1
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U型槽刻蚀工艺对GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管电学特性的影响 |
陈扶
唐文昕
于国浩
张丽
徐坤
张宝顺
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2020 |
2
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2
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双沟槽SiC金属-氧化物-半导体型场效应管重离子单粒子效应 |
李洋帆
郭红霞
张鸿
白如雪
张凤祁
马武英
钟向丽
李济芳
卢小杰
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《物理学报》
SCIE
EI
CSCD
北大核心
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2024 |
0 |
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3
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垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管电学法热阻测试中测试电流的研究 |
吕贤亮
黄东巍
周钦沅
李旭
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《电气技术》
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2020 |
0 |
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4
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高功率微波作用下热载流子引起n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性退化研究 |
游海龙
蓝建春
范菊平
贾新章
查薇
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
11
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5
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耗尽型6H-SiC埋沟PMOSFET电流解析模型 |
刘莉
杨银堂
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
1
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6
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电阻耦合型神经MOS晶体管及其差分四象限模拟乘法器 |
王明宇
汤玉生
管慧
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2002 |
0 |
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7
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基于SiC和Si器件的燃料电池汽车DC-DC变换器的性能 |
周晓敏
马后成
高大威
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《汽车安全与节能学报》
CAS
CSCD
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2017 |
3
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8
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降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展 |
周志文
沈晓霞
李世国
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2016 |
0 |
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9
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沟槽栅功率器件栅氧化膜特性的工艺研究 |
雷海波
王飞
肖胜安
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《集成电路应用》
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2013 |
0 |
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10
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GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD防护性能的影响 |
梁海莲
董树荣
顾晓峰
李明亮
韩雁
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
1
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11
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一种新型低压功率MOSFET结构分析 |
姚丰
何杞鑫
方邵华
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
6
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12
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Halo注入角度对热载流子效应的影响及优化 |
王兵冰
汪洋
黄如
张兴
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
2
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13
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沟槽功率MOS器件的多晶Si填槽工艺研究 |
秦晓静
周建伟
康效武
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
3
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14
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VDMOS准饱和特性数学模型研究 |
李洪朋
鲍嘉明
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2014 |
0 |
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15
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一种新型VDMOS器件结构的设计与实现 |
董子旭
王万礼
赵晓丽
张馨予
刘晓芳
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《太赫兹科学与电子信息学报》
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2022 |
0 |
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16
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应变SiGe沟道PMOSFET亚阈值特性模拟 |
屠荆
杨荣
罗晋生
张瑞智
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《电子器件》
EI
CAS
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2005 |
2
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17
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一种200V/100A VDMOS器件开发 |
焦世龙
翁长羽
晋虎
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《电子与封装》
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2010 |
1
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18
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总剂量辐射对硅双极和MOS器件性能的影响 |
蔡俊
傅义珠
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
4
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19
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屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制 |
李飞
刘英坤
邓建国
胡顺欣
孙艳玲
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
0 |
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20
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一种便携式VDMOS单粒子试验测试系统 |
魏亚峰
滕丽
温显超
俞宙
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《太赫兹科学与电子信息学报》
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2016 |
0 |
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