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Simulation analysis of a high efficiency GaInP/Si multijunction solar cell
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作者 M.Benaicha L.Dehimi +1 位作者 F.Pezzimenti F.Bouzid 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2020年第3期54-58,共5页
The solar power conversion efficiency of a gallium indium phosphide(GaInP)/silicon(Si)tandem solar cell has been investigated by means of a physical device simulator considering both mechanically stacked and monolithi... The solar power conversion efficiency of a gallium indium phosphide(GaInP)/silicon(Si)tandem solar cell has been investigated by means of a physical device simulator considering both mechanically stacked and monolithic structures.In particular,to interconnect the bottom and top sub-cells of the monolithic tandem,a gallium arsenide(GaAs)-based tunnel-junction,i.e.GaAs(n+)/GaAs(p+),which assures a low electrical resistance and an optically low-loss connection,has been considered.The J–V characteristics of the single junction cells,monolithic tandem,and mechanically stacked structure have been calculated extracting the main photovoltaic parameters.An analysis of the tunnel-junction behaviour has been also developed.The mechanically stacked cell achieves an efficiency of 24.27%whereas the monolithic tandem reaches an efficiency of 31.11%under AM1.5 spectral conditions.External quantum efficiency simulations have evaluated the useful wavelength range.The results and discussion could be helpful in designing high efficiency monolithic multijunction GaInP/Si solar cells involving a thin GaAs(n+)/GaAs(p+)tunnel junction. 展开更多
关键词 gainp/si tandem solar cells power efficiency numerical simulations
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Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响 被引量:1
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作者 李述体 范广涵 +4 位作者 周天明 王浩 孙慧卿 郑树文 郭志友 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期375-378,共4页
采用LP MOCVD技术在n GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片。以X射线双晶衍射技术和光致发光技术对外延片进行了表征 ,研究了Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响。研究表明 :掺Si能大大提高 (Al0 .3 Ga0 .7) 0 .5... 采用LP MOCVD技术在n GaAs衬底上生长了AlGaInP/GaInP多量子阱红光LED外延片。以X射线双晶衍射技术和光致发光技术对外延片进行了表征 ,研究了Si掺杂对AlGaInP/GaInP多量子阱性能的影响。研究表明 :掺Si能大大提高 (Al0 .3 Ga0 .7) 0 .5In0 .5P/Ga0 .5In0 .5P多量子阱的发光强度。相对于未故意掺杂的样品 ,多量子阱垒层掺Si使多量子阱的发光强度提高了 13倍 ,阱层和垒层均掺Si使多量子阱的发光强度提高了 2 8倍。外延片的X射线双晶衍射测试表明 。 展开更多
关键词 ALgainp Algainp/gainp多量子阱 X射线双晶衍射 si掺杂 光致发光
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GaAs衬底上生长的GaInP_2外延单晶薄膜的杂质污染研究
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作者 乐小云 梁家昌 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期25-28,共4页
各种外延技术已被用来在GaAs衬底上生长GaxIn1-xP外延单晶薄膜(GaInP2/GaAs).很多文献认为,在GaInP2/GaAs生长过程中会被C杂质污染.我们用高灵敏的CAMECAIMS4F型二次离子质谱仪直... 各种外延技术已被用来在GaAs衬底上生长GaxIn1-xP外延单晶薄膜(GaInP2/GaAs).很多文献认为,在GaInP2/GaAs生长过程中会被C杂质污染.我们用高灵敏的CAMECAIMS4F型二次离子质谱仪直接测量的结果表明,污染GaInP2/GaAs的微量杂质是Si,而不是C.由GaInP2/GaAs在1.17eV附近的光致发光峰的峰值随激发强度的变化形状表明了它应属于施主-受主对复合发光.进一步分析表明,施主为处在Ga格位上的Si杂质(SiGa),受主为Ga空位(VGa). 展开更多
关键词 外延薄膜 污染杂质 镓铟磷 砷化镓 复合发光
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