热壁CVD法GaN微晶粒的制备

用热壁CVD法在Si(111)衬底上生长GaN薄膜,用扫描电镜(SEM)观察发现在表面上有大量微晶粒,这些晶粒的直径在2-4μm之间。用扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线衍射谱(XRD)、傅里叶红外透射谱(FTIR)、光致荧光谱(PL)对样品进行了结构、组分及发光特性分析。结果表明:这些微晶粒为GaN六方铅锌矿。