杂质与缺陷对GaMnAs光学特性影响的研究

提高GaMnAs材料中Mn的含量可以提高其居里温度,但随之而来也会引入很多缺陷。为了研究高含量Mn引入的缺陷对稀磁半导体材料的影响,本文对低温分子束外延技术(LT-MBE)生长的GaMnAs外延层进行了光电导以及红外等光谱的分析。通过对样品的光谱分析,发现样品中存在大量的As反位缺陷(AsGa)、Mn的间隙位缺陷(MnI)、以及在生长和退火过程中产生的Mn以及MnAs团簇等缺陷,这些缺陷都会影响外延层的光谱特性,同时也会影响器件的电学性能。