辐照 辐照效应 光谱响应
下载PDF
0.28-2.80MeV质子辐射对空间实用GaInP/GaAs/Ge多结太阳电池性能的影响 被引量:2
4
作者 刘运宏 孙旭芳 王荣 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期47-49,共3页
用0.28、0.62和2.80 MeV质子束模拟空间辐射对国产MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge多结电池进行质子辐射效应研究。辐照注量为1×10^(12)cm^(-2)。对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析。结果表明:随质子辐照能量的增加,... 用0.28、0.62和2.80 MeV质子束模拟空间辐射对国产MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge多结电池进行质子辐射效应研究。辐照注量为1×10^(12)cm^(-2)。对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析。结果表明:随质子辐照能量的增加,太阳电池性能参数I_(sc),V_(oc),p_(max)和光谱响应的衰降幅度均减小,0.28MeV质子辐照引起电池性能衰降最显著;低能质子辐照引起中间GaAs电池光谱响应衰降更明显。 展开更多
关键词 gainp/gaas/ge太阳电池 质子辐照 光谱响应
下载PDF
GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池不同能量质子辐照损伤模拟 被引量:8
5
作者 李俊炜 王祖军 +5 位作者 石成英 薛院院 宁浩 徐瑞 焦仟丽 贾同轩 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期289-299,共11页
以GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池为研究对象,开展了能量为0.7, 1, 3, 5, 10 MeV的质子辐照损伤模拟研究,建立了三结太阳电池结构模型和不同能量质子辐照模型,获得了不同质子辐照条件下的I-V曲线,光谱响应曲线,结合已有实验结果验证了本文... 以GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池为研究对象,开展了能量为0.7, 1, 3, 5, 10 MeV的质子辐照损伤模拟研究,建立了三结太阳电池结构模型和不同能量质子辐照模型,获得了不同质子辐照条件下的I-V曲线,光谱响应曲线,结合已有实验结果验证了本文模拟结果,分析了三结太阳电池短路电流、开路电压、最大功率、光谱响应随质子能量的变化规律,利用不同辐照条件下三结太阳电池最大输出功率退化结果,拟合得到了三结太阳电池最大输出功率随位移损伤剂量的退化曲线.研究结果表明,质子辐照会在三结太阳电池中引入位移损伤缺陷,使得少数载流子扩散长度退化幅度随质子能量的减小而增大,从而导致三结太阳电池相关电学参数的退化随质子能量的减小而增大.相同辐照条件下,中电池光谱响应退化幅度远大于顶电池光谱响应退化幅度,中电池抗辐照性能较差,同时中电池长波范围内光谱响应的退化幅度比短波范围更大,表明中电池相关电学参数的退化主要来源于基区损伤. 展开更多
关键词 三结太阳电池 辐照缺陷 质子辐照模型 数值模拟
下载PDF
50-170keV质子照射对GaAs/Ge太阳能电池光谱响应的影响 被引量:2
6
作者 赵慧杰 何世禹 +3 位作者 肖志彬 孙彦铮 肖景东 张益君 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期31-34,共4页
用固定能量(100 keV)不同注量(1×10^(11)-3×10^(12)cm^(-2))或固定注量(3×10^(12)cm^(-2))不同能量(50-170 keV)的质子,照射GaAs/Ge太阳电池,获得材料的光谱响应特性随质子能量和注量的变化关系。结果表明,质子辐照对材... 用固定能量(100 keV)不同注量(1×10^(11)-3×10^(12)cm^(-2))或固定注量(3×10^(12)cm^(-2))不同能量(50-170 keV)的质子,照射GaAs/Ge太阳电池,获得材料的光谱响应特性随质子能量和注量的变化关系。结果表明,质子辐照对材料的光学性能有破坏性的影响。这种破坏性源于质子辐照引入的大量缺陷,使品格空间的完整性受到破坏,导致少子的扩散长度降低、表面复合速度增加。在质子能量相同的条件下,电池光学性能衰降随照射注量增大;在注量相同的条件下,辐射能量越高,太阳电池光学性能衰降越大。 展开更多
关键词 gaas/ge太阳电池 质子辐射 光谱响应
下载PDF
GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照损伤效应 被引量:12
7
作者 胡建民 吴宜勇 +2 位作者 钱勇 杨德庄 何世禹 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第7期5051-5056,共6页
研究了1 MeV和1.8 MeV电子辐照下GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的辐照损伤效应.电学性能研究结果表明,GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的开路电压、短路电流和最大功率随辐照剂量的增加发生明显衰降,在1 MeV电子辐照下剂量为1×1015cm-2时,... 研究了1 MeV和1.8 MeV电子辐照下GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的辐照损伤效应.电学性能研究结果表明,GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的开路电压、短路电流和最大功率随辐照剂量的增加发生明显衰降,在1 MeV电子辐照下剂量为1×1015cm-2时,与辐照前相比最大功率衰降了17.7%.暗I-V特性分析表明,高能电子辐照下三结电池串、并联电阻的变化是引起太阳电池电学性能衰降的重要原因.光谱响应分析结果表明,GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池电学性能发生明显衰降的主要原因是其GaAs子电池的严重损伤造成的,而GaAs子电池的损伤主要表现为基区底部光生载流子收集效率的明显衰降.提高GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池抗辐照能力的关键在于尽可能地减小GaAs子电池的基区损伤. 展开更多
关键词 gainp/gaas/ge太阳电池 电子辐照 电学性能 光谱响应
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部