GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究

尽管GaN基蓝绿光发光二极管 (LED)已进入大规模商品化阶段 ,但其发光波长随注入电流的变化仍是一个尚未解决的关键技术难题 .同时 ,蓝绿光LED电注入发光光谱的半高全宽多为 2 5nm以上 .通过优化LED器件材料的生长条件和总应变量 ,获得了高质量的InGaN GaN多量子阱LED外延片 .由此制作的LED器件在 0— 1 2 0mA的注入电流下 ,发光波长变化小于 1nm .在 2 0mA的正向电流下 ,其光谱半高全宽只有 1 8nm 。