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基于XPS与XAS的稀磁半导体GaMnN电子结构研究
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作者 胡友昊 吴文静 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2023年第5期182-186,共5页
采用基于同步辐射技术的X射线光电子能谱(XPS)与X射线吸收谱(XAS)测试由金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备的不同Mn掺杂浓度的稀磁半导体GaMnN薄膜的电子结构,探究Mn掺杂浓度对磁性原子Mn周围的局域环境和电子态等方面的影响,并阐述... 采用基于同步辐射技术的X射线光电子能谱(XPS)与X射线吸收谱(XAS)测试由金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术制备的不同Mn掺杂浓度的稀磁半导体GaMnN薄膜的电子结构,探究Mn掺杂浓度对磁性原子Mn周围的局域环境和电子态等方面的影响,并阐述材料铁磁性变化的机理.XPS和XAS图谱分析表明:Mn^(2+)和Mn^(3+)共存于薄膜样品内,样品D中Mn^(2+)占比高达70%-80%,N空位随Mn掺杂浓度增加而增多且N空位能够使空穴浓度降低,导致Mn 3 d和N 2p轨道间的相互交换作用减小,从而减弱体系铁磁性.此外,Mn不同的掺杂浓度会影响GaMnN薄膜p-d耦合杂化能力的强弱,当掺Mn 1.8%时具有较强的p-d耦合杂化能力. 展开更多
关键词 gamnn 电子结构 X射线光电子能谱 X射线吸收谱
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ECR-PEMOCVD技术生长的GaMnN薄膜的特性 被引量:1
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作者 何欢 秦福文 +5 位作者 吴爱民 王叶安 代由勇 姜辛 徐茵 顾彪 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1053-1057,共5页
利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁半导体薄膜.RHEED图像呈现清晰的斑点状点阵,表明薄膜为单晶,表面不是很平整,为三维岛状生长模式.X... 利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁半导体薄膜.RHEED图像呈现清晰的斑点状点阵,表明薄膜为单晶,表面不是很平整,为三维岛状生长模式.X射线衍射分析表明薄膜为六方结构,沿c轴方向生长,结晶性良好.AFM显示薄膜是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SQUID)测量显示在室温下薄膜依然具有铁磁性,居里温度约为400K. 展开更多
关键词 ECR-PEMOCVD 稀磁半导体 gamnn 室温铁磁性 居里温度
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Role of vacancy-type defects in magnetism of GaMnN 被引量:1
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作者 邢海英 陈雨 +6 位作者 纪骋 蒋盛翔 苑梦尧 郭志英 李琨 崔明启 张国义 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第6期517-522,共6页
Role of vacancy-type(N vacancy(VN) and Ga vacancy(VGa)) defects in magnetism of GaMnN is investigated by first-principle calculation.Theoretical results show that both the VNand VGainfluence the ferromagnetic st... Role of vacancy-type(N vacancy(VN) and Ga vacancy(VGa)) defects in magnetism of GaMnN is investigated by first-principle calculation.Theoretical results show that both the VNand VGainfluence the ferromagnetic state of a system.The VNcan induce antiferromagnetic state and the VGaindirectly modify the stability of the ferromagnetic state by depopulating the Mn levels in GaMnN.The transfer of electrons between the vacancy defects and Mn ions results in converting Mn3+(d4) into Mn2+(d5).The introduced VNand the ferromagnetism become stronger and then gradually weaker with Mn concentration increasing,as well as the coexistence of Mn3+(d4) and Mn2+(d5) are found in GaMnN films grown by metal–organic chemical vapor deposition.The analysis suggests that a big proportion of Mn3+changing into Mn2+will reduce the exchange interaction and magnetic correlation of Mn atoms and lead to the reduction of ferromagnetism of material. 展开更多
关键词 gamnn vacancy defect FERROMAGNETISM first-principles calculation MOCVD
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Mid-gap photoluminescence and magnetic properties of GaMnN films grown by metal–organic chemical vapor deposition
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作者 邢海英 徐章程 +2 位作者 崔明启 谢玉芯 张国义 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第10期538-540,共3页
Metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) grown ferromagnetic GaMnN films are investigated by photo- luminescence (PL) measurement with a mid-gap excitation wavelength of 405 nm. A sharp PL peak at 1.8 eV is... Metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) grown ferromagnetic GaMnN films are investigated by photo- luminescence (PL) measurement with a mid-gap excitation wavelength of 405 nm. A sharp PL peak at 1.8 eV is found and the PL intensity successively decreases with the addition of Mn, in which the Mn concentration of sample A is below 1% ([Mn]A =0.75%) but its PL intensity is stronger than other samples'. The 1.8-eV PL peak is attributed to the recombination of electrons in the t2 state of the neutral Mn3+ acceptor with holes in the valence band. With Mn concentration increasing, the intensity of the PL peak decreases and the magnetic increment reduces in our samples. The correlation between the PL peak intensity and ferromagnetism of the samples is discussed in combination with the experimental results. 展开更多
关键词 gamnn PHOTOLUMINESCENCE MAGNETISM metal-organic chemical vapor deposition
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金属有机化学气相淀积技术制备GaMnN薄膜材料光学性质研究 被引量:1
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作者 邢海英 范广涵 +1 位作者 杨学林 张国义 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期504-507,共4页
研究由MOCVD技术制备的GaMnN外延薄膜光吸收谱.实验发现Mn掺杂后较未掺杂GaN吸收系数在近紫外区增加,在吸收谱低能区1.44eV附近观察到吸收峰,吸收系数随Mn浓度的增加而增大.实验结果与基于密度泛函理论的第一性原理计算结果一致,结合理... 研究由MOCVD技术制备的GaMnN外延薄膜光吸收谱.实验发现Mn掺杂后较未掺杂GaN吸收系数在近紫外区增加,在吸收谱低能区1.44eV附近观察到吸收峰,吸收系数随Mn浓度的增加而增大.实验结果与基于密度泛函理论的第一性原理计算结果一致,结合理论计算分析认为1.44eV附近的吸收峰源于Mn3+离子e态与t2态间的带内跃迁5T2→5E. 展开更多
关键词 gamnn MOCVD 密度泛函理论 光学性质
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基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究 被引量:1
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作者 王叶安 秦福文 +3 位作者 吴东江 吴爱民 徐茵 顾彪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期508-513,共6页
利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,采用二茂锰(Cp2Mn)作为Mn源,高纯氮气作为氮源,三乙基镓(TEGa)作为Ga源,在蓝宝石(α-Al2O3)(0001)衬底上外延生长GaMnN稀磁半导体薄膜.反射高能电子衍射(RHEED)... 利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,采用二茂锰(Cp2Mn)作为Mn源,高纯氮气作为氮源,三乙基镓(TEGa)作为Ga源,在蓝宝石(α-Al2O3)(0001)衬底上外延生长GaMnN稀磁半导体薄膜.反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)表征了GaMnN薄膜的晶体结构和表面形貌.GaMnN薄膜均表现出良好的(0002)择优取向,表明制备的薄膜倾向于c轴方向生长,薄膜保持很好的纤锌矿结构.表面形貌是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SQUID)用来表征薄膜的磁性.SQUID分析表明,薄膜呈铁磁性,铁磁性仅可能来源于三元相GaMnN,薄膜的居里温度高于350K.而且,高Mn的含量可以提高薄膜的居里温度. 展开更多
关键词 gamnn薄膜 稀磁半导体 铁磁性 居里温度
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GaMnN铁磁共振隧穿二极管自旋电流输运以及极化效应的影响
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作者 汤乃云 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期3397-3401,共5页
通过理论计算研究GaMnN铁磁共振隧穿二极管自旋电流输运特性.理论结果表明在电流特性曲线上出现两个明显的自旋分裂峰.该电流自旋分裂峰和相应的自旋极化随温度的升高而逐渐减小消失.当进一步考虑到GaN异质结界面极化电荷影响时,自旋向... 通过理论计算研究GaMnN铁磁共振隧穿二极管自旋电流输运特性.理论结果表明在电流特性曲线上出现两个明显的自旋分裂峰.该电流自旋分裂峰和相应的自旋极化随温度的升高而逐渐减小消失.当进一步考虑到GaN异质结界面极化电荷影响时,自旋向下的电流共振峰得到明显增强,同时电流的自旋极化也得到相应的提高.在一定的极化电荷条件下,可以获得较高的自旋极化电流. 展开更多
关键词 gamnn 铁磁 共振隧穿 二极管 自旋电流输运 极化效应 极化电荷
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GaMnN材料红外光谱中洛伦兹振子模型的遗传算法研究 被引量:1
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作者 程兴华 唐龙谷 +4 位作者 陈志涛 龚敏 于彤军 张国义 石瑞英 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第9期5875-5880,共6页
利用红外反射光谱研究了蓝宝石衬底上用金属有机物化学气相淀积方法生长的稀磁半导体GaMnN材料的晶格振动特性.并成功地将改进的遗传算法应用于其红外反射光谱洛伦兹振子模型参数的提取.通过与GaN薄膜的洛伦兹振子模型参数的对比研究发... 利用红外反射光谱研究了蓝宝石衬底上用金属有机物化学气相淀积方法生长的稀磁半导体GaMnN材料的晶格振动特性.并成功地将改进的遗传算法应用于其红外反射光谱洛伦兹振子模型参数的提取.通过与GaN薄膜的洛伦兹振子模型参数的对比研究发现,GaN掺入Mn后,ωTO向高频方向移动,γ,ε∞和εs均增加,而ωLO基本保持不变.文中同时分析和讨论了Mn对晶格振动特性的影响及介电函数变化的机理. 展开更多
关键词 稀磁半导体gamnn材料 遗传算法 洛伦兹振子模型 参数提取
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基于离子注入技术的GaMnN室温铁磁半导体制备及其表征 被引量:3
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作者 王基庆 陈平平 +7 位作者 李志锋 郭旭光 H.Makino T.Yao 陈弘 黄绮 周均铭 陆卫 《中国科学(G辑)》 CSCD 2003年第2期126-131,共6页
通过离子注入技术制备出GaMnN三元磁性半导体材料。Raman光谱,X射线衍射和光致发光谱(PL)揭示了Mn在材料中的晶体结构与电子结构。这些基本表征结果表明注入的Mn占据了晶格位置,且多数形成了GaMnN三元相。超导量子干涉仪的测量结果表明... 通过离子注入技术制备出GaMnN三元磁性半导体材料。Raman光谱,X射线衍射和光致发光谱(PL)揭示了Mn在材料中的晶体结构与电子结构。这些基本表征结果表明注入的Mn占据了晶格位置,且多数形成了GaMnN三元相。超导量子干涉仪的测量结果表明合成的材料在室温下仍有铁磁性。磁化强度随温度的变化曲线表明材料中存在着不同的铁磁机制。 展开更多
关键词 gamnn 镓锰氮三元化合物半导体 磁性半导体材料 制备 离子注入 超导量子干涉仪 居里温度
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