GaN基蓝光LED技术的研究进展

随着我国社会进程的不断发展,GaN基蓝光LED技术对现有的照明领域产生了极高的应用性。GaN基蓝光LED技术具有非常广阔的应用市场,可以在银行、体育馆、机场、车站等大屏幕动态显示器当中,成为最关键的器件。其整体具有快速响应、耐冲击、耐震、高效、高亮度等优异特性。此外,GaN基蓝光LED技术还可广泛用于交通信息、数码状态的指示灯以及背景照明,在消费领域具有显著的提升空间,为我国的整体经济提供稳定的增长因素。其作为我国全新的新一代光源,具有充分的研究应用价值。因此,本文将就GaN基蓝光LED技术的研究进展展开讨论,阐述GaN基蓝光LED技术的基本概念,分析其最新的研究进展。

静电对Si衬底GaN基蓝光LED老化寿命的影响

对几组本工程中心研制的S i衬底GaN基蓝光二极管(LED)施加了不同静电击打后,分别在30、50和70mA的驱动电流下进行了老化实验对比,施加静电电压分别为0、100、500和1 000 V。研究对比了1 000 V范围内的静电对S i衬底上GaN基蓝光LED老化寿命的影响,并对相关实验现象进行了分析。结果表明在1000V范围内施加不同的静电对其寿命没有明显的影响。

影响GaN基蓝光LED能带结构与光谱特性关系的仿真研究

本文采用Silvaco TCAD软件对GaN基InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)的光谱特性进行了仿真研究。研究结果表明:光谱会随着注入电压的增加而产生蓝移现象,并出现0.365μm处的紫外光发光峰;发光效率在正向电流较小时增长很快,随着正向电流进一步增加而逐渐趋于饱和;随着量子阱中In组分和量子阱阱层厚度的增加,发光光谱出现红移现象,并且发光效率下降。仿真结果对GaN基InGaN/GaN量子阱结构蓝光LED的设计和优化提供一定的依据。

利用C-V法研究GaN基蓝光LED的多量子阱结构

利用C-V测量法研究了GaN基高亮度蓝光发光二极管的InGaN/GaN多量子阱结构(MQWs),通过样品的C-V曲线及对应的杂质浓度分布曲线得出MQWs的结构特性.实验结果表明:MQWs为5个周期的InGaN/GaN多量子阱.室温下InGaN阱层的平均阱宽为2.00 nm,阱层的平均杂质浓度为7.12×1018 cm^-3,GaN垒层的平均垒宽为12.32 nm,垒层的平均杂质浓度为0.82×1018 cm^-3.温度降低,InGaN阱宽变窄,杂质浓度增大,而GaN垒宽变宽,杂质浓度降低.

GaN基LED等ESD敏感器件的静电防护技术

随着电子技术的不断发展，静电防护技术不断提高，无论是在LED器件设计上，还是在生产工艺上，抗ESD能力都有明显的进步，但是，GaN基LED毕竟是ESD敏感器件，静电防护必须渗透到生产全过程。

GaN蓝光LED电极接触电阻的优化

通过分析LED的工作电压和晶圆上两相邻N电极间电阻来讨论快速退火(RTA)和表面处理对GaN基蓝光LED接触电极的影响。研究了p-GaN表面处理对Ni/Au与p-GaN接触电阻的影响。结果表明,用KOH清洗p-GaN表面比用HCl清洗更能有效地改善Ni/Au与p-GaN的接触电阻。讨论了在氧和氮混合气氛下两种退火温度对P电极接触电阻的影响,当退火温度从570℃升到620℃时接触电阻升高。研究了氮气氛下不同退火温度和时间对LED电极接触的影响,发现在480℃下连续退火对N接触有利,但却使P接触变差,而450℃、10 min的氮气氛退火能同时得到较好P接触和N接触。

GaN基LED在室内环境设计中的应用

随着Ⅲ族化合物半导体技术的发展,以氮化镓(Gallium Nitride,GaN)为代表的氮化镓及其多元化合物作为发光材料受到人们极大的关注。通过调节Ⅲ族化合物的组分比例,其发光波长可覆盖整个可见光区域与部分红外及紫外区域,因此,Ga N基发光二极管(light emitting diodes, LED)在各个领域有着广阔的应用。LED技术的进步激发了室内环境设计更多新的理念,本文主要介绍Ga N基LED在室内环境中应用方面的进展,包括蓝光LED及紫外LED在室内环境中的应用,并分析目前制约其在室内环境应用中的问题。

苏州纳米所在高亮度蓝光LED研究方面取得进展

GaN基蓝光LED的发明被誉为＂爱迪生之后的第二次照明革命＂。赤崎勇、天野浩与中村修二因＂发明高效蓝光LED,带来了节能明亮的白色光源＂共同获得2014年诺贝尔物理学奖。利用蓝光LED和荧光粉合成白光的LED灯效率已达到荧光灯的2倍,已经广泛应用于液晶显示背光照明,

GaN on GaN技术的MR16与CREE产品的比较

今年10月份的LED杂志（LEDmagazine）刊登了三种MR16产品之间的性能比较，它们分别是：卤钨灯、SiC基板上生长的GaN（CREE制造）和在GaN上生长GaN的同质氮化镓（rhSORRA公司制造），见表1。

LED受ESD冲击前后性能的变化分析

对GaN基蓝光LED施加ESD冲击,比较LED在受到ESD冲击前后I-V特性曲线、-5 V反向漏电流以及光色电特性的变化发现在I-V特性曲线和-5 V反向漏电流有明显变化的情况下,LED的光色电特性没有明显变化。选择在受到ESD冲击后反向漏电流值为不同数量级的LED作为样品进行加速老化实验,比较样品在加速老化实验前后的I-V特性曲线、光色电特性等参数的变化。通过比较样品之间的光衰减速率,发现反向漏电流大于1 mA时,样品的光衰减明显加快。

Si衬底GaN基功率型LED制造技术开发

1课题目的 本课题以发展具有自主知识产权的Si衬底外延生长、芯片制造及功率型LED器件封装核心技术为目的。解决Si衬底GaN基LED外延生长、高效功率型GaN基LED芯片制造及封装技术。

GaN基LED的发展历程的研究

本文介绍了GaN基材料和LED的基本特性,从其发展进程中不难看出对GaN基LED的发展前景十分广阔。GaN基LED是第三代半导体材料,正是现在全球各国研究者感兴趣的方向之一,而且其优点也非常明显,节能性好、发光率高、体积小等特点让它一出世就受到了大家的热捧。相信在各国研究者的不断研发下,LED的发展会越来越好。

半/非极性面2英寸GaN基板:改进LED及激光器的撒手锏,住友电工开发出大型基板

在白色LED中使用的蓝色LED芯片及蓝光光驱光源用蓝紫色半导体激光器,目前新型的GaN基板有望使这些GaN类半导体发光元件的性能得到大幅提高。而在该领域,日本业界最大厂商住友电气工业最近实现了新型GaN基板的大型化,并即将推出产品。该产品就是采用GaN结晶的"半极性面"及"

阵列式LED高压交／直流芯片关键技术及产业化研究

随着技术的不断进步和发展，GaN基LED的发光效率和可靠性在不断的提高和改善，其寿命也越来越长。相比于其他传统光源，高性能LED具有光电转换效率高、寿命长、低损耗、无污染等显著优势，因此选择高性能LED作为高效绿色环保的照明光源来降低通用照明用电是节能减排的一个良好的途径。

电子信息材料

日本LED技术获突破发光效率增倍；蓝光LED之父又有斩获，GaN器件研发呈现新进展；Cree公司高亮度LED有突破性进展;日亚公司推出200lm和400lm LED;GE东芝硅胶公司推出白色LED封装用硅胶瞄准照明和前灯;美国Lumileds公司起诉台湾LED厂商专利侵害.

聚焦产业关键技术,把握第三代半导体发展机遇——第三代半导体材料产业技术分析报告

5G通信技术、新能源汽车推广以及光电应用推动第三代半导体产业蓬勃发展。2017年,中国GaN和SiC器件市场规模达30.8亿元。目前,在应用结构方面,GaN基LED占比高达70.0%,射频通信和功率器件领域合计占比不足30%;SiC器件市场上,功率因数校正电路占比超过50%,光伏逆变器占比约为23.8%,其他应用包括不间断电源、纯电动汽车/混合动力汽车及轨道交通等。2017年国内投资热情高涨,投产GaN材料和SiC材料相关的项目共6个,涉及金额超过84亿元,占当年总投资金额的12%。

大功率发光二极管外延材料生长技术

GaN基LED在照明市场的前景备受全球瞩目，它将成为21世纪的新一代光源。白光LED与白炽灯相比可节省80％～90％的电能，且寿命可超过10万小时。目前主要问题是芯片成本高，但从电子产品性价比发展规律看，半导体灯进入普通家庭已为期不远。