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GaN(0001)表面吸附TiO_2的DFT研究 被引量:1
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作者 黄平 梁晓琴 杨春 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期526-529,共4页
建立了GaN(0001)2×2表面吸附模型,采用基于DFT动力学赝势方法,对TiO2分子的吸附进行了理论计算.研究了TiO2分子在GaN(0001)表面的吸附成键过程、成键方位及表面化学键特性.计算结果表明吸附过程经历了物理吸附、化学吸附与稳定态... 建立了GaN(0001)2×2表面吸附模型,采用基于DFT动力学赝势方法,对TiO2分子的吸附进行了理论计算.研究了TiO2分子在GaN(0001)表面的吸附成键过程、成键方位及表面化学键特性.计算结果表明吸附过程经历了物理吸附、化学吸附与稳定态形成的过程,化学结合能达到7.184~7.423 eV.不同初始位置的TiO2分子吸附后,Ti在fcc或hcp位置,两个O原子分别与表面两个Ga原子成键,Ga—O化学键表现出共价键特征,O—O连线与GaN[11-20]方向平行,与实验观测(100)[001]TiO2//(0001)[11-20]GaN一致. 展开更多
关键词 gan(0001)表面 TIO2 密度泛函理论 吸附
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温度对GaN(0001)表面生长吸附SrO、BaO和TiO_2影响的理论研究 被引量:1
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作者 梁晓琴 周金君 +1 位作者 杨春 李来才 《原子与分子物理学报》 CAS 北大核心 2018年第6期1037-1043,共7页
采用基于第一性原理的从头计算分子动力学方法,模拟了300、400、500、600和700℃下SrO、BaO和TiO_2分子在GaN(0001)表面吸附的动力学过程,研究了温度对原子运动轨迹、吸附能、界面电荷分布、稳定吸附方位和扩散系数的影响.温度不同,O-G... 采用基于第一性原理的从头计算分子动力学方法,模拟了300、400、500、600和700℃下SrO、BaO和TiO_2分子在GaN(0001)表面吸附的动力学过程,研究了温度对原子运动轨迹、吸附能、界面电荷分布、稳定吸附方位和扩散系数的影响.温度不同,O-Ga成键时间不同,SrO分子中的O原子与GaN基底成键的Ga原子不同; TiO_2分子中O原子与GaN表面Ga原子成键的顺序也不同.温度对SrO、BaO和TiO_2分子在GaN(0001)表面的最终吸附形态和吸附方位有显著的影响.温度对不同吸附体系吸附能的影响也不相同;小分子在GaN(0001)基片表面优先吸附的顺序依次为TiO_2、SrO和BaO分子.数据分析显示SrO和BaO分子的最优生长温度是600℃,TiO_2分子的最优生长温度是500℃. 展开更多
关键词 SrO、BaO和TiO2 gan(0001) 温度 吸附
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温度对GaN(0001)表面吸附生长TiO_2分子的影响
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作者 梁晓琴 周金君 +1 位作者 黄平 杨春 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期10128-10133,共6页
采用基于第一性原理的从头计算分子动力学方法,模拟了在300,400,500,600和700℃5种温度下TiO_2分子在GaN(0001)表面吸附的动力学过程,研究了吸附过程中系统能量、动力学轨迹、Mulliken布居分析、表面成键电子密度分布(ELF)以及扩散系数... 采用基于第一性原理的从头计算分子动力学方法,模拟了在300,400,500,600和700℃5种温度下TiO_2分子在GaN(0001)表面吸附的动力学过程,研究了吸附过程中系统能量、动力学轨迹、Mulliken布居分析、表面成键电子密度分布(ELF)以及扩散系数等性质。结果表明,温度会影响TiO_2分子中两个O原子与GaN表面两个Ga原子成键顺序;500℃时O_2—Ga3成键的时间最早,TiO_2在GaN(0001)表面吸附生长的速率最快。600℃下TiO_2分子在物理吸附阶段的扩散系数比在500℃下扩大了接近100倍,500℃时O—Ga1的局域电荷分布ELF值最大为0.750,说明500℃下O—Ga1键共价性最强。由此可见,TiO_2分子在GaN(0001)吸附生长最佳温度是500℃。 展开更多
关键词 TIO2 gan(0001) 温度 动力学 吸附
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SrO分子在GaN(0001)表面吸附的密度泛函理论研究
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作者 黄平 梁晓琴 杨春 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第20期20033-20036,共4页
建立了SrO/GaN(0001)2×2表面吸附模型,采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势方法对SrO分子的吸附生长进行了计算,详细研究了SrO分子在表面的吸附位置、吸附能及表面化学键特性。计算发现,SrO分子在GaN(0001)表面吸... 建立了SrO/GaN(0001)2×2表面吸附模型,采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势方法对SrO分子的吸附生长进行了计算,详细研究了SrO分子在表面的吸附位置、吸附能及表面化学键特性。计算发现,SrO分子在GaN(0001)表面吸附不会发生分解,最稳定吸附位为Ga桥位,吸附能达到7.257~7.264 eV。通过电荷布居数和态密度分析,SrO分子吸附后O与表面的一个Ga原子形成的化学键表现出共价键特征,电子由SrO转移给表面部分Ga原子,GaN(0001)仍存在表面态。 展开更多
关键词 gan(0001)表面 SrO分子 密度泛函理论 吸附
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First-principles Calculations of H_2O Adsorption Reaction on the GaN(0001) Surface 被引量:2
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作者 胡春丽 陈勇 李俊篯 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2009年第2期240-244,共5页
The adsorption and decomposition of H2O on GaN(0001) surface have been explored employing density functional theory (DFT). Two distinct adsorption features of H2O on GaN(0001) corresponding to molecular adsorpti... The adsorption and decomposition of H2O on GaN(0001) surface have been explored employing density functional theory (DFT). Two distinct adsorption features of H2O on GaN(0001) corresponding to molecular adsorption and H-OH dissociative adsorption are revealed by our calculations. The activities of the surface reactions of H2O on GaN(0001) surface are investigated. For the stepwise processes of H2O decomposition into H2 in gas phase and adsorbed O atom (H2O(g)→H2O(chem)→OH(chem) + H(chem)→2H(chem) + O(chem)→H2(g) + O(chem)), the first and second steps are facile and can even occur at room temperature; while the last two have high barriers and thus are difficult to proceed, especially the fourth step is endothermic. In short, H2O adsorption and decomposition into H2 in gas phase and adsorbed O atom on GaN(0001) surface are exothermic by -43.98 kcal/mol. 展开更多
关键词 H2O gan0001 surface DFT ADSORPTION REACTION
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金属原子吸附对GaN(0001)表面光学性能的调制
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作者 李佳斌 王晓华 王文杰 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第6期671-677,共7页
基于第一性原理计算,研究了实验中常用的金属(Ni、Ru和Au)等三种原子对GaN(0001)表面光学性质的调控。结果表明,电子从吸附原子中转移到GaN(0001)表面,Ni和Ru的吸附降低了GaN(0001)表面的功函数。在GaN(0001)表面的带隙中引入了杂质能级... 基于第一性原理计算,研究了实验中常用的金属(Ni、Ru和Au)等三种原子对GaN(0001)表面光学性质的调控。结果表明,电子从吸附原子中转移到GaN(0001)表面,Ni和Ru的吸附降低了GaN(0001)表面的功函数。在GaN(0001)表面的带隙中引入了杂质能级,使载流子跃迁的势垒高度降低,进而调节其光学性。可以看到在低光子能量区所有光学曲线的主峰红移,而在高光子能量区所有光学曲线都出现收缩现象,所有光学曲线上特征峰的数量和位置都发生了明显的变化。此外,吸附金属原子后,GaN(0001)表面对可见光甚至红外光的吸收增强了,适用于较长波光的探测。 展开更多
关键词 gan(0001)表面 金属原子吸附 第一性原理计算 光学性能
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A DFT Study of Alkenes and Alkynes Reacting with H-GaN (0001) Surface
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作者 胡春丽 陈勇 +1 位作者 李俊篯 章永凡 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 2009年第1期125-131,共7页
The addition reactions of alkenes and alkynes to the H-terminated GaN (0001) surface with a Ga dangling-bond have been studied employing periodic density functional theory (PDFT) calculations. Detailed information... The addition reactions of alkenes and alkynes to the H-terminated GaN (0001) surface with a Ga dangling-bond have been studied employing periodic density functional theory (PDFT) calculations. Detailed information on the reaction pathways of these alkenes and alkynes with H-GaN (0001) surface is provided, which indicates that the reactions contain two steps separated by the metastable intermediates: elementary addition reaction and H-abstraction process. From the energy curves, the reactions are clearly viable in the cases of ethene, styrene and phenylacetylene; while for ethyne, the H-abstraction barrier is higher than the desorption barrier of the intermediate, so the adsorbed C2H2 in intermediate is more likely to be desorbed back into the gas phase than to form a stable adsorbed species. Furthermore, it is obvious that for either alkenes or alkynes, the systems substituted by phenyl have more stable intermediates because π conjugation could improve their stabilities. 展开更多
关键词 ALKENES ALKYNES H-gan 0001 surface DFT reaction pathway
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GaN(0001)表面电子结构和光学性质的第一性原理研究 被引量:14
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作者 杜玉杰 常本康 +2 位作者 张俊举 李飙 王晓晖 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期414-420,共7页
采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势方法计算了(2×2)GaN(0001)清洁表面的能带结构、态密度、表面能、功函数和光学性质.发现弛豫后GaN(0001)表面的能带结构发生较大变化,表面呈现金属导电特性,导带底附近存在明显的... 采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势方法计算了(2×2)GaN(0001)清洁表面的能带结构、态密度、表面能、功函数和光学性质.发现弛豫后GaN(0001)表面的能带结构发生较大变化,表面呈现金属导电特性,导带底附近存在明显的表面态,在偶极矩的作用下表面电荷发生转移,Ga端面为正极性表面;计算获得了GaN(0001)表面的表面能和功函数分别为2.1 J·m^(-2)和4.2 eV;比较分析了GaN(0001)表面和体相GaN的光学性质,发现两者存在较大差异. 展开更多
关键词 gan(0001)表面 电子结构 光学性质 功函数
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Cs/GaN(0001)吸附体系电子结构和光学性质研究 被引量:1
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作者 杜玉杰 常本康 +3 位作者 王晓晖 张俊举 李飙 付小倩 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期378-384,共7页
采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势方法计算了1/4ML Cs原子吸附(2×2)GaN(0001)表面的吸附能、能带结构、电子态密度、电荷布居数、功函数和光学性质.计算发现,1/4ML Cs原子在GaN(0001)表面最稳定吸附位为N桥位,吸附... 采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势方法计算了1/4ML Cs原子吸附(2×2)GaN(0001)表面的吸附能、能带结构、电子态密度、电荷布居数、功函数和光学性质.计算发现,1/4ML Cs原子在GaN(0001)表面最稳定吸附位为N桥位,吸附后表面仍呈现为金属导电特性,Cs原子吸附GaN(0001)表面后主要与表面Ga原子发生作用,Cs6s态电子向最表面Ga原子转移,引起表面功函数下降.研究光学性质发现,Cs原子吸附GaN(0001)表面后,介电函数虚部、吸收谱、反射谱向低能方向移动. 展开更多
关键词 第一性原理 Cs/gan(0001)吸附体系 吸附能 电子结构
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TiO_2分子在GaN(0001)表面吸附的理论研究 被引量:2
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作者 黄平 杨春 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期530-535,共6页
采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,计算了TiO2分子在GaN(0001)表面的吸附成键过程、吸附能量和吸附位置.计算结果表明不同初始位置的TiO2分子吸附后,Ti在fcc或hcp位置,两个O原子分别与表面两个Ga原子成键,Ga—O化学键表现出共价... 采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,计算了TiO2分子在GaN(0001)表面的吸附成键过程、吸附能量和吸附位置.计算结果表明不同初始位置的TiO2分子吸附后,Ti在fcc或hcp位置,两个O原子分别与表面两个Ga原子成键,Ga—O化学键表现出共价键特征,化学结合能达到7.932—7.943eV,O—O连线与GaN[110]方向平行,与实验观测(100)[001]TiO2//(0001)[110]GaN一致.通过动力学过程计算分析,TiO2分子吸附过程经历了物理吸附、化学吸附与稳定态形成的过程,稳定吸附结构和优化结果一致. 展开更多
关键词 gan(0001)表面 TiO2分子 密度泛函理论 吸附
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GaN/Al_2O_3(0001)的匹配机制及氮化的作用 被引量:5
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作者 徐科 邓佩珍 +2 位作者 邱荣生 徐军 方祖捷 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期369-373,共5页
在Al2O3(0001)衬底上用MOCVD(金属有机物气相沉积)方法进行了GaN的外延生长,通过X射线衍射(同步辐射源)研究了GaN和Al2O3(0001)的匹配关系。结果表明,经充分氮化的衬底上,GaN以单一的匹配... 在Al2O3(0001)衬底上用MOCVD(金属有机物气相沉积)方法进行了GaN的外延生长,通过X射线衍射(同步辐射源)研究了GaN和Al2O3(0001)的匹配关系。结果表明,经充分氮化的衬底上,GaN以单一的匹配方式沿[0001]方向生长;在Al2O3(0001)衬底未经氮化或氮化不充分时,不同程度地出现了其它三种绕〈1120〉晶带轴倾斜一定角度的匹配位向。指出了GaN/Al2O3(0001)的几种匹配方式的晶体学规律。GaN绕〈1120〉晶带轴倾斜的匹配方式是其外延生长过程中降低和Al2O3(0001)的晶格失配、释放界面应变的重要机制之一。 展开更多
关键词 衬底 MOCVD 晶格匹配 氮化镓 三氧化二铝
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