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表面态对AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的影响
1
作者
谢峰
李德昌
《电子科技》
2009年第3期78-80,共3页
基于静电学分析,得出表面态是电子的一个重要来源。基于这一分析,可以解释已发表的关于二维电子气(2DEG)的大量数据。例如,2DEG密度随着AlGaN层厚度、Al组分的变化的原因。当Al0.3Ga0.7N/GaN结构中生长一层5nm厚的GaN冒层时,2DEG浓度由1...
基于静电学分析,得出表面态是电子的一个重要来源。基于这一分析,可以解释已发表的关于二维电子气(2DEG)的大量数据。例如,2DEG密度随着AlGaN层厚度、Al组分的变化的原因。当Al0.3Ga0.7N/GaN结构中生长一层5nm厚的GaN冒层时,2DEG浓度由1.47×1013cm-2减少到1.20×1013cm-2,减少是由于表面类施主态离化减少。由于充分厚的GaN冒层导致GaN/AlGaN/GaN上界面形成二维空穴气(2DHG),所以在超出特定的冒层厚度时2DEG浓度达到饱和。
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关键词
AL
gan
/
gan
表面态
gan冒层
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职称材料
题名
表面态对AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的影响
1
作者
谢峰
李德昌
机构
西安电子科技大学技术物理学院
西安电子科技大学理学院
出处
《电子科技》
2009年第3期78-80,共3页
文摘
基于静电学分析,得出表面态是电子的一个重要来源。基于这一分析,可以解释已发表的关于二维电子气(2DEG)的大量数据。例如,2DEG密度随着AlGaN层厚度、Al组分的变化的原因。当Al0.3Ga0.7N/GaN结构中生长一层5nm厚的GaN冒层时,2DEG浓度由1.47×1013cm-2减少到1.20×1013cm-2,减少是由于表面类施主态离化减少。由于充分厚的GaN冒层导致GaN/AlGaN/GaN上界面形成二维空穴气(2DHG),所以在超出特定的冒层厚度时2DEG浓度达到饱和。
关键词
AL
gan
/
gan
表面态
gan冒层
Keywords
Al
gan
/
gan
surface states
gan
caps
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
表面态对AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的影响
谢峰
李德昌
《电子科技》
2009
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