GaN基蓝光半导体激光器的发展

文章介绍了下一代光存储用半导体激光器———GaN蓝光激光器的发展状况 .对衬底材料的发展现状、外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述 .阐明了GaN激光器的一些技术路线 ,如GaN同质生长衬底的发展 ,侧向外延生长技术的采用以及湿法腐蚀腔面等 .另外还介绍了GaN半导体激光器数字多功能光盘 (DVD)

GaN基光栅外腔半导体激光器研究进展

介绍了光栅外腔半导体激光器应用外部光栅实现选模和线宽压窄的基本原理,以及Littrow和Littman两种典型外腔结构和主要组成光学元件,讨论了主要性能表征参数包括调谐范围、激射线宽和边模抑制比等,分析了其关于稳定性的主要技术难点。在此基础上,详细综述了GaN基光栅外腔半导体激光器的国内外研究进展,主要集中在线宽、无跳模调谐范围和功率三个性能指标的优化上,特别提及了厦门大学研究小组的工作进展。最后讨论了其在高精度光谱测试、气体探测和大容量全息数据存储中的应用,并且列举了铟原子的光谱测试和NO气体探测。

中科院半导体所研制出GaN基紫外激光器

中国科学院半导体研究所的研究人员研制出了新型GaN基紫外激光器，取得了我国继GaN基蓝光和绿光激光器之后的又一突破进展。

我国氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破

近日，由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年11月16日由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后又一个重大突破，标志着我国氮化镓（GaN）基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。

电注入连续波蓝光GaN基垂直腔面发射激光器

1 引 言 半导体激光器主要有边发射和垂直腔面发射（VCSEL）2种形式。边发射的半导体激光器发出的光是多模激光，法布里一铂罗腔长度达数十微米，发出的光束发散角大，为不对称的椭圆光束；垂直腔面发射激光器（VCSEL）的谐振腔长度只有几个波长，可以发出单模激光，发散角小，光束圆形对称，其光束质量远高于边发射激光器。

Studies on GaN-based laser devices make progress

Aresearch team led by YANG Hui and CHEN Lianghui with the CAS Institute of Semiconductors (ISCAS)has made breakthrough progress in addressing key technological problems for the GaN-based laser diodes development.The research results were spoken highly at a panel meeting of experts held on 26 November,2007 in Beijing.