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GaN{11-22}半极性面上生长InGaN/GaN多量子阱的研究
1
作者
杨国锋
朱华新
+2 位作者
郭颖
李果华
高淑梅
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2014年第2期181-185,共5页
利用选择性横向外延技术生长{11-22}半极性面GaN模板,并利用半极性面模板生长InGaN/GaN多量子阱结构。结果表明,生长出的GaN模板由半极性面{11-22}面和c面组成,多量子阱具有390nm和420 nm的双峰发光特性,局域阴极发光(CL)测试表明390 n...
利用选择性横向外延技术生长{11-22}半极性面GaN模板,并利用半极性面模板生长InGaN/GaN多量子阱结构。结果表明,生长出的GaN模板由半极性面{11-22}面和c面组成,多量子阱具有390nm和420 nm的双峰发光特性,局域阴极发光(CL)测试表明390 nm附近的发光峰来源于半极性面上的量子阱发光,而420 nm左右的发光峰源于c面量子阱发光。c面量子阱发光相对于斜面量子阱发光发生显著红移是因为在选择性横向外延生长过程中,In组分相比Ga较易从掩模区域向窗口中心区域迁移,形成了中心高In组分的c面量子阱,而半极性面上InGaN/GaN多量子阱量子限制斯塔克效应相比于极性面会减弱,此外,相同生长条件下半极性面的生长速率低于极性c面的生长速率。
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关键词
光学器件
选择性横向外延
gan半极性面
多量子阱
极化效应
原文传递
题名
GaN{11-22}半极性面上生长InGaN/GaN多量子阱的研究
1
作者
杨国锋
朱华新
郭颖
李果华
高淑梅
机构
江南大学理学院
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2014年第2期181-185,共5页
基金
江苏省自然科学基金(11074280)
文摘
利用选择性横向外延技术生长{11-22}半极性面GaN模板,并利用半极性面模板生长InGaN/GaN多量子阱结构。结果表明,生长出的GaN模板由半极性面{11-22}面和c面组成,多量子阱具有390nm和420 nm的双峰发光特性,局域阴极发光(CL)测试表明390 nm附近的发光峰来源于半极性面上的量子阱发光,而420 nm左右的发光峰源于c面量子阱发光。c面量子阱发光相对于斜面量子阱发光发生显著红移是因为在选择性横向外延生长过程中,In组分相比Ga较易从掩模区域向窗口中心区域迁移,形成了中心高In组分的c面量子阱,而半极性面上InGaN/GaN多量子阱量子限制斯塔克效应相比于极性面会减弱,此外,相同生长条件下半极性面的生长速率低于极性c面的生长速率。
关键词
光学器件
选择性横向外延
gan半极性面
多量子阱
极化效应
Keywords
optical devices
selective area epitaxy
gan
semipolar plane
multiple quantum wells
polarizationeffect
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN{11-22}半极性面上生长InGaN/GaN多量子阱的研究
杨国锋
朱华新
郭颖
李果华
高淑梅
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2014
0
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已选择
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