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AlN缓冲层对提高硅基GaN薄膜质量的作用机理及其研究进展 被引量:1
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作者 王敬蕊 叶志镇 +2 位作者 赵炳辉 朱丽萍 唐海平 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期308-312,共5页
AlN作为中间层可以有效提高硅基GaN的晶体质量。本文对于AlN作为形核层和插入层提高GaN晶体质量的机理进行分析和总结,并给出AlN的最佳生长条件。
关键词 Si基gan aln 综述 应力 位错
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