Formation of Self-organization InAs Quantum Dots on (001) InP Substrate by As/P Exchange Reaction in MOCVD

ＦｏｒｍａｔｉｏｎｏｆＳｅｌｆ┐ｏｒｇａｎｉｚａｔｉｏｎＩｎＡｓＱｕａｎｔｕｍＤｏｔｓｏｎ（００１）ＩｎＰＳｕｂｓｔｒａｔｅｂｙＡｓ／ＰＥｘｃｈａｎｇｅＲｅａｃｔｉｏｎｉｎＭＯＣＶＤ＊ＷＡＮＧＢｅｎ－ｚｈｏｎｇ＊，ＺＨＡＯＦａｎｇ－ｈａｉ，ＰＥＮＧＹ...

GaInSb/GaSb量子阱结构的低温光致发光谱

ＧａＩｎＳｂ三元合金半导体可用于制作工作于１．５５～５．５μｍ波段范围的光电子器件．在光通讯方面，需要２．５５μｍ波长的激光器和接收器，ＧａＩｎＳｂ半导体合金无疑是一种可选的材料．此外，这种材料也可用于制作高速电子器件，与ＧａＡｓ基异质结构相比，Ｇａ...

MOCVD的InGaAs／GaAs应变层量子阱的低温光致发光研究

本文中利用ＭＯＣＶＤ方法得到了高质量的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变层量子阱材料，４．３ｎｍ量子阱１０ＫＰＬＦＷＨＭ仅为３．４９ｍｅＶ．通过对样品荧光谱在变激发强度，变温时的峰位、峰形研究，我们发现，合金组分起伏散射是样品低温荧光谱展宽的主要原因，因而是ＭＯＣＶＤ生长中应该首先解决的问题，实验结果还表明，在讨论低温ＰＬ谱形时，必需考虑光生载流子由随机起伏势中高能位置向低能位置的迁移过程．

红橙光InGaN/GaN量子阱的结构与光学性质研究

采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长了具有高In组分InGaN阱层的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构,高分辨X射线衍射(HRXRD)ω-2θ扫描拟合得到阱层In含量28%。比较大的表面粗糙度表明有很大的位错密度。室温下光致荧光(PL)研究发现该量子阱发射可见的红橙光,峰位波长在610 nm附近。变温PL(15～300 K)进一步揭示量子阱在低温下有两个发光机制,对应的发射峰波长分别为538 nm和610 nm。由于In分凝和载流子的局域化导致的载流子动力改变,使得量子阱PL发光峰值随温度增加呈明显的"S"变化趋势。

InGaN/GaN多量子阱电池的垒层结构优化及其光学特性调控

InGaN基量子阱作为太阳电池器件的有源区时,垒层厚度设计以及实际生长对其光学特性的影响极为重要。采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,在蓝宝石衬底上外延生长了垒层厚度较厚的InGaN/GaN多量子阱,使用高分辨X射线衍射和变温光致发光谱研究了垒层厚度对InGaN多量子阱太阳电池结构的界面质量、量子限制效应及其光学特性的影响。较厚垒层的InGaN/GaN多量子阱的周期重复性和界面品质较好,这可能与垒层较薄时对量子阱的生长影响有关。同时,厚垒层InGaN/GaN多量子阱的光致发光光谱峰位随温度升高呈现更为明显的"S"形(红移-蓝移-红移)变化,表现出更强的局域化程度和更高的内量子效率。