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AlN缓冲层对提高硅基GaN薄膜质量的作用机理及其研究进展
被引量:
1
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作者
王敬蕊
叶志镇
+2 位作者
赵炳辉
朱丽萍
唐海平
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期308-312,共5页
AlN作为中间层可以有效提高硅基GaN的晶体质量。本文对于AlN作为形核层和插入层提高GaN晶体质量的机理进行分析和总结,并给出AlN的最佳生长条件。
关键词
Si基
gan
aln
综述
应力
位错
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职称材料
题名
AlN缓冲层对提高硅基GaN薄膜质量的作用机理及其研究进展
被引量:
1
1
作者
王敬蕊
叶志镇
赵炳辉
朱丽萍
唐海平
机构
浙江大学硅材料重点实验室
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第4期308-312,共5页
基金
国家重点基础研究专项经费"973"资助(NO.G20000683-06)
教育部留学回国人员启动基金
+1 种基金
教外司留(No.20031406)
浙江省自然科学基金(No.M503183)
文摘
AlN作为中间层可以有效提高硅基GaN的晶体质量。本文对于AlN作为形核层和插入层提高GaN晶体质量的机理进行分析和总结,并给出AlN的最佳生长条件。
关键词
Si基
gan
aln
综述
应力
位错
Keywords
gan
,
aln
,
summarize
,
stress
,
dislocation
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AlN缓冲层对提高硅基GaN薄膜质量的作用机理及其研究进展
王敬蕊
叶志镇
赵炳辉
朱丽萍
唐海平
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
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