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GaN负电子亲和势光电阴极的激活改进研究 被引量：1
1
作者 曾正清 李朝木 +1 位作者 王宝林 李峰 《真空与低温》 2010年第2期108-112,共5页
采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石（0001）衬底上生长2-5μm厚度的P-AlxGa1-xN/GaN层（0〈X≤0.4）,在AlxGa1-xN层中的Al浓度为0.2〈X〈0.7。P型GaN激活层的电子扩散长度确定为2-5μm,并获得3×1019 cm^-3的掺杂浓度。提出的... 采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石（0001）衬底上生长2-5μm厚度的P-AlxGa1-xN/GaN层（0〈X≤0.4）,在AlxGa1-xN层中的Al浓度为0.2〈X〈0.7。P型GaN激活层的电子扩散长度确定为2-5μm,并获得3×1019 cm^-3的掺杂浓度。提出的GaN基光电阴极的表面能带结构模型,对实验结果给予了比较满意的解释。 展开更多
关键词 负电子亲和势 gan光电阴极激活 紫外敏感材料 新能带结构模型.
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GaN负电子亲和势光电阴极材料的生长研究 被引量：7
2
作者 李朝木 曾正清 陈群霞 《真空与低温》 2008年第4期236-239,共4页
采用低压金属有机化学汽化淀积法在蓝宝石(0001)
关键词 负电子亲和势 gan光电阴极激活 紫外敏感材料 光电探测
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