期刊文献+
共找到53篇文章
< 1 2 3 >
每页显示 20 50 100
Water Extraction Process of Chinese Herbal Compound Man Gan Ning
1
作者 Chunli TANG Jiangcun WEI +4 位作者 Zhen XIE Meiyan QIU Jiabao MA Fengxian ZHAO Hongxia CHEN 《Medicinal Plant》 CAS 2019年第6期60-65,共6页
[Objectives]To optimize the water extraction process of Chinese Herbal Compound Man Gan Ning and establish a method for its extraction and content determination.[Methods]The L9(34)orthogonal test was carried out,the c... [Objectives]To optimize the water extraction process of Chinese Herbal Compound Man Gan Ning and establish a method for its extraction and content determination.[Methods]The L9(34)orthogonal test was carried out,the comprehensive scores of ginsenoside Rb1 content,notoginsenoside R1 content,tanshinone I content and saikosaponin A content in the compound extract were used as evaluation indicators to explore the effects of water addition,the water addition,decoction time and decoction times on the water extraction process,and verification tests were carried out.[Results]The optimized water extraction process was as follows:adding 9 times of water in the first extraction,and extracting for 90 min;adding 7 times of water in the second extraction,and extracting for 60 min;adding 7 times of water in the third extraction,and extracting for 60 min.[Conclusions]The optimized water extraction process is stable and feasible,and can be used for the extraction of various herbs in Compound Man Gan Ning.It can also provide experimental basis for the formulation development of Compound Man Gan Ning sustained release tablet. 展开更多
关键词 MAN gan Ning Orthogonal test Extraction process GINSENOSIDE RB1 Notoginsenoside R1 TANSHINONE I SAIKOSAPONIN A
下载PDF
GaAs吸收衬底生长的立方相GaN发光二极管的工艺设计与实现 被引量:5
2
作者 孙元平 张泽洪 +4 位作者 赵德刚 冯志宏 付羿 张书明 杨辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期1001-1005,共5页
利用光学薄膜原理 ,计算了采用晶片键合技术来提高以 Ga As为衬底的立方相 Ga N的出光效率的理论可行性 .以 Ni为粘附层 ,Ag为反射层的 Ni/ Ag/ Au薄膜体系可以使立方 Ga N的出光效率从理论上提高 2 .6 5倍左右 .实验结果证实 ,利用键... 利用光学薄膜原理 ,计算了采用晶片键合技术来提高以 Ga As为衬底的立方相 Ga N的出光效率的理论可行性 .以 Ni为粘附层 ,Ag为反射层的 Ni/ Ag/ Au薄膜体系可以使立方 Ga N的出光效率从理论上提高 2 .6 5倍左右 .实验结果证实 ,利用键合方法实现的以 Ni/ Ag/ Au作为反射膜的样品的光反射率比未做键合的 Ga N/ Ga As样品的光反射率在理论计算的 4 5 9.2 nm处提高了 2 .4倍 . 展开更多
关键词 发光二极管 立方相gan 晶片键合 工艺设计 GAAS衬底
下载PDF
基于GAN的医学图像仿真数据集生成算法 被引量:7
3
作者 孟琭 钟健平 李楠 《东北大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期332-336,共5页
基于生成对抗网络(generative adversarial networks,GAN),提出了面向肝脏肿瘤CT图像仿真数据集生成深度学习算法.首先,将CT图像数据文件进行格式解析,单独保存为PNG格式的图像文件;然后,将肝脏病变区域统一标注为白色,并结合肝脏CT原... 基于生成对抗网络(generative adversarial networks,GAN),提出了面向肝脏肿瘤CT图像仿真数据集生成深度学习算法.首先,将CT图像数据文件进行格式解析,单独保存为PNG格式的图像文件;然后,将肝脏病变区域统一标注为白色,并结合肝脏CT原图组成配对图片;最后,用生成对抗网络的pix2pix架构仿真生成病变肝脏图像.为将生成图像与目标图像进行定量分析、比较,本文采用了峰值信噪比和结构相似性作为模型的评价指标.实验结果表明,本文算法所生成的肝脏肿瘤CT仿真数据集的平均峰值信噪比为64.72 d B,平均结构相似性为0.9973,证明了所生成的仿真图像数据有着非常高的真实度. 展开更多
关键词 生成对抗网络 图像处理 肝脏图像仿真 参数调整 数据增强
下载PDF
考虑寄生参数的高压GaN高电子迁移率晶体管的逆变器动态过程分析 被引量:8
4
作者 张雅静 郑琼林 李艳 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第12期126-134,共9页
近年来随着氮化镓器件制造工艺的迅速发展,氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)已经开始应用在电力电子领域。GaN HEMT以其低寄生参数、无反向恢复损耗、高开通速度等特点,可降低开关管的开关损耗。本文以600V GaN HEMT为研究对象,研究... 近年来随着氮化镓器件制造工艺的迅速发展,氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)已经开始应用在电力电子领域。GaN HEMT以其低寄生参数、无反向恢复损耗、高开通速度等特点,可降低开关管的开关损耗。本文以600V GaN HEMT为研究对象,研究其共源共栅(Cascode)结构引起的开关动态过程及其寄生参数的影响。建立了600V GaN HEMT等效模型并详细推导了其在单相逆变器中开关管正向导通、正向关断、反向续流导通和反向续流关断四种情况的动态过程。GaN HEMT的等效电路考虑了对开关过程及开关损耗有重要影响的寄生电感和寄生电容。理论、仿真及实验证明了Cascode GaN HEMT器件中寄生电感L_(int1)、L_(int3)和L_S直接影响开关管的动态过程进而影响开关管的开关损耗。 展开更多
关键词 宽禁带半导体器件 氮化镓高电子迁移率晶体管 动态过程
下载PDF
共栅共源结构GaN HEMT开关模型 被引量:2
5
作者 马皓 张宁 林燎源 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期508-518,共11页
为了计算共栅共源结构高压氮化镓(GaN)器件开关损耗,提出一种共栅共源结构GaN器件开关过程及损耗模型.通过考虑共栅共源结构中印制电路板(PCB)和引线寄生电感以及器件结电容,得出共栅共源结构GaN器件的等效电路模型,进而得到测试开关特... 为了计算共栅共源结构高压氮化镓(GaN)器件开关损耗,提出一种共栅共源结构GaN器件开关过程及损耗模型.通过考虑共栅共源结构中印制电路板(PCB)和引线寄生电感以及器件结电容,得出共栅共源结构GaN器件的等效电路模型,进而得到测试开关特性的双脉冲等效电路.按时间顺序将开通过程分为5个阶段,将关断过程分为4个阶段,对双脉冲等效电路进行分析和简化,并计算得出各个阶段中共栅共源结构GaN器件电压电流时域表达式,从而得到开关过程波形及损耗.在不同驱动电阻和开关电流下进行双脉冲实验,模型与实验的开关波形及损耗较吻合,表明所提出模型较准确. 展开更多
关键词 氮化镓(gan)器件 共栅共源结构 开关过程 高电子迁移率晶体管(HEMT)
下载PDF
基于FVOIRGAN-Detection的车辆检测 被引量:2
6
作者 张浩 杨坚华 花海洋 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第12期1478-1486,共9页
为了解决点云处理过程中空间信息损失的问题,同时在融合过程中最大程度地提取可见光图像的纹理信息,本文提出了一种基于特征切片的激光点云与可见光图像融合车辆检测方法(FVOIRGAN-Detection)。在CrossGAN-Detection方法中加入了FVOI(Fr... 为了解决点云处理过程中空间信息损失的问题,同时在融合过程中最大程度地提取可见光图像的纹理信息,本文提出了一种基于特征切片的激光点云与可见光图像融合车辆检测方法(FVOIRGAN-Detection)。在CrossGAN-Detection方法中加入了FVOI(Front View Based on Original Information)的点云处理思路,将点云投影到前视角度并把原始点云信息的各个维度切片为特征通道,在不降低网络性能的情况下显著提高点云信息利用效率。并且引入了相对概率的思想,采用鉴别器鉴别图像的相对真实概率替代绝对真实概率,使得融合图像提取的纹理信息更加接近真实的纹理信息。在KITTI数据集上进行检测性能实验验证结果表明,本文方法在容易、中等和困难三个类别中的AP指标分别达到97.67%、87.86%和79.03%。在光线受限的场景下,AP指标达到了88.49%,与CrossGAN-Detection方法相比提高了2.37%,提高了目标检测的性能。 展开更多
关键词 点云处理 空间信息 相对概率 gan 特征切片 车辆检测
下载PDF
几种添加剂对Hgans法还原速度的影响
7
作者 王东彦 王文忠 +1 位作者 姜周华 芮树森 《华东冶金学院学报》 1997年第4期468-470,共3页
本文实验研究了三种添加剂对Hoganas法还原速度的影响,结果表明:在铁精矿还原率为90%之前时,NaCl对还原过程有较大的催化作用,其合适的加入量为煤量的10%.Hoganas法还原过程的限制性环节含有不包括氧传递步骤在内的碳的气化反应... 本文实验研究了三种添加剂对Hoganas法还原速度的影响,结果表明:在铁精矿还原率为90%之前时,NaCl对还原过程有较大的催化作用,其合适的加入量为煤量的10%.Hoganas法还原过程的限制性环节含有不包括氧传递步骤在内的碳的气化反应过程. 展开更多
关键词 添加剂 催化作用 Hoganas法 还原速度 炼钢
下载PDF
基于工艺的GaN HEMT抗辐射加固研究进展 被引量:2
8
作者 席善斌 高金环 +3 位作者 裴选 高东阳 尹丽晶 彭浩 《微处理机》 2019年第2期1-6,共6页
GaN HEMT由于其具有高频、高温、大功率、抗辐射等特性,在卫星、太空探测、核反应堆等辐射环境中具有广阔的应用前景。虽然GaN HEMT较Si基半导体器件具有优越的抗辐射特性,但距GaN材料本身的抗辐射能力和水平仍存在较大差距,GaN HEMT制... GaN HEMT由于其具有高频、高温、大功率、抗辐射等特性,在卫星、太空探测、核反应堆等辐射环境中具有广阔的应用前景。虽然GaN HEMT较Si基半导体器件具有优越的抗辐射特性,但距GaN材料本身的抗辐射能力和水平仍存在较大差距,GaN HEMT制造工艺是导致这一差距产生的主要原因。通过调研、分析近几年国际报道的GaN HEMT制造工艺对辐射效应的影响,分别从有源区隔离工艺、GaN沟道层厚度、钝化层结构和衬底材料四个方面作出对比,分析可能的原因,给出一种加固工艺优选方法,以期对我国抗辐射加固GaN HEMT研制提供借鉴和指导。 展开更多
关键词 gan HEMT技术 抗辐射加固 有源区隔离工艺 沟道层厚度 钝化层结构 衬底材料
下载PDF
应用自注意力机制对抗网络进行海洋多次波压制方法研究
9
作者 叶月明 曹晓初 +1 位作者 任浩然 张春燕 《石油地球物理勘探》 EI CSCD 北大核心 2024年第3期454-464,共11页
由于海面和海底两个强波阻界面的存在,海洋地震资料普遍发育强能量多次反射波,海洋多次波衰减贯穿着整个海洋地震资料处理的始终,是影响海洋地震资料成像品质最主要的因素之一。复杂海域情况下的多次波压制往往需要通过多方法多域分步... 由于海面和海底两个强波阻界面的存在,海洋地震资料普遍发育强能量多次反射波,海洋多次波衰减贯穿着整个海洋地震资料处理的始终,是影响海洋地震资料成像品质最主要的因素之一。复杂海域情况下的多次波压制往往需要通过多方法多域分步组合的衰减策略,计算耗时而且多域多步骤会造成计算误差的累计,从而影响多次波的衰减效率和精度。为此,提出了一种基于自注意力机制对抗网络(SA-GAN)的海洋多次波压制方法。首先,针对特征数据利用多域分步组合法压制多次波获得标签数据集;其次,在U-Net生成器网络中引入自注意力机制(SA),构建基于SA-GAN网络的多次压制深度学习模型,并进行网络训练;最后,利用训练完备的SA-GAN网络对整体数据进行多次波压制处理。引入SA的U-Net生成器的GAN网络收敛速度快且计算稳定,在地震样本数据集上具有更好的数据泛化能力。与常规方法相比,本文提出的方法只需人工处理少量特征数据,网络训练后便可进行工区大量数据的多次波压制处理,避免了复杂多次波压制多方法串联组合的繁琐过程,为海洋实际地震数据的多次波压制提供了一种高效手段。模型和NH探区深水实际资料处理结果验证了本方法的有效性。 展开更多
关键词 多次波压制 海洋地震资料处理 深度学习 自注意力机制 对抗网络
下载PDF
基于多源地学数据的深部找矿预测应用探微
10
作者 郑忠超 王旭东 +2 位作者 王健 李悝 郑文斌 《中国矿业》 北大核心 2024年第S01期605-609,共5页
在寻求提高地下矿产资源勘查效率的过程中,本文通过综合物探、化探及遥感数据,并运用卷积神经网络(CNN)与生成式对抗网络(GAN)等深度学习技术,显著提升了找矿预测的准确性。这种方法不仅突破了传统找矿技术的限制,优化了数据处理流程,... 在寻求提高地下矿产资源勘查效率的过程中,本文通过综合物探、化探及遥感数据,并运用卷积神经网络(CNN)与生成式对抗网络(GAN)等深度学习技术,显著提升了找矿预测的准确性。这种方法不仅突破了传统找矿技术的限制,优化了数据处理流程,还提高了模型对复杂地学信息的解读能力。研究结果表明,融合多源数据与深度学习算法的模型在铜矿探寻中展示出显著优势,为地质勘查技术的进步和革新奠定了基础,开辟了新的研究和应用方向。 展开更多
关键词 卷积神经网络 生成式对抗网络 多源地学数据 找矿预测 数据处理
下载PDF
GaN HEMT栅工艺优化及性能提升 被引量:1
11
作者 孔欣 陈勇波 +2 位作者 董若岩 刘安 汪昌思 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2020年第2期318-324,共7页
针对0.5μm氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)自对准T型栅工艺,提出一种优化的解决方案。在感应耦合等离子体设备中引入两段法完成氮化硅栅足的干法刻蚀,其中,主刻蚀部分形成具备一定倾斜角度的氮化硅斜面,从而减小栅下沟道电场强度... 针对0.5μm氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)自对准T型栅工艺,提出一种优化的解决方案。在感应耦合等离子体设备中引入两段法完成氮化硅栅足的干法刻蚀,其中,主刻蚀部分形成具备一定倾斜角度的氮化硅斜面,从而减小栅下沟道电场强度并提高栅金属对氮化硅槽填充的完整性;软着陆部分则以极低的偏置功率对氮化硅进行过刻蚀,确保完全清除氮化硅的同时尽量减小沟道损伤。通过器件优化前后各项特性的测试结果对比发现:优化后的器件关态击穿电压从140 V提升至200 V以上,3.5 GHz下输出功率密度从5.8 W/mm提升至8.7 W/mm,功率附加效率(PAE)从55.5%提升至66.7%。无偏置高加速应力试验96 h后,工艺优化后的器件外观无明显变化,最大电流变化<5%,表明器件可靠性良好。 展开更多
关键词 氮化镓高电子迁移率晶体管 栅工艺 电感耦合等离子体刻蚀 性能提升 可靠性
下载PDF
六英寸Si基GaN功率电子材料及器件的制备与研究 被引量:1
12
作者 何亮 张晓荣 +5 位作者 倪毅强 罗睿宏 李柳暗 陈建国 张佰君 刘扬 《电源学报》 CSCD 北大核心 2019年第3期26-37,共12页
氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,具有优异的材料物理特性,更加适合于下一代电力电子系统对功率开关器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣工作温度的要求。为了兼容Si基CMOS工艺流程,以及考虑到大尺寸、低成本等优势,在Si... 氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,具有优异的材料物理特性,更加适合于下一代电力电子系统对功率开关器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣工作温度的要求。为了兼容Si基CMOS工艺流程,以及考虑到大尺寸、低成本等优势,在Si衬底上进行GaN材料的异质外延及器件制备已经成为业界主要技术路线。详细介绍了在6英寸Si衬底上外延生长的AlGaN/GaN HEMT结构功率电子材料,以及基于6英寸CMOS产线制造Si基GaN功率MIS-HEMT和常关型Cascode GaN器件的相关成果。 展开更多
关键词 6英寸Si衬底 Algan/gan功率电子材料 CMOS工艺 ganMIS-HEMT器件 常关型
下载PDF
MOCVD生长GaN材料p型掺杂最新进展 被引量:2
13
作者 赵浙 叶志镇 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第8期4-6,共3页
p型GaN薄膜的实现是发展光电器件的关键工艺。使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法已经获得实用性的p型掺杂,但是其电学和光学特性都不能让人满意。最近几年在掺杂工艺的改进和掺杂模型的理论研究方面都取得了显著进展。介绍了p型掺... p型GaN薄膜的实现是发展光电器件的关键工艺。使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法已经获得实用性的p型掺杂,但是其电学和光学特性都不能让人满意。最近几年在掺杂工艺的改进和掺杂模型的理论研究方面都取得了显著进展。介绍了p型掺杂GaN中的自补偿模型、共掺杂工艺的原理和进展、PL谱的性质以及一些新的掺杂工艺。 展开更多
关键词 P型gan薄膜 MOCVD P型掺杂 光电器件 自补偿模型 共掺杂工艺
下载PDF
酸性环境下GaN晶圆的化学机械抛光工艺研究 被引量:1
14
作者 孔秦浩 罗晓菊 王现英 《广东化工》 CAS 2021年第8期4-8,共5页
本文详细研究了4英寸自支撑GaN晶圆的化学机械抛光(CMP)工艺。使用硅溶胶抛光液,以NaClO为氧化剂,详细研究了不同工艺参数,包括压力、抛光盘转速、抛光液流量、NaClO浓度和抛光液p H值对GaN CMP工艺的材料去除率(MRR)和表面粗糙度(Sa)... 本文详细研究了4英寸自支撑GaN晶圆的化学机械抛光(CMP)工艺。使用硅溶胶抛光液,以NaClO为氧化剂,详细研究了不同工艺参数,包括压力、抛光盘转速、抛光液流量、NaClO浓度和抛光液p H值对GaN CMP工艺的材料去除率(MRR)和表面粗糙度(Sa)的影响。研究发现,无论是影响化学作用的因素,还是影响机械作用的因素,都对MRR有着极大的影响。在优化的工艺条件下(压力为50 kPa、抛光头转速为60 rpm、抛光盘转速为100 rpm、流量为40 mL/min、抛光液pH为4.0、氧化剂浓度为3 vol.%),最大材料去除率为1.07μm/h。在10μm×10μm的区域内,抛光后的平均表面粗糙度为0.109 nm。 展开更多
关键词 gan NACLO 化学机械抛光 工艺参数 材料去除率 平均粗糙度
下载PDF
一种改进CycleGAN的低照度图像增强网络 被引量:4
15
作者 李天宇 吴浩 +2 位作者 毛艳玲 陈明举 石柱 《无线电工程》 北大核心 2022年第5期799-806,共8页
为了提高CycleGAN对低照度图像增强后的细节分辨能力,提高图像整体的视觉质量,提出了一种改进CycleGAN的低照度图像增强算法。该网络的生成器由低光照增强模块和亮度均衡处理模块组成,用以学习低照度图像到正常照度图像的特征映射。以... 为了提高CycleGAN对低照度图像增强后的细节分辨能力,提高图像整体的视觉质量,提出了一种改进CycleGAN的低照度图像增强算法。该网络的生成器由低光照增强模块和亮度均衡处理模块组成,用以学习低照度图像到正常照度图像的特征映射。以多尺度卷积和残差空洞卷积构建基于U-Net的低光照增强模块,提高网络对增强后图像细节信息的恢复能力;以全卷积构建亮度均衡处理模块,使图像亮度分布均匀并且提高图像视觉质量;以Patch-GAN作为网络的判别器,利用映射为一个N×N的矩阵来提高判别器对细节信息的分辨能力,并且增强网络收敛能力。验证结果表明,相较于其他对比方法,所提算法增强后的图像拥有更好的主观视觉效果和图像细节,同时在客观指标上的结果也优于其他方法。 展开更多
关键词 低照度图像 多尺度卷积 残差空洞卷积 亮度均衡处理模块 Patch-gan
下载PDF
基于SinGAN的图像生成模型 被引量:2
16
作者 刘伟韬 《曲阜师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2020年第2期67-71,共5页
生成对抗网络(GAN)是目前图像生成领域中一种新的、有效的训练生成模型方法,单一生成对抗网络(SinGAN)是建立在一张图片上的无条件GAN.该文在生成对抗网络原理的基础上阐述了单一生成对抗网络(SinGAN)的原理及基本结构.以SinGAN作为研... 生成对抗网络(GAN)是目前图像生成领域中一种新的、有效的训练生成模型方法,单一生成对抗网络(SinGAN)是建立在一张图片上的无条件GAN.该文在生成对抗网络原理的基础上阐述了单一生成对抗网络(SinGAN)的原理及基本结构.以SinGAN作为研究对象,通过实例在训练过程中生成了与原图像语义相近的图像,并对SinGAN的训练和应用进行了研究.研究表明:SinGAN在同一张图片上进行的训练或测试,通过建立一个模型,可以对图片进行纹理转移,提高清晰度等操作. 展开更多
关键词 生成对抗网络(gan) 单一生成对抗网络(Singan) 图像处理 深度学习 样本图像
下载PDF
基于扩散生成对抗网络的文本生成图像模型研究
17
作者 赵宏 李文改 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第12期4371-4381,共11页
文本生成图像是一项结合计算机视觉(CV)和自然语言处理(NLP)领域的综合性任务。以生成对抗网络(GANs)为基础的方法在文本生成图像方面取得了显著进展,但GANs方法的模型存在训练不稳定的问题。为解决这一问题,该文提出一种基于扩散Wasser... 文本生成图像是一项结合计算机视觉(CV)和自然语言处理(NLP)领域的综合性任务。以生成对抗网络(GANs)为基础的方法在文本生成图像方面取得了显著进展,但GANs方法的模型存在训练不稳定的问题。为解决这一问题,该文提出一种基于扩散Wasserstein生成对抗网络(WGAN)的文本生成图像模型(D-WGAN)。在DWGAN中,利用向判别器中输入扩散过程中随机采样的实例噪声,在实现模型稳定训练的同时,生成高质量和多样性的图像。考虑到扩散过程的采样成本较高,引入一种随机微分的方法,以简化采样过程。为了进一步对齐文本与图像的信息,提出使用基于对比学习的语言-图像预训练模型(CLIP)获得文本与图像信息之间的跨模态映射关系,从而提升文本和图像的一致性。在MSCOCO,CUB-200数据集上的实验结果表明,D-WGAN在实现稳定训练的同时,与当前最好的方法相比,FID分数分别降低了16.43%和1.97%,IS分数分别提升了3.38%和30.95%,说明D-WGAN生成的图像质量更高,更具有实用价值。 展开更多
关键词 文本生成图像 生成对抗网络 扩散过程 对比学习的语言-图像预训练模型 语义匹配
下载PDF
基于生成对抗网络的图像场景转换 被引量:1
18
作者 罗嗣卿 陈慧 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期217-225,共9页
由于时间、地点、摄影设备等因素的限制,导致在真实世界中很难获得内容相同而场景不同的图像,一种可行方式是利用生成对抗网络(GAN)在没有成对数据集的情况下对图片中的场景进行转换,但是已有基于GAN的图像场景转换方法主要关注单个类... 由于时间、地点、摄影设备等因素的限制,导致在真实世界中很难获得内容相同而场景不同的图像,一种可行方式是利用生成对抗网络(GAN)在没有成对数据集的情况下对图片中的场景进行转换,但是已有基于GAN的图像场景转换方法主要关注单个类别、单向、结构简单的场景。为了解决具有丰富类别和高度复杂语义结构的图像场景转换问题,提出一种基于GAN的图像场景转换模型,以实现晴天、雨天、雾天等不同场景之间的转换。将GAN、注意力模块和场景分割模块相结合,使模型正确识别并转换感兴趣区域同时保持其他区域不变。为了进一步提高输出的多样性,提出一种新型的正则化损失来抑制潜在噪声。此外,为了避免因缺乏噪声约束而出现的模态崩溃问题,在鉴别器中嵌入噪声分离模块。实验结果表明,相较CycleGAN、UNIT、MUNIT、NICE-GAN等6种对比模型,该模型所生成图像的FID得分和KID得分平均分别提高约7.25%和19%,其能够在不同场景下生成视觉效果更佳的图像。 展开更多
关键词 图像处理 图像转换 生成对抗网络 场景转换 注意力机制
下载PDF
沉积过程模拟驱动下的深度学习地质建模方法 被引量:4
19
作者 刘彦锋 段太忠 +2 位作者 黄渊 张文彪 李蒙 《石油与天然气地质》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期226-237,共12页
油气藏勘探开发逐步向深层化、复杂化方向发展,观测数据不足、分辨率低等资料难题突显,传统的地质建模方法无法适应技术需求。以深度学习为代表的智能化地质建模方法可以充分整合多尺度、多维度的数据信息以及专家认识,是地质建模技术... 油气藏勘探开发逐步向深层化、复杂化方向发展,观测数据不足、分辨率低等资料难题突显,传统的地质建模方法无法适应技术需求。以深度学习为代表的智能化地质建模方法可以充分整合多尺度、多维度的数据信息以及专家认识,是地质建模技术发展的重要方向。在综合分析地层沉积模拟和深度学习地质建模技术优缺点的基础上,探索形成了沉积过程模拟驱动的深度学习地质建模方法。首先,基于综合地质分析开展沉积正演模拟,分析参数不确定性,通过参数扰动形成大规模地质模型作为训练样本库;其次,利用条件化生成对抗网络学习样本库中蕴含的地质模式和规律,其中生成网络以井-震等条件数据作为输入、地质模型作为输出;最后,利用训练后生成网络在实际条件数据上的应用,得到目标区块的地质模型。通过在四川盆地普光气藏主力区块典型地质剖面的测试应用,该方法的可行性得到了验证,并分析了训练样本库大小对模拟结果的影响。沉积模拟和深度学习相结合,弥补了训练样本不足的缺陷,间接实现了知识驱动的深度学习地质建模,具有重要的推广意义。 展开更多
关键词 人工智能 大数据 知识驱动 生成对抗网络 沉积过程模拟 深度学习地质建模 普光气藏 四川盆地
下载PDF
CMOS兼容的Si基GaN准垂直结构肖特基势垒二极管
20
作者 陈延博 杨兵 +4 位作者 康玄武 郑英奎 张静 吴昊 刘新宇 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第3期179-183,共5页
在Si基GaN上制备了与CMOS工艺兼容的高性能准垂直结构肖特基势垒二极管(SBD)。探索了在GaN体材料上基于Ti/Al/Ti/TiN结构的无金欧姆接触工艺,在650℃的N_(2)氛围退火60 s实现了较好的欧姆接触性能。通过采用电感耦合等离子体(ICP)干法... 在Si基GaN上制备了与CMOS工艺兼容的高性能准垂直结构肖特基势垒二极管(SBD)。探索了在GaN体材料上基于Ti/Al/Ti/TiN结构的无金欧姆接触工艺,在650℃的N_(2)氛围退火60 s实现了较好的欧姆接触性能。通过采用电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀工艺,实现了低损伤的侧壁。同时采用TiN作为肖特基金属,实现了较低的开启电压。器件制备完成后对其进行分析表征。测试和分析结果表明,制备的无金工艺的准垂直GaN SBD实现了0.5 V的低开启电压,0.37 mΩ·cm^(2)的比导通电阻,理想因子为1.06,势垒高度为0.81 eV。器件的击穿电压为256 V,巴利加优值(BFOM)达到了177 MW/cm^(2)。研究表明,采用无金工艺制备GaN SBD具有技术上的可行性,该技术有望降低GaN SBD的制造成本。 展开更多
关键词 Si基gan 肖特基势垒二极管(SBD) 准垂直结构 无金工艺 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 TIN CMOS兼容工艺
下载PDF
上一页 1 2 3 下一页 到第
使用帮助 返回顶部