利用自组装Ni纳米点为掩膜制备GaN纳米柱阵列

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和电子束蒸发法在Si基GaN模板上先后淀积一层SiO2和Ni薄膜,接着在氮气中快速热退火(RTA)自组装生长Ni纳米点,最后以Ni纳米点为掩膜制备GaN纳米柱阵列,研究其制备条件的影响。扫描电镜(SEM)分析显示,随着Ni层厚度的减小、退火温度的降低和时间的延长,Ni纳米点的平均尺寸减小、密度增大。光致发光谱(PL)研究表明,GaN纳米柱比GaN模板的发光强度提高了约20倍,带边峰发生27 meV蓝移,这归因于GaN纳米柱具有较大的比表面积和张应力的部分弛豫。